公开(公告)号：CN113140617A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202110280013.9

申请日：2021-03-16

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 ,  南瑞集团有限公司

Inventor： 田亮 ,  施俊 ,  刘昊 ,  邱凯兵

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/822

Abstract: 本发明公开了半导体器件技术领域的一种大功率半导体器件及其制备方法，降低了裂片过程中出现碎片的几率，提高了产品的合格率和产量。包括：在芯片第一表面进行各功能模块的制作，然后在第一表面的划片道处制作第一埋层；在芯片第二表面进行各功能模块的制作，然后在第二表面上制作与第一埋层相对的第二埋层；对芯片进行裂片，使芯片沿第一埋层和第二埋层产生裂痕，进而分割成若干个独立的半导体器件。

公开(公告)号：CN113140617B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202110280013.9

申请日：2021-03-16

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 ,  南瑞集团有限公司

Inventor： 田亮 ,  施俊 ,  刘昊 ,  邱凯兵

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/822

Abstract: 本发明公开了半导体器件技术领域的一种大功率半导体器件及其制备方法，降低了裂片过程中出现碎片的几率，提高了产品的合格率和产量。包括：在芯片第一表面进行各功能模块的制作，然后在第一表面的划片道处制作第一埋层；在芯片第二表面进行各功能模块的制作，然后在第二表面上制作与第一埋层相对的第二埋层；对芯片进行裂片，使芯片沿第一埋层和第二埋层产生裂痕，进而分割成若干个独立的半导体器件。

公开(公告)号：CN113725199B

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202110850662.8

申请日：2021-07-27

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 邱凯兵 ,  童颜 ,  施俊 ,  刘昊 ,  田亮

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L23/367 ,  H01L23/473 ,  H02M1/00 ,  H02M7/00

Abstract: 本发明公开了一种低电感压接型半导体模块，包括：模块上桥臂P极、模块下桥臂N极、第一芯片漏极导体、第二芯片漏极导体、第一芯片源极导体（8）、第二芯片源极导体、承压限位结构、模块输出端和至少一组功率芯片单元组，所述功率芯片单元组包括第一功率芯片单元和第二功率芯片单元；模块上桥臂P极、第一芯片漏极导体、第一功率芯片单元、第一芯片源极导体、模块输出端依次相连；模块下桥臂N极、第二芯片源极导体、第二功率芯片单元、第二芯片漏极导体、模块输出端依次相连。优点：将芯片通过模块内部的结构设计连接，实现电流纵向、短距离的流动，进而实现低电感、低热阻，大电流，且具备桥式功能的半导体模块。

公开(公告)号：CN112951906B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202110098377.5

申请日：2021-01-25

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 邱凯兵 ,  施俊 ,  刘昊 ,  田亮

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种SiC绝缘栅双极型晶体管器件及其制造方法，晶体管器件包括设置于背面的金属集电极，从金属集电极开始依次布置有第一导电类型衬底、第一导电类型buffer层、第二导电类型集电极、第一导电类型漂移区，在第一导电类型衬底和第一导电类型buffer层中有若干个沟槽，沟槽穿透第一导电类型衬底层和第一导电类型buffer层，沟槽内的填充集电极穿透第一导电类型衬底和第一导电类型buffer后与第二导电类型集电极相连。本发明的SiC绝缘栅双极型晶体管结构通过背面深沟槽结构实现集电极金属与P型集电极连接，实现了用成熟N型衬底制备N沟道SiC IGBT器件的目标，有效降低了P型衬底带来的额外导通压降。

公开(公告)号：CN112951905B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202110096995.6

申请日：2021-01-25

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 邱凯兵 ,  施俊 ,  田亮 ,  刘昊

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种SiC逆导型绝缘栅双极型晶体管器件及其制造方法，晶体管器件包括金属集电极，从金属集电极开始依次布置有第一导电类型衬底、第一导电类型buffer层、第二导电类型集电极、第一导电类型漂移区；在第一导电类型衬底和第一导电类型buffer层中有若干个沟槽，沟槽穿透第一导电类型衬底层和第一导电类型buffer层，沟槽内的填充集电极穿透第一导电类型衬底和第一导电类型buffer后与第二导电类型集电极相连；所述第二导电类型集电极是相互分离的阵列结构，各第二导电类型集电极与所述沟槽相对应。本发明的晶体管器件，将续流二极管集成到SiC IGBT中，降低电路寄生参数的同时，提高芯片面积利用率。

公开(公告)号：CN113725199A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202110850662.8

申请日：2021-07-27

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 邱凯兵 ,  童颜 ,  施俊 ,  刘昊 ,  田亮

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L23/367 ,  H01L23/473 ,  H02M1/00 ,  H02M7/00

Abstract: 本发明公开了一种低电感压接型半导体模块，包括：模块上桥臂P极、模块下桥臂N极、第一芯片漏极导体、第二芯片漏极导体、第一芯片源极导体（8）、第二芯片源极导体、承压限位结构、模块输出端和至少一组功率芯片单元组，所述功率芯片单元组包括第一功率芯片单元和第二功率芯片单元；模块上桥臂P极、第一芯片漏极导体、第一功率芯片单元、第一芯片源极导体、模块输出端依次相连；模块下桥臂N极、第二芯片源极导体、第二功率芯片单元、第二芯片漏极导体、模块输出端依次相连。优点：将芯片通过模块内部的结构设计连接，实现电流纵向、短距离的流动，进而实现低电感、低热阻，大电流，且具备桥式功能的半导体模块。

公开(公告)号：CN112951905A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202110096995.6

申请日：2021-01-25

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 邱凯兵 ,  施俊 ,  田亮 ,  刘昊

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种SiC逆导型绝缘栅双极型晶体管器件及其制造方法，晶体管器件包括金属集电极，从金属集电极开始依次布置有第一导电类型衬底、第一导电类型buffer层、第二导电类型集电极、第一导电类型漂移区；在第一导电类型衬底和第一导电类型buffer层中有若干个沟槽，沟槽穿透第一导电类型衬底层和第一导电类型buffer层，沟槽内的填充集电极穿透第一导电类型衬底和第一导电类型buffer后与第二导电类型集电极相连；所述第二导电类型集电极是相互分离的阵列结构，各第二导电类型集电极与所述沟槽相对应。本发明的晶体管器件，将续流二极管集成到SiC IGBT中，降低电路寄生参数的同时，提高芯片面积利用率。

公开(公告)号：CN112951906A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202110098377.5

申请日：2021-01-25

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 邱凯兵 ,  施俊 ,  刘昊 ,  田亮

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种SiC绝缘栅双极型晶体管器件及其制造方法，晶体管器件包括设置于背面的金属集电极，从金属集电极开始依次布置有第一导电类型衬底、第一导电类型buffer层、第二导电类型集电极、第一导电类型漂移区，在第一导电类型衬底和第一导电类型buffer层中有若干个沟槽，沟槽穿透第一导电类型衬底层和第一导电类型buffer层，沟槽内的填充集电极穿透第一导电类型衬底和第一导电类型buffer后与第二导电类型集电极相连。本发明的SiC绝缘栅双极型晶体管结构通过背面深沟槽结构实现集电极金属与P型集电极连接，实现了用成熟N型衬底制备N沟道SiC IGBT器件的目标，有效降低了P型衬底带来的额外导通压降。