-
公开(公告)号：CN114703526A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210632100.0
申请日：2022-06-07
申请人： 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 宁夏海力电子有限公司
摘要： 本发明涉及汽车电子用高比容低压电极箔的制备方法，包括以下步骤：首先对腐蚀箔依序执行一级化成、二级化成、三级化成以及四级化成操作，且单次化成执行中均分别对所用电压、温度、时间以及化成液组分、配比进行调整，且一级化成时加入胺类处理液，以大幅度地提升成型氧化膜中氧化铝结晶的含量，随后，将化成箔多次浸于磷酸盐溶液中执行后处理操作，以对成型氧化膜上残存的瑕疵点进行修复。如此一来，不但可有效地提升电极箔的水煮寿命，而且还为铝电极箔电比容的大幅度提升了作良好的铺垫。
-
公开(公告)号：CN114703526B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210632100.0
申请日：2022-06-07
申请人： 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 宁夏海力电子有限公司
摘要： 本发明涉及汽车电子用高比容低压电极箔的制备方法，包括以下步骤：首先对腐蚀箔依序执行一级化成、二级化成、三级化成以及四级化成操作，且单次化成执行中均分别对所用电压、温度、时间以及化成液组分、配比进行调整，且一级化成时加入胺类处理液，以大幅度地提升成型氧化膜中氧化铝结晶的含量，随后，将化成箔多次浸于磷酸盐溶液中执行后处理操作，以对成型氧化膜上残存的瑕疵点进行修复。如此一来，不但可有效地提升电极箔的水煮寿命，而且还为铝电极箔电比容的大幅度提升了作良好的铺垫。
-
公开(公告)号：CN113764192B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202111086186.3
申请日：2021-09-16
申请人： 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 宁夏海力电子有限公司
摘要： 本发明涉及一种电极箔接箔工装，其由承载主体和铆接功能部构成。承载主体包括承托底板、压框。铆接功能部包括穿刺针单元、刺铆板以及滚压组件。刺铆板嵌设于承托底板内。正对应于刺铆板，由承托底板的底壁向内延伸出有一可供穿刺针单元自由地穿入刺铆板的避让凹槽。滚压组件和刺铆板相配套，协同作用以将因穿刺针单元作用而在预对接两电极箔上所形成的翻花反复地滚压碾平。当预对接两电极箔接头相对于刺铆板被放置到位后，压框直接扣盖于承托底板以实现对预对接两电极箔的同时压紧。在针对预对接两电极箔执行刺破翻花操作进程中，预对接两电极箔接头即便受到穿刺针单元冲击势能的作用亦可有效地保证相互之间的错位偏差量控制在允许值范围内。
-
公开(公告)号：CN113764192A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111086186.3
申请日：2021-09-16
申请人： 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 宁夏海力电子有限公司
摘要： 本发明涉及一种电极箔接箔工装，其由承载主体和铆接功能部构成。承载主体包括承托底板、压框。铆接功能部包括穿刺针单元、刺铆板以及滚压组件。刺铆板嵌设于承托底板内。正对应于刺铆板，由承托底板的底壁向内延伸出有一可供穿刺针单元自由地穿入刺铆板的避让凹槽。滚压组件和刺铆板相配套，协同作用以将因穿刺针单元作用而在预对接两电极箔上所形成的翻花反复地滚压碾平。当预对接两电极箔接头相对于刺铆板被放置到位后，压框直接扣盖于承托底板以实现对预对接两电极箔的同时压紧。在针对预对接两电极箔执行刺破翻花操作进程中，预对接两电极箔接头即便受到穿刺针单元冲击势能的作用亦可有效地保证相互之间的错位偏差量控制在允许值范围内。
-
公开(公告)号：CN110783107A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201911082432.0
申请日：2019-11-07
申请人： 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 四川中雅科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种高机械性能低压电极箔的制造方法，将铝箔在进行多级电解腐蚀后，再经过45℃的浓度为2wt%硝酸浸泡处理3分钟，硝酸处理后的铝箔通过40℃~50℃的0.5wt%~1wt%三乙烯二胺溶液浸泡处理2分钟，然后经过300℃~350℃的烘箱进行一级热处理1分钟；出一级热处理后，再经过40℃~50℃的0.2wt%~0.5wt%三乙烯二胺溶液浸泡处理2分钟，然后经过400℃~450℃的烘箱进行二级热处理1分钟；出二级热处理后，经过两级常温纯水浸泡处理，每级处理2分钟，再经过450℃~500℃的烘箱进行三级热处理1分钟，最终完成生产。本发明具有能够大幅提升电极箔机械性能，改善氧化膜结构，极大降低电极箔漏电流，提升产品使用寿命，满足小型化产品应用需求的优点。
-
公开(公告)号：CN113764191B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202111074363.6
申请日：2021-09-14
申请人： 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 四川中雅科技有限公司
摘要： 一种抑制Al（OH）3结晶生成的低压电极箔制造方法，包括步骤S1：将铝箔进行多级电解腐蚀；步骤S2：将铝箔置于0.4%‑1.2%氨水和0.06%‑0.24%酒石酸混合溶液，反应温度为35~65℃，反应时间为3~5min；步骤S3：将得到的铝箔清洗烘干。本发明采用氨水和酒石酸混合溶液的后处理方式，在有效提升容量的同时，减缓结晶析出速率，设备连续运行时间可提升30%。
-
公开(公告)号：CN113504410B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202111067650.4
申请日：2021-09-13
申请人： 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 四川中雅科技有限公司
IPC分类号： G01R27/02
摘要： 本发明公开一种铝电解电容器用电极箔接触电阻的测量方法，将制好的待测电极箔样品使用场效应成像方法测试，同时在场效应样品测试台上放置已知电阻的样品作为参照样本，一起场效应成像；成像后得到待测样品和参照样品的图像，观察待测电极箔样品与已知电阻样品的电阻分布，对图像利用灰度值进行数字化处理，同时对比参照样品成像的明暗度，形成函数关系，将待测试样品的图像数字化转化成对应电阻数据。该测量方法对测试样品没有物理损伤，有利于测量的重复性和再现性，从明暗度关系可以直观体现铆接范围内接触电阻的分布，为分析和改善接触电阻提供了方向，进而用于分析接触电阻不良的原因和工艺改善，有利于工艺制程的提升。
-
公开(公告)号：CN110783107B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201911082432.0
申请日：2019-11-07
申请人： 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 四川中雅科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种高机械性能低压电极箔的制造方法，将铝箔在进行多级电解腐蚀后，再经过45℃的浓度为2wt%硝酸浸泡处理3分钟，硝酸处理后的铝箔通过40℃~50℃的0.5wt%~1wt%三乙烯二胺溶液浸泡处理2分钟，然后经过300℃~350℃的烘箱进行一级热处理1分钟；出一级热处理后，再经过40℃~50℃的0.2wt%~0.5wt%三乙烯二胺溶液浸泡处理2分钟，然后经过400℃~450℃的烘箱进行二级热处理1分钟；出二级热处理后，经过两级常温纯水浸泡处理，每级处理2分钟，再经过450℃~500℃的烘箱进行三级热处理1分钟，最终完成生产。本发明具有能够大幅提升电极箔机械性能，改善氧化膜结构，极大降低电极箔漏电流，提升产品使用寿命，满足小型化产品应用需求的优点。
-
公开(公告)号：CN113504410A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202111067650.4
申请日：2021-09-13
申请人： 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 四川中雅科技有限公司
IPC分类号： G01R27/02
摘要： 本发明公开一种铝电解电容器用电极箔接触电阻的测量方法，将制好的待测电极箔样品使用场效应成像方法测试，同时在场效应样品测试台上放置已知电阻的样品作为参照样本，一起场效应成像；成像后得到待测样品和参照样品的图像，观察待测电极箔样品与已知电阻样品的电阻分布，对图像利用灰度值进行数字化处理，同时对比参照样品成像的明暗度，形成函数关系，将待测试样品的图像数字化转化成对应电阻数据。该测量方法对测试样品没有物理损伤，有利于测量的重复性和再现性，从明暗度关系可以直观体现铆接范围内接触电阻的分布，为分析和改善接触电阻提供了方向，进而用于分析接触电阻不良的原因和工艺改善，有利于工艺制程的提升。
-
公开(公告)号：CN113764191A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111074363.6
申请日：2021-09-14
申请人： 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 四川中雅科技有限公司
摘要： 一种抑制Al（OH）3结晶生成的低压电极箔制造方法，包括步骤S1：将铝箔进行多级电解腐蚀；步骤S2：将铝箔置于0.4%‑1.2%氨水和0.06%‑0.24%酒石酸混合溶液，反应温度为35~65℃，反应时间为3~5min；步骤S3：将得到的铝箔清洗烘干。本发明采用氨水和酒石酸混合溶液的后处理方式，在有效提升容量的同时，减缓结晶析出速率，设备连续运行时间可提升30%。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
14 条记录 (耗时 0.064 秒)