公开(公告)号：CN117976740A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410036077.8

申请日：2024-01-10

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈敦军 ,  刘路明 ,  蔡青 ,  游海帆 ,  张荣

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于绝缘衬底的自顶而下垂直纳米柱阵列pin‑AlGaN紫外光电探测器，其结构自下而上依次包括：绝缘衬底；外延生长在绝缘衬底上的n‑GaN缓冲层；分布在n‑GaN缓冲层上的纳米柱阵列光吸收层，所述的纳米柱阵列光吸收层包括：刻蚀形成的AlGaN垂直纳米柱阵列和填充在纳米柱阵列内的绝缘填充物。N型底电极设置在n‑GaN缓冲层上，所述P型顶电极设置在p‑GaN层上。还公开了其制备方法。本发明利用金属纳米颗粒充当硬掩模刻蚀制备纳米柱阵列，利用平面化填充物实现对纳米柱的隔离与保护和对顶电极的支撑，底电极设置于衬底上的n‑GaN缓冲层上，制备难度明显降低，为纳米柱阵列光电探测器件的制备提供新思路。