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公开(公告)号：CN113140617B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202110280013.9
申请日：2021-03-16
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 南瑞集团有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/822
Abstract: 本发明公开了半导体器件技术领域的一种大功率半导体器件及其制备方法，降低了裂片过程中出现碎片的几率，提高了产品的合格率和产量。包括：在芯片第一表面进行各功能模块的制作，然后在第一表面的划片道处制作第一埋层；在芯片第二表面进行各功能模块的制作，然后在第二表面上制作与第一埋层相对的第二埋层；对芯片进行裂片，使芯片沿第一埋层和第二埋层产生裂痕，进而分割成若干个独立的半导体器件。
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公开(公告)号：CN112951906A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110098377.5
申请日：2021-01-25
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种SiC绝缘栅双极型晶体管器件及其制造方法，晶体管器件包括设置于背面的金属集电极，从金属集电极开始依次布置有第一导电类型衬底、第一导电类型buffer层、第二导电类型集电极、第一导电类型漂移区，在第一导电类型衬底和第一导电类型buffer层中有若干个沟槽，沟槽穿透第一导电类型衬底层和第一导电类型buffer层，沟槽内的填充集电极穿透第一导电类型衬底和第一导电类型buffer后与第二导电类型集电极相连。本发明的SiC绝缘栅双极型晶体管结构通过背面深沟槽结构实现集电极金属与P型集电极连接，实现了用成熟N型衬底制备N沟道SiC IGBT器件的目标，有效降低了P型衬底带来的额外导通压降。
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公开(公告)号：CN113725199B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202110850662.8
申请日：2021-07-27
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/48 , H01L23/367 , H01L23/473 , H02M1/00 , H02M7/00
Abstract: 本发明公开了一种低电感压接型半导体模块，包括：模块上桥臂P极、模块下桥臂N极、第一芯片漏极导体、第二芯片漏极导体、第一芯片源极导体（8）、第二芯片源极导体、承压限位结构、模块输出端和至少一组功率芯片单元组，所述功率芯片单元组包括第一功率芯片单元和第二功率芯片单元；模块上桥臂P极、第一芯片漏极导体、第一功率芯片单元、第一芯片源极导体、模块输出端依次相连；模块下桥臂N极、第二芯片源极导体、第二功率芯片单元、第二芯片漏极导体、模块输出端依次相连。优点：将芯片通过模块内部的结构设计连接，实现电流纵向、短距离的流动，进而实现低电感、低热阻，大电流，且具备桥式功能的半导体模块。
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公开(公告)号：CN113488542B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202110726765.3
申请日：2021-06-29
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种沟槽型SiC MOSFET器件及其制备方法，通过在沟槽型SiC MOSFET器件中引入柱区电场调制结构，可有效舒缓沟槽底部电场分布，消除电场聚集效应，还可屏蔽栅氧内电场强度，降低栅氧内电场强度，避免栅氧击穿，从而防止器件过早击穿烧毁、提升器件可靠性。此外，本发明的器件结构和制备方法简单，效果显著，可实现高性能、批量化沟槽型SiC MOSFET器件制备生产，具有巨大的市场潜力与广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN113725199A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110850662.8
申请日：2021-07-27
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/48 , H01L23/367 , H01L23/473 , H02M1/00 , H02M7/00
Abstract: 本发明公开了一种低电感压接型半导体模块，包括：模块上桥臂P极、模块下桥臂N极、第一芯片漏极导体、第二芯片漏极导体、第一芯片源极导体（8）、第二芯片源极导体、承压限位结构、模块输出端和至少一组功率芯片单元组，所述功率芯片单元组包括第一功率芯片单元和第二功率芯片单元；模块上桥臂P极、第一芯片漏极导体、第一功率芯片单元、第一芯片源极导体、模块输出端依次相连；模块下桥臂N极、第二芯片源极导体、第二功率芯片单元、第二芯片漏极导体、模块输出端依次相连。优点：将芯片通过模块内部的结构设计连接，实现电流纵向、短距离的流动，进而实现低电感、低热阻，大电流，且具备桥式功能的半导体模块。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112951905A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110096995.6
申请日：2021-01-25
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种SiC逆导型绝缘栅双极型晶体管器件及其制造方法，晶体管器件包括金属集电极，从金属集电极开始依次布置有第一导电类型衬底、第一导电类型buffer层、第二导电类型集电极、第一导电类型漂移区；在第一导电类型衬底和第一导电类型buffer层中有若干个沟槽，沟槽穿透第一导电类型衬底层和第一导电类型buffer层，沟槽内的填充集电极穿透第一导电类型衬底和第一导电类型buffer后与第二导电类型集电极相连；所述第二导电类型集电极是相互分离的阵列结构，各第二导电类型集电极与所述沟槽相对应。本发明的晶体管器件，将续流二极管集成到SiC IGBT中，降低电路寄生参数的同时，提高芯片面积利用率。
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公开(公告)号：CN112951906B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202110098377.5
申请日：2021-01-25
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种SiC绝缘栅双极型晶体管器件及其制造方法，晶体管器件包括设置于背面的金属集电极，从金属集电极开始依次布置有第一导电类型衬底、第一导电类型buffer层、第二导电类型集电极、第一导电类型漂移区，在第一导电类型衬底和第一导电类型buffer层中有若干个沟槽，沟槽穿透第一导电类型衬底层和第一导电类型buffer层，沟槽内的填充集电极穿透第一导电类型衬底和第一导电类型buffer后与第二导电类型集电极相连。本发明的SiC绝缘栅双极型晶体管结构通过背面深沟槽结构实现集电极金属与P型集电极连接，实现了用成熟N型衬底制备N沟道SiC IGBT器件的目标，有效降低了P型衬底带来的额外导通压降。
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公开(公告)号：CN113571584B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202110746585.1
申请日：2021-07-01
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种SiC MOSFET器件及其制备方法，其SiC MOSFET器件包括第一掺杂类型的重掺杂的衬底、第一掺杂类型的轻掺杂的第一外延层、第二掺杂类型的电场调制区、第一掺杂类型的轻掺杂的第二外延层、第二掺杂类型的阱区、第二掺杂类型的接触区、第一掺杂类型的源区、栅沟槽、栅介质层、第一掺杂类型的多晶硅层、源极欧姆接触层、漏极欧姆接触层、栅极电极、源极电极、漏极电极、钝化层，本发明通过引入电场调制区，可有效调制器件内部电场，消除沟槽底部的电场聚集效应，还可降低沟槽底部栅氧中的电场强度，避免栅氧击穿，从而可防止器件过早击穿烧毁，提升器件可靠性。此外，制备方法与现有制备方法兼容，具有巨大的市场潜力与广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN113140617A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110280013.9
申请日：2021-03-16
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 南瑞集团有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/822
Abstract: 本发明公开了半导体器件技术领域的一种大功率半导体器件及其制备方法，降低了裂片过程中出现碎片的几率，提高了产品的合格率和产量。包括：在芯片第一表面进行各功能模块的制作，然后在第一表面的划片道处制作第一埋层；在芯片第二表面进行各功能模块的制作，然后在第二表面上制作与第一埋层相对的第二埋层；对芯片进行裂片，使芯片沿第一埋层和第二埋层产生裂痕，进而分割成若干个独立的半导体器件。
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公开(公告)号：CN112951905B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202110096995.6
申请日：2021-01-25
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种SiC逆导型绝缘栅双极型晶体管器件及其制造方法，晶体管器件包括金属集电极，从金属集电极开始依次布置有第一导电类型衬底、第一导电类型buffer层、第二导电类型集电极、第一导电类型漂移区；在第一导电类型衬底和第一导电类型buffer层中有若干个沟槽，沟槽穿透第一导电类型衬底层和第一导电类型buffer层，沟槽内的填充集电极穿透第一导电类型衬底和第一导电类型buffer后与第二导电类型集电极相连；所述第二导电类型集电极是相互分离的阵列结构，各第二导电类型集电极与所述沟槽相对应。本发明的晶体管器件，将续流二极管集成到SiC IGBT中，降低电路寄生参数的同时，提高芯片面积利用率。
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