公开(公告)号：CN116825827A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310797064.8

申请日：2023-06-30

Applicant: 南京大学

Inventor： 何道伟 ,  谢嘉诚 ,  王欣然 ,  施毅 ,  吴云

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/40 ,  H01L29/24 ,  H01L29/861 ,  H01L21/44

Abstract: 本发明公开了一种过渡金属硫化物垂直结构二极管及其制备方法，所述二极管包括衬底、底电极、过渡金属硫化物薄膜和顶电极；所述顶电极接触层为金属锑；所述底电极在衬底上利用Grids铜网固定在衬底表面，然后蒸镀金属得到；该过渡金属硫化物垂直结构二极管，利用Grids铜网可以直接获得仪器精度级的表面洁净度，无其它杂质的引入，且表面平滑，这一优势能大程度的加强金属与半导体之间的接触，进而关态电流得到进一步的降低，明显改善了该垂直结构二极管的整流比。

公开(公告)号：CN116133440A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211654225.X

申请日：2022-12-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 何道伟 ,  曾俊鹏 ,  王欣然 ,  施毅 ,  谢嘉诚

IPC: H10K10/20 ,  H10K10/46 ,  H10K10/84 ,  H10K10/82 ,  H10K10/88 ,  H10K71/20 ,  H10K71/60

Abstract: 本发明公开了一种高频有机平面结构整流二极管，包括衬底、金属背栅、介电层、半导体沟道层、源/漏电极和聚合物封装层；其中，所述半导体沟道层为带有烷基侧链的有机小分子薄膜，且成膜后烷基侧链向外暴露；所述源/漏电极接触层为金属铂；所述源/漏电极单独制备好以后，覆盖聚合物封装层，然后将聚合物封装层和源/漏金属电极无损转移到半导体沟道层上，接触层铂与半导体沟道层有机小分子烷基侧链结合；该高频有机平面结构整流二极管实现了低工作电压下的高频性能，具有64MHz的最高整流特性，电压归一化整流频率达到25.6MHz/V，理论最高整流频率为0.13GHz。