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公开(公告)号：CN113897515B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111122535.2
申请日：2021-09-24
申请人： 扬州亚光电缆有限公司 , 南京工程学院
摘要： 本发明公开了一种航空航天用耐高温抗氧化镍基合金材料，包括以下质量百分含量的元素组分：Si：13.5~15.4%；Fe：1.5~3.9%；Ti：10.3~16.7%；C：0.1~0.4%；Al：2.2~5.8%；Ni：余量。本发明还公开了一种航空航天用耐高温抗氧化镍基合金材料的制备方法及其在航空航天用镍基合金中的应用。本发明的镍基合金材料具有特殊的微观结构，即晶粒外层由超细三维网状中间相层包裹。Ti4Ni4Si7相属于高致密度组织，一方面能够有效防止氧向材料内部扩散发生氧化。另一方面，相中活性元素Ti和Si能够夺取少量扩散进去的氧，形成稳定结合的氧化物，让该材料具有非常优异的抗氧化性能。
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公开(公告)号：CN113897515A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111122535.2
申请日：2021-09-24
申请人： 扬州亚光电缆有限公司 , 南京工程学院
摘要： 本发明公开了一种航空航天用耐高温抗氧化镍基合金材料，包括以下质量百分含量的元素组分：Si：13.5~15.4%；Fe：1.5~3.9%；Ti：10.3~16.7%；C：0.1~0.4%；Al：2.2~5.8%；Ni：余量。本发明还公开了一种航空航天用耐高温抗氧化镍基合金材料的制备方法及其在航空航天用镍基合金中的应用。本发明的镍基合金材料具有特殊的微观结构，即晶粒外层由超细三维网状中间相层包裹。Ti4Ni4Si7相属于高致密度组织，一方面能够有效防止氧向材料内部扩散发生氧化。另一方面，相中活性元素Ti和Si能够夺取少量扩散进去的氧，形成稳定结合的氧化物，让该材料具有非常优异的抗氧化性能。
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公开(公告)号：CN112415644B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202011329563.7
申请日：2020-11-24
申请人： 南京工程学院
摘要： 本发明公开了一种超轻量化C/C‑SiC空间反射镜，包括C/C复合材料、包埋于C/C复合材料表面的SiC梯度过渡层，以及设置在SiC梯度过渡层表面的石墨烯‑SiCNWs多维杂化增强CVD‑SiC涂层。本发明还公开了一种超轻量化C/C‑SiC空间反射镜的制备方法的应用。本发明在超轻C/C复合材料表面制备PC‑SiC过渡涂层，降低由于镜面CVD‑SiC涂层与C/C基体热膨胀失配产生的热应力，还通过一步CVD法在包埋SiC涂层表面生长石墨烯缠绕SiC纳米线增强体，即改善了SiCNWs与CVD‑SiC基体之间的界面结合，又借助了石墨烯优异的力学性能提高了单一SiCNWs增强CVD‑SiC光学涂层的效果。
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公开(公告)号：CN105483645B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201610028462.3
申请日：2016-01-18
申请人： 南京工程学院
IPC分类号： C23C16/32 , C23C16/455 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种制备竹节状SiC纳米线的方法，将打磨抛光烘干后的块状石墨材料置于沉积炉中，低压1kPa下通电升温至预定温度后，向装有甲基三氯硅烷的鼓泡瓶中通入载气氢气，将反应气源带入炉堂内进行反应。沉积结束后随炉冷却至室温，即可得到大量高纯竹节状SiC纳米线。本发明制备工艺简单，不需要预先合成工艺；沉积温度较低，降低了能耗和制备成本；制备的竹节状SiC纳米线纯度较高；可通过工艺参数的调节实现竹节状SiC纳米线的可控生长，易于实现工业生产；解决了现有技术中竹节状SiC纳米线制备工艺较为复杂、合成温度高、能耗大、成本高、产物难以控制的问题。
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公开(公告)号：CN105483645A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201610028462.3
申请日：2016-01-18
申请人： 南京工程学院
IPC分类号： C23C16/32 , C23C16/455 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC分类号： C23C16/325 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C16/455
摘要： 本发明公开了一种制备竹节状SiC纳米线的方法，将打磨抛光烘干后的块状石墨材料置于沉积炉中，低压1kPa下通电升温至预定温度后，向装有甲基三氯硅烷的鼓泡瓶中通入载气氢气，将反应气源带入炉堂内进行反应。沉积结束后随炉冷却至室温，即可得到大量高纯竹节状SiC纳米线。本发明制备工艺简单，不需要预先合成工艺；沉积温度较低，降低了能耗和制备成本；制备的竹节状SiC纳米线纯度较高；可通过工艺参数的调节实现竹节状SiC纳米线的可控生长，易于实现工业生产；解决了现有技术中竹节状SiC纳米线制备工艺较为复杂、合成温度高、能耗大、成本高、产物难以控制的问题。
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公开(公告)号：CN115611660A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211247998.6
申请日：2022-10-12
申请人： 南京工程学院
IPC分类号： C04B41/87
摘要： 本发明公开了一种C/C复合材料表面抗1600℃风洞燃气冲刷涂层，从内到外依次包括C/C复合材料、一层内层SiC纳米线增韧SiC涂层和至少两层外层SiC纳米线增韧SiC涂层；内层SiC纳米线增韧SiC涂层的厚度相当于外层SiC纳米线增韧SiC涂层的厚度的2倍。本发明还公开了一种C/C复合材料表面抗1600℃风洞燃气冲刷涂层的制备方法和应用。本发明在制备外层SiC纳米线增韧SiC涂层时，无需催化剂，在致密化、光滑的内层SiC纳米线增韧SiC涂层表面上原位生长出SiC纳米线，获得的涂层具有优异的抗动态氧化、耐高温燃气冲刷性能。
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公开(公告)号：CN110042344B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201910383564.0
申请日：2019-05-09
申请人： 南京工程学院
摘要： 本发明公开了复合材料技术领域的一种高导高强石墨烯铜基复合材料及其制备方法，旨在解决现有技术中需预先制备石墨烯造成生产效率低，石墨烯与铜直接复合后界面结合差且易出现裂纹、复合过程中石墨烯存在烧损和团聚的技术问题。本发明所述方法包括对铜基体的表面进行预处理，获得纳米晶表面；采用离子注入法将碳注入到铜基体表面，在铜基体表面得到碳的过饱和固溶体；将铜基体多次叠加或多次对折，通过压力成型的方法得到层状结构的铜基材料；将铜基材料加工成零件后进行再结晶退火处理。本发明所述方法无需预先制备石墨烯，石墨烯在基体中原位生长，提高了生产效率；石墨烯烧损少，且分散效果好，提高了铜基材料的综合性能。
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公开(公告)号：CN110042344A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910383564.0
申请日：2019-05-09
申请人： 南京工程学院
摘要： 本发明公开了复合材料技术领域的一种高导高强石墨烯铜基复合材料及其制备方法，旨在解决现有技术中需预先制备石墨烯造成生产效率低，石墨烯与铜直接复合后界面结合差且易出现裂纹、复合过程中石墨烯存在烧损和团聚的技术问题。本发明所述方法包括对铜基体的表面进行预处理，获得纳米晶表面；采用离子注入法将碳注入到铜基体表面，在铜基体表面得到碳的过饱和固溶体；将铜基体多次叠加或多次对折，通过压力成型的方法得到层状结构的铜基材料；将铜基材料加工成零件后进行再结晶退火处理。本发明所述方法无需预先制备石墨烯，石墨烯在基体中原位生长，提高了生产效率；石墨烯烧损少，且分散效果好，提高了铜基材料的综合性能。
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公开(公告)号：CN105648418A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610028463.8
申请日：2016-01-18
申请人： 南京工程学院
CPC分类号： C23C16/325 , B82Y40/00 , C23C16/44
摘要： 本发明公开了一种C/C复合材料表面制备SiC纳米线和纳米带的方法，将打磨抛光干燥后的C/C复合材料置于沉积炉中，低压2kPa下通电升温至预定温度后，向装有甲基三氯硅烷的鼓泡瓶中通入载气氢气，将反应气源带入炉堂内进行反应。沉积结束后随炉冷却至室温，即可得到大量高纯SiC纳米线和纳米带；本发明SiC纳米线和纳米带合成工艺简单，不需要预先合成工艺；沉积温度较低，降低了能耗和制备成本；制备的SiC纳米线和纳米带纯度较高；可通过工艺参数的调节实现SiC纳米线和纳米带的可控生长，易于实现工业生产，解决了现有技术中SiC纳米线和纳米带制备工艺较为复杂、合成温度高、能耗大、成本高、产物难以控制的问题。
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