公开(公告)号：CN111968907A

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN202010661636.6

申请日：2020-07-10

申请人： 南昌大学 ,  南昌硅基半导体科技有限公司

发明人： 莫春兰 ,  朱凯 ,  陈芳 ,  吴小明 ,  李新华 ,  江风益

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32

摘要： 本发明公开了一种氮极性Ⅲ族氮化物粗化方法，方法包括在硅衬底上生长Ⅲ族氮化物叠层，接着在氮化物叠层上制备包括高反射金属的金属叠层，在基板的正反面制备金属叠层，并采用晶圆热压键合方法将所述制备金属叠层的Ⅲ族氮化物叠层与基板键合在一起，之后用湿法腐蚀的方法去除所述硅衬底，露出氮极性Ⅲ族氮化物叠层的缓冲层AlN，从基板的上方对所述的Ⅲ族氮化物叠层表面进行干法刻蚀，采用氧等离子体对干法刻蚀后的表面进行处理，然后对该表面进行湿法粗化。本发明具有先进行表面处理再进行粗化、在不增加外延成本的情况下得到均匀的氮极性Ⅲ族氮化物粗化表面、工艺简单、最终提高产品可靠性的优点。

公开(公告)号：CN111968907B

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202010661636.6

申请日：2020-07-10

申请人： 南昌大学 ,  南昌硅基半导体科技有限公司

发明人： 莫春兰 ,  朱凯 ,  陈芳 ,  吴小明 ,  李新华 ,  江风益

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32

摘要： 本发明公开了一种氮极性Ⅲ族氮化物粗化方法，方法包括在硅衬底上生长Ⅲ族氮化物叠层，接着在氮化物叠层上制备包括高反射金属的金属叠层，在基板的正反面制备金属叠层，并采用晶圆热压键合方法将所述制备金属叠层的Ⅲ族氮化物叠层与基板键合在一起，之后用湿法腐蚀的方法去除所述硅衬底，露出氮极性Ⅲ族氮化物叠层的缓冲层AlN，从基板的上方对所述的Ⅲ族氮化物叠层表面进行干法刻蚀，采用氧等离子体对干法刻蚀后的表面进行处理，然后对该表面进行湿法粗化。本发明具有先进行表面处理再进行粗化、在不增加外延成本的情况下得到均匀的氮极性Ⅲ族氮化物粗化表面、工艺简单、最终提高产品可靠性的优点。