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公开(公告)号：CN116723756A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310472494.2
申请日：2023-04-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种二维硒化钨‑氧化铝突触器件，自下而上依次设置为衬底层、氧化物层、硒化钨纳米片和电极层，其中电极层包括分别设置在硒化钨纳米片两端的源电极和漏电极，该技术方案提供的突触器件不仅具有良好的电响应行为，还表现出良好的持续导电现象，能够有效实现双脉冲易化、短时程可塑性、长时程可塑性和高通滤波等突触行为，有望在神经形态器件和电响应储存设备上应用。
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