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公开(公告)号：CN113333374B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202110649489.5
申请日：2021-06-10
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种石墨盘的清洗方法，包括：提供一石墨盘，所述石墨盘的表面具有待去除的沉积物，所述沉积物包括高Al组分的化合物；以及，采用碱性溶液清洗、Cl2氛围下高温烘烤、HCl氛围下高温烘烤以及H2氛围下高温烘烤的方法中的至少两种去除所述沉积物。本发明的技术方案能够有效去除石墨盘表面的包括高Al组分的化合物的沉积物，避免影响后续生长的外延质量，进而避免影响发光二极管的性能。
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公开(公告)号：CN115621372A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202110796299.6
申请日：2021-07-14
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/268 , H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种激光剥离LED外延衬底的设备及方法，在激光剥离时可采用盖板压紧LED晶圆，改善了LED晶圆的翘曲问题，使得LED晶圆被平整地固定在承载台上，避免激光扫描时LED晶圆上的某些位置的离焦问题，从而减少激光扫描过程中焦点调整的时间，提高了生产效率，并且可以避免激光扫描时晶圆翘曲位置应力实现时出现裂纹现象，提高了生产良率；由于盖板能够透射紫外光，不会影响紫外波段的激光光束透过。
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公开(公告)号：CN113333374A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110649489.5
申请日：2021-06-10
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种石墨盘的清洗方法，包括：提供一石墨盘，所述石墨盘的表面具有待去除的沉积物，所述沉积物包括高Al组分的化合物；以及，采用碱性溶液清洗、Cl2氛围下高温烘烤、HCl氛围下高温烘烤以及H2氛围下高温烘烤的方法中的至少两种去除所述沉积物。本发明的技术方案能够有效去除石墨盘表面的包括高Al组分的化合物的沉积物，避免影响后续生长的外延质量，进而避免影响发光二极管的性能。
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公开(公告)号：CN215050677U
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202120852390.0
申请日：2021-04-23
申请人： 杭州士兰明芯科技有限公司 , 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/448 , C23C16/455
摘要： 本实用新型公开了一种基于MOCVD设备的金属有机源输送管道系统，包括与MOCVD设备上配备的多个金属有机源存储装置一一对应布置的输送管道，每个输送管道分别用于将其对应的一个金属有机源存储装置的出口单独连接至MOCVD设备的反应室，且每个输送管道上均设置有第一开闭阀门。在实际应用过程中，由于各个输送管道与反应室单独连接，继而各个输送管道在每次使用时仅流经携带有同一种金属有机源的载气，相比于传统的金属有机源存储装置共用传输管道的方式，避免了输送管道内残留上次使用的载气所携带的金属有机源导致管道交叉污染的问题。
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