公开(公告)号：CN116705880A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310761314.2

申请日：2023-06-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 蔡青 ,  朱金杰 ,  游海帆 ,  陈敦军 ,  张荣

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于非共面弧形叉指电极的AlN深紫外光电探测器，包括衬底层及衬底层上的AlN有源层，其特征在于：在AlN有源层表面通过刻蚀形成凹陷的弧形台面，还包括弧形叉指电极，其中一侧的叉指电极蒸镀于AlN有源层表面，另一侧的相邻电极蒸镀于凹陷的弧形台面内，且不与弧形台面刻蚀的侧壁接触。还公开了其制备方法。本发明的一种基于非共面弧形叉指电极的AlN深紫外光电探测器利用弧形叉指电极使得有源区暴露在深紫外光下，在可渗透深度内促进器件光吸收。同时，非共面电极使得台面边缘电场出现局域增强，延伸了近表面区域耗尽层宽度，可增大光响应度。

公开(公告)号：CN118472094A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410667985.7

申请日：2024-05-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 蔡青 ,  王赛赛 ,  游海帆 ,  陈敦军 ,  张荣

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种倒序分离吸收倍增型AlGaN/金刚石异质结日盲紫外雪崩光电探测器，其结构自下而上依次包括：金刚石衬底、p型金刚石层、AlN缓冲层、i型AlyGa1‑yN倍增层、n型AlyGa1‑yN分离层、i型AlxGa1‑xN吸收层和n型AlxGa1‑xN层；在n型AlxGa1‑xN层上引出n型欧姆电极，在p型金刚石层上引出p型欧姆电极。并公开了其制备方法。本发明形成倒序n‑i‑n‑i‑p结构SAM型日盲雪崩紫外探测器，利用离化系数更高的空穴进行碰撞离化，在保持高雪崩倍增因子的同时，降低雪崩探测器在雪崩击穿时的过剩噪声，有助于提高雪崩探测器的日盲紫外探测性能。

公开(公告)号：CN117976740A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410036077.8

申请日：2024-01-10

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈敦军 ,  刘路明 ,  蔡青 ,  游海帆 ,  张荣

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于绝缘衬底的自顶而下垂直纳米柱阵列pin‑AlGaN紫外光电探测器，其结构自下而上依次包括：绝缘衬底；外延生长在绝缘衬底上的n‑GaN缓冲层；分布在n‑GaN缓冲层上的纳米柱阵列光吸收层，所述的纳米柱阵列光吸收层包括：刻蚀形成的AlGaN垂直纳米柱阵列和填充在纳米柱阵列内的绝缘填充物。N型底电极设置在n‑GaN缓冲层上，所述P型顶电极设置在p‑GaN层上。还公开了其制备方法。本发明利用金属纳米颗粒充当硬掩模刻蚀制备纳米柱阵列，利用平面化填充物实现对纳米柱的隔离与保护和对顶电极的支撑，底电极设置于衬底上的n‑GaN缓冲层上，制备难度明显降低，为纳米柱阵列光电探测器件的制备提供新思路。

公开(公告)号：CN110501773B

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201910806001.8

申请日：2019-08-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 袁如月 ,  陈敦军 ,  游海帆 ,  蔡青 ,  郭慧 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: G02B5/20 ,  G02B1/00 ,  H01L31/0232

Abstract: 本发明公开了一种应用于日盲光电探测器的AlN/Al0.5Ga0.5N多周期一维光子晶体滤波器，包括衬底，还包括生长在衬底上的两到三个周期性的AlN/Al0.5Ga0.5N/AlN结构，每个周期性的AlN/Al0.5Ga0.5N/AlN结构中，AlN/Al0.5Ga0.5N/AlN生长周期为33组。并公开了应用该光子晶体滤波器的日盲光电探测器。本发明的多周期叠加光子晶体滤波，与传统单周期AlN/AlGaN单周期光子晶体滤波器相比，实现了280‑320nm以及280‑340nm峰值反射率达到99％的宽阻带，是单周期最高阻带的2‑3倍，集成于日盲探测器上可提高日盲区与可见盲区的光电流响应抑制比等性能。

公开(公告)号：CN110501773A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910806001.8

申请日：2019-08-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 袁如月 ,  陈敦军 ,  游海帆 ,  蔡青 ,  郭慧 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: G02B5/20 ,  G02B1/00 ,  H01L31/0232

Abstract: 本发明公开了一种应用于日盲光电探测器的AlN/Al0.5Ga0.5N多周期一维光子晶体滤波器，包括衬底，还包括生长在衬底上的两到三个周期性的AlN/Al0.5Ga0.5N/AlN结构，每个周期性的AlN/Al0.5Ga0.5N/AlN结构中，AlN/Al0.5Ga0.5N/AlN生长周期为33组。并公开了应用该光子晶体滤波器的日盲光电探测器。本发明的多周期叠加光子晶体滤波，与传统单周期AlN/AlGaN单周期光子晶体滤波器相比，实现了280-320nm以及280-340nm峰值反射率达到99％的宽阻带，是单周期最高阻带的2-3倍，集成于日盲探测器上可提高日盲区与可见盲区的光电流响应抑制比等性能。

公开(公告)号：CN108520912A

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201810365349.3

申请日：2018-04-23

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈敦军 ,  蔡青 ,  陈鹏 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/00 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18 ,  B82Y40/00

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L33/22 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/1856 ,  H01L33/0075

Abstract: 本发明公开了一种基于Ni金属自组装制备AlN纳米图形模板的方法，其步骤包括：(1)清洁AlN衬底模板的表面；(2)蒸镀一层Ni金属薄膜层；(3)步骤(2)样品置于750-900℃的氮气氛围中，快速热退火处理，利用自组装效应使Ni金属薄膜层形成Ni纳米颗粒；(4)利用感应耦合等离子刻蚀步骤(3)中退火后的样品，形成AlN纳米图形模板；(5)清除残留在AlN纳米图形模板上的Ni金属。本发明的制备AlN纳米图形模板的方法可以起到过滤AlN表面位错、释放AlN衬底与后续外延AlGaN之间应力的作用，制得的AlN纳米图形模板能够促进器件薄膜材料的横向外延生长，有利于后续生长高质量低缺陷的高Al组分AlGaN薄膜，有望极大地提高AlGaN光电探测器的光电响应和增益。