IGBT器件剩余寿命预测方法及系统
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118625087A

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN202410772875.7

    申请日:2024-06-17

    Abstract: 本申请提供了IGBT器件剩余寿命预测方法和系统,包括:模拟IGBT器件功率循环老化的实验,根据所述实验采集导通压降历史数据,并根据所述导通压降历史数据,分别获取模型参数经验值和模型参数估计值;据当前运行状态,构造第一状态权重,并根据所述模型参数经验值和所述第一状态权重,对所述模型参数估计值进行平滑调整,得到参数修正结果;根据所述参数修正结果,建立状态转移方程,并根据所述状态转移方程对IGBT器件进行剩余寿命预测;采用本申请能够提高IGBT器件的剩余寿命预测的精确度。

    一种基于电流谐波的LED驱动电源结构优化方法及系统

    公开(公告)号:CN116050166A

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN202310101816.2

    申请日:2023-02-08

    Abstract: 本发明公开了一种基于电流谐波的LED驱动电源结构优化方法及系统,包括:根据LED端口电压和反激变换器的工作参数,获取变压器的一次侧电感的磁通序列和电流序列;其中,LED驱动电源结构包括不控整流电路、LC滤波电路和由变压器构成的反激变换器;遍历变压器的一次侧电感的磁通时间表达式中的每个时刻,并基于磁通序列和电流序列,查询得到各个遍历时刻的电流值,以构成电流表达式的时间序列;结合电流表达式的时间序列,计算得到LED端口电流谐波,并根据LED端口电流谐波,对LED驱动电源结构进行优化。本发明通过电感饱和特性分析,充分考虑由反激变换器变压器饱和引发的电流谐波问题,从而实现对LED驱动电源结构的优化。

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