公开(公告)号：CN106129204A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610627269.1

申请日：2016-08-02

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  张国刚 ,  刘斌 ,  任芳芳 ,  谢自力 ,  陈鹏 ,  郭旭 ,  葛海雄 ,  修向前 ,  赵红 ,  陈敦军 ,  陆海 ,  韩平 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/38 ,  H01L33/00 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明公开了一种表面等离激元增强InGaN/GaN偏振出光LED，其结构从下至上依次为：基底层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN多量子阱有源层、p型GaN层，其特征在于：所述p型GaN层被刻蚀成光栅结构，成为p型GaN光栅层，p型GaN光栅层上设有纳米双层金属光栅层。并公开了其制备方法。本发明通过在LED上布置复合光栅，包括p型GaN光栅和双层金属光栅，在p型GaN光栅和双层金属光栅之间会产生表面等离激元共振作用，直接加快复合过程，提高LED的内量子效率，从而从发光有源层直接发射强烈的偏振光。与传统的亚波长金属光栅只能实现偏振相比，本发明可以同时实现LED的发光效率增强和偏振出光，并且可以独立于材料生长过程。

公开(公告)号：CN106129204B

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201610627269.1

申请日：2016-08-02

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  张国刚 ,  刘斌 ,  任芳芳 ,  谢自力 ,  陈鹏 ,  郭旭 ,  葛海雄 ,  修向前 ,  赵红 ,  陈敦军 ,  陆海 ,  韩平 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/38 ,  H01L33/00 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种表面等离激元增强InGaN/GaN偏振出光LED，其结构从下至上依次为：基底层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN多量子阱有源层、p型GaN层，其特征在于：所述p型GaN层被刻蚀成光栅结构，成为p型GaN光栅层，p型GaN光栅层上设有纳米双层金属光栅层。并公开了其制备方法。本发明通过在LED上布置复合光栅，包括p型GaN光栅和双层金属光栅，在p型GaN光栅和双层金属光栅之间会产生表面等离激元共振作用，直接加快复合过程，提高LED的内量子效率，从而从发光有源层直接发射强烈的偏振光。与传统的亚波长金属光栅只能实现偏振相比，本发明可以同时实现LED的发光效率增强和偏振出光，并且可以独立于材料生长过程。