公开(公告)号：CN113044809B

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202110299773.4

申请日：2021-03-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 修向前 ,  张丽颖 ,  谢自力 ,  张荣

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明公开了一种垂直Ga2O3纳米管有序阵列的制备方法，其基本原理为利用β‑Ga2O3和GaN材料之间的刻蚀差异性，通过ICP刻蚀将热氧化后得到的GaN/β‑Ga2O3纳米线阵列中的GaN核纳米线去除，从而制备出垂直排列的、尺寸可控的β‑Ga2O3纳米管阵列。首先在衬底上GaN薄膜表面蒸镀镍薄膜，退火，使得镍薄膜变成纳米岛状结构作为刻蚀掩膜，利用ICP刻蚀技术来制备获得GaN纳米线有序阵列；将获得GaN纳米线有序阵列在一定温度和氧气氛下进行热氧化，得到GaN/β‑Ga2O3纳米线阵列；采用利于GaN刻蚀的工艺条件，去除作为核的GaN纳米线，即可得到垂直Ga2O3纳米管有序阵列。这是一种全新的、成本较低的、相对简单的制备β‑Ga2O3纳米管的方法，在新型微纳电子学和光电子学领域具有潜在的应用前景。

公开(公告)号：CN113044809A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202110299773.4

申请日：2021-03-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 修向前 ,  张丽颖 ,  谢自力 ,  张荣

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明公开了一种垂直Ga2O3纳米管有序阵列的制备方法，其基本原理为利用β‑Ga2O3和GaN材料之间的刻蚀差异性，通过ICP刻蚀将热氧化后得到的GaN/β‑Ga2O3纳米线阵列中的GaN核纳米线去除，从而制备出垂直排列的、尺寸可控的β‑Ga2O3纳米管阵列。首先在衬底上GaN薄膜表面蒸镀镍薄膜，退火，使得镍薄膜变成纳米岛状结构作为刻蚀掩膜，利用ICP刻蚀技术来制备获得GaN纳米线有序阵列；将获得GaN纳米线有序阵列在一定温度和氧气氛下进行热氧化，得到GaN/β‑Ga2O3纳米线阵列；采用利于GaN刻蚀的工艺条件，去除作为核的GaN纳米线，即可得到垂直Ga2O3纳米管有序阵列。这是一种全新的、成本较低的、相对简单的制备β‑Ga2O3纳米管的方法，在新型微纳电子学和光电子学领域具有潜在的应用前景。