公开(公告)号：CN110501773B

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201910806001.8

申请日：2019-08-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 袁如月 ,  陈敦军 ,  游海帆 ,  蔡青 ,  郭慧 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: G02B5/20 ,  G02B1/00 ,  H01L31/0232

Abstract: 本发明公开了一种应用于日盲光电探测器的AlN/Al0.5Ga0.5N多周期一维光子晶体滤波器，包括衬底，还包括生长在衬底上的两到三个周期性的AlN/Al0.5Ga0.5N/AlN结构，每个周期性的AlN/Al0.5Ga0.5N/AlN结构中，AlN/Al0.5Ga0.5N/AlN生长周期为33组。并公开了应用该光子晶体滤波器的日盲光电探测器。本发明的多周期叠加光子晶体滤波，与传统单周期AlN/AlGaN单周期光子晶体滤波器相比，实现了280‑320nm以及280‑340nm峰值反射率达到99％的宽阻带，是单周期最高阻带的2‑3倍，集成于日盲探测器上可提高日盲区与可见盲区的光电流响应抑制比等性能。

公开(公告)号：CN110501773A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910806001.8

申请日：2019-08-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 袁如月 ,  陈敦军 ,  游海帆 ,  蔡青 ,  郭慧 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: G02B5/20 ,  G02B1/00 ,  H01L31/0232

Abstract: 本发明公开了一种应用于日盲光电探测器的AlN/Al0.5Ga0.5N多周期一维光子晶体滤波器，包括衬底，还包括生长在衬底上的两到三个周期性的AlN/Al0.5Ga0.5N/AlN结构，每个周期性的AlN/Al0.5Ga0.5N/AlN结构中，AlN/Al0.5Ga0.5N/AlN生长周期为33组。并公开了应用该光子晶体滤波器的日盲光电探测器。本发明的多周期叠加光子晶体滤波，与传统单周期AlN/AlGaN单周期光子晶体滤波器相比，实现了280-320nm以及280-340nm峰值反射率达到99％的宽阻带，是单周期最高阻带的2-3倍，集成于日盲探测器上可提高日盲区与可见盲区的光电流响应抑制比等性能。