公开(公告)号：CN115096949A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210559843.X

申请日：2022-05-23

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈敦军 ,  段学玲 ,  王冠 ,  白海能

IPC: G01N27/12

Abstract: 本发明公开了一种ε‑MnO2/WO3异质结材料，为ε‑MnO2纳米片与WO3纳米颗粒混合而成，在WO3纳米颗粒上粘附有片状的ε‑MnO2纳米片，WO3纳米颗粒占ε‑MnO2/WO3异质结材料的质量比为5‑15％。还公开了该异质结材料的制备方法和在检测H2S气体中的应用，以及采用该异质结材料制成的ε‑MnO2/WO3异质结H2S气体传感器。ε‑MnO2/WO3异质结材料具有对H2S气体高度的敏感度和响应度，可用于制备室温下检测H2S气体的传感器。

公开(公告)号：CN114927578A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202210525889.X

申请日：2022-05-16

Applicant: 南京大学

Inventor： 郭慧 ,  王冠 ,  邵鹏飞 ,  巩贺贺 ,  叶建东 ,  王科 ,  刘斌 ,  陈敦军 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L29/88 ,  H01L29/267 ,  H01L29/24 ,  H01L29/207 ,  H01L29/20 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种p‑NiO或p‑LiNiO/n‑GaN异质结共振隧穿二极管，其结构包括：一衬底层；一生长于衬底层上的GaN层；一生长于GaN层上的n‑GaN层；一生长于n‑GaN层上的n+GaN层；一生长于n+GaN层上的n++GaN层；一生长于n++GaN层上的p++NiO层或者p++LiNiO层；一生长于p++NiO层上的p+NiO层；或者生长于p++Li NiO层上的p+LiNiO层；P型电极，设置在p+LiNiO层上；N型电极，设置在GaN层上。本发明器件结构中n++GaN与P++NiO的重掺杂使得pn异质结界面处的能带产生弯曲，使得零偏下p‑NiO的价带高于n‑GaN的导带，从而通过调节偏压实现载流子的共振隧穿。

公开(公告)号：CN115096949B

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202210559843.X

申请日：2022-05-23

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈敦军 ,  段学玲 ,  王冠 ,  白海能

IPC: G01N27/12

Abstract: 本发明公开了一种ε‑MnO2/WO3异质结材料，为ε‑MnO2纳米片与WO3纳米颗粒混合而成，在WO3纳米颗粒上粘附有片状的ε‑MnO2纳米片，WO3纳米颗粒占ε‑MnO2/WO3异质结材料的质量比为5‑15％。还公开了该异质结材料的制备方法和在检测H2S气体中的应用，以及采用该异质结材料制成的ε‑MnO2/WO3异质结H2S气体传感器。ε‑MnO2/WO3异质结材料具有对H2S气体高度的敏感度和响应度，可用于制备室温下检测H2S气体的传感器。