公开(公告)号：CN115642138A

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202211488224.2

申请日：2022-11-25

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 王豹子 ,  牟哲仪 ,  王立 ,  谢龙飞 ,  姚晨阳

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明公开了一种压接式IGBT模块，本发明在发射极电极和集电极电极之间的内腔内设置导电液结构体，在任一芯片失效时，芯片失效点与失效芯片的上钼片产生烧穿壳体的电弧，导电液从烧穿处流出，覆盖内腔内所有芯片及芯片周边空间，从而短接覆盖的导电结构，实现发射极电极和集电极电极的良好稳固性短路，使压接式IGBT模块具有稳定的长期短路失效功能。

公开(公告)号：CN115377013A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202211017577.4

申请日：2022-08-23

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 雷鸣 ,  姚二现 ,  牟哲仪

IPC: H01L23/04 ,  H01L23/10 ,  H01L23/24 ,  H01L25/07 ,  H01L29/739 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明提供一种模块密封壳体及高压IGBT模块，在不增加外壳的制造成本的基础上，改变外壳的局部结构，使外壳和环氧树脂的结合面积增加，从而消除环氧树脂和外密封性差的问题;在局部位置添加隔栅设计，减少硅胶的灌注量，降低制造成本。包括：基板、侧部外壳、盖板以及相应的模块组件，所述侧部外壳底部与基板密封连接；所述侧部外壳顶部与盖板密封连接；所述侧部外壳的内侧设有U形结构，所述U形结构靠近侧部外壳的一端为环氧树脂阻挡部，另一端为硅胶阻挡部，所述环氧树脂阻挡部的高度大于所述硅胶阻挡部，所述硅胶阻挡部之间的区域为硅胶灌注腔，所述硅胶灌注腔上方及所述环氧树脂阻挡部与硅胶阻挡部之间为环氧树脂灌注腔。

公开(公告)号：CN218585962U

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202222220448.7

申请日：2022-08-23

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 雷鸣 ,  姚二现 ,  牟哲仪

IPC: H01L23/04 ,  H01L23/10 ,  H01L23/24 ,  H01L25/07 ,  H01L29/739 ,  H01L23/00

Abstract: 本实用新型提供一种模块密封壳体及高压IGBT模块，在不增加外壳的制造成本的基础上，改变外壳的局部结构，使外壳和环氧树脂的结合面积增加，从而消除环氧树脂和外密封性差的问题;在局部位置添加隔栅设计，减少硅胶的灌注量，降低制造成本。包括：基板、侧部外壳、盖板以及相应的模块组件，所述侧部外壳底部与基板密封连接；所述侧部外壳顶部与盖板密封连接；所述侧部外壳的内侧设有U形结构，所述U形结构靠近侧部外壳的一端为环氧树脂阻挡部，另一端为硅胶阻挡部，所述环氧树脂阻挡部的高度大于所述硅胶阻挡部，所述硅胶阻挡部之间的区域为硅胶灌注腔，所述硅胶灌注腔上方及所述环氧树脂阻挡部与硅胶阻挡部之间为环氧树脂灌注腔。