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公开(公告)号：CN116676663A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310542612.2
申请日：2023-05-15
申请人： 厦门大学
摘要： 本发明涉及半导体生长技术领域，特别涉及一种悬空二维材料的非衬底耦合低密度外延方法及外延结构。其中，一种悬空二维材料的非衬底耦合低密度外延方法，关键技术如下：提供介质衬底，通过刻蚀形成大范围占空比与高纵向孔深的均匀规则化镂空衬底；通过雾化无损干转移法将二维材料层转移并利用占沿表面张力覆盖于镂空衬底表面；其中空孔部分形成下方非衬底耦合的悬空二维薄膜外延区；将悬空非耦合衬底放入半导体材料生长反应腔中，采用先预成核后高迁移外延的二步模式循环生长，利用悬空非衬底耦合区表面的高迁移率，外延低密度高质量半导体薄膜。本发明可以获得低密度高质量的半导体外延薄膜，制备方法简单，省时高效，具有广阔的工业化前景。
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公开(公告)号：CN113380603B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110541046.4
申请日：2021-05-18
申请人： 厦门大学
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明公开了高硼组分二维III族多元氮化物混合晶体及其制备方法。该方法为低压化学气相沉积方法，设置级联式递进三温区结构，并于中段梯度温区进行加速混晶分子的气相预替位，实现高效可控二维混晶。本发明制备的高硼组分二维III族多元氮化物混合晶体表面平整性好，用于器件结构中的层间匹配度高，混合晶体中的硼组分高；可作为优良衬底用于制备高质量InAlGaN等多元氮化物半导体，制备性能优良的中子探测器、深紫外LED、深紫外探测器；可广泛应用于紫外固化光源、紫外光通信、紫外空气净化、紫外医疗、紫外水净化、紫外光解油烟等领域。
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公开(公告)号：CN114383821A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111665174.6
申请日：2021-12-30
申请人： 厦门大学
摘要： 本发明提出了基于三维成像的微小尺寸LED芯片测试系统，其构成包括压电驱控六轴探针台、马达驱控器、支架、底座、显微相机、信号采集器、光纤光谱仪、积分球、载物台、数显加热台、数字源表和计算机；本发明压电驱控六轴台以小步进发生位移，同步结合三维显微成像实现探针与芯片的精准定位，所述三维成像包括正面和截面显微成像，根据观测到的成像可以对探针与芯片的局部接触进行全方位控制；微芯片阵列在不同工作区间的整体出射光强度、光谱分布信息及电学特性，可通过数字源表光纤光谱仪、积分球、载物台、数显加热台、数字源表和计算机等测量组件获得，特别是运用机器视觉对图像的深度处理，有效实现了对高密度微LED阵列中单元器件发光均匀性的快速识辨及分析。
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公开(公告)号：CN116752117A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310635975.0
申请日：2023-05-31
申请人： 厦门大学
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/448
摘要： 本发明涉及二维材料领域，特别涉及一种具有层间垂直电输运通道的二维材料的制备方法，步骤如下，在气态状态下营造出第一本征主原子过饱和环境，同时使第二本征主原子处于非饱和状态；在气流通路中引入包含垂直pz价电子轨道的掺杂源，使掺杂源取代所述非饱和的第二本征主原子，与所述饱和的第一本征主原子的pz轨道发生强烈耦合杂化，激活所述饱和的第一本征主原子的pz轨道在垂直方向的延伸，形成层间垂直电输运通道。本发明工艺简单，能与当前的微纳加工技术形成良好的兼容性，并且产量较高，薄膜质量优异，垂直导电通道可在室温下稳定存在，二次移植使用性较强，可拓展二维材料、特别是二维半导体材料在新型垂直结构电子器件中的应用。
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公开(公告)号：CN116685192A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310677339.4
申请日：2023-06-08
申请人： 厦门大学
摘要： 本发明涉及忆阻器制备技术领域，特别涉及一种铜芯‑介质层径向核壳网络忆阻器，步骤如下：在二氧化硅晶片衬底表面制备叉指电极；将铜纳米线转移至制备了叉指电极的二氧化硅晶片衬底表面上；将二氧化硅晶片衬底及负载的二氧化硅晶片与铜纳米线整体进行退火处理；退火完成后通入的O2气体进行原位快速氧化，即完成制备。本发明提供的铜芯‑介质层径向核壳网络忆阻器为平行结构，介质层位于左电极、右电极之间，相较于垂直结构的常规忆阻器，制备工艺简单,可以一次性制备任意规模的器件。同时，铜纳米线合成之后再经由转移工艺转移到衬底上，使得器件的密度更为可控，最终质量及性能更好，能够应用与未来的大规模存储阵列集成。
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公开(公告)号：CN113838945A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111074450.1
申请日：2021-09-14
申请人： 厦门大学
IPC分类号： H01L31/108 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种具有界面激子的窄带光电探测器及其制作方法，本发明提出的具有窄带光谱响应的光电探测器基于半导体激子源层材料中的激子效应，光电探测器中的半导体激子源层与两个独立的电极中至少有一个存在界面势垒，从而形成界面激子限制层，界面激子限制层使得半导体激子源层中的激子可以在室温下稳定存在，最后在内部电场或者外部电场的驱动下形成光电流。本发明结构简单，不受器件的具体结构干扰，调控电极与半导体激子源层之间的界面势垒，在外部电场下，短寿命的非激子粒子复合，长寿命的具有固定能量的激子分离形成电信号，可提升光电探测器的光谱响应精度。
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公开(公告)号：CN113380603A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110541046.4
申请日：2021-05-18
申请人： 厦门大学
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明公开了高硼组分二维III族多元氮化物混合晶体及其制备方法。该方法为低压化学气相沉积方法，设置级联式递进三温区结构，并于中段梯度温区进行加速混晶分子的气相预替位，实现高效可控二维混晶。本发明制备的高硼组分二维III族多元氮化物混合晶体表面平整性好，用于器件结构中的层间匹配度高，混合晶体中的硼组分高；可作为优良衬底用于制备高质量InAlGaN等多元氮化物半导体，制备性能优良的中子探测器、深紫外LED、深紫外探测器；可广泛应用于紫外固化光源、紫外光通信、紫外空气净化、紫外医疗、紫外水净化、紫外光解油烟等领域。
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