公开(公告)号：CN111564540A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN202010428517.6

申请日：2020-05-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘斌 ,  王栋栋 ,  陶涛 ,  谢自力 ,  周玉刚 ,  修向前 ,  陈鹏 ,  陈敦军 ,  张荣

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L23/544 ,  H01L27/15 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种一种高速InGaN多量子阱微纳LED发光器件阵列，在InGaN量子阱LED外延片上刻蚀形成蚀穿p型层、多量子阱层，深至n型层的纳米柱阵列，其特征在于：所述InGaN量子阱LED外延片分隔成四个区域，每个区域中的纳米柱阵列的直径一致，不同区域的纳米柱阵列的直径不同。并公开了其制备方法。本发明的高速InGaN多量子阱微纳LED发光器件阵列，在一个器件上划分成直径大小不同的四个区域，实现了不同直径和不同载流子寿命的微纳LED器件在同一衬底上的物理集成。器件自身的少数载流子寿命较小，响应速度更快，切换时间很短，因此可以作为响应时间短、刷新频率高的高速LED器件阵列。