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公开(公告)号：CN116322074A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310064761.2
申请日：2023-01-12
摘要： 本发明涉及钙钛矿光电器件技术领域，特别涉及一种含磷物质体相修饰电子传输层的钙钛矿光电器件及其制备方法。该含磷物质体相修饰电子传输层的钙钛矿光电器件包括依次叠加的导电衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层以及背电极；所述电子传输层材质为体相掺杂有磷元素的电子传输材料。本发明采用含磷物质体相修饰电子传输层制备钙钛矿光电器件，通过含磷物质体相修饰电子传输层设计，可以有效地减少钙钛矿光电器件中电子传输层体相、界面中的缺陷，从而可以有效地降低钙钛矿光电器件的非辐射复合，提高器件的光电性能及稳定性。
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公开(公告)号：CN116056535A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310063788.X
申请日：2023-01-12
摘要： 本发明涉及钙钛矿光电器件技术领域，特别涉及一种电子传输层、红外热处理制备电子传输层的方法、钙钛矿光电器件及其制备方法。该红外热处理制备电子传输层的方法包括以下制备步骤：将电子传输材料前驱液涂覆到基底上形成涂层，而后采用近红外辐射涂层以完成加热退火处理，制得电子传输层。本发明采用近红外辐射加热退火方式，不会出现传统热板退火容易出现的随着模组面积增大导致电子传输层受热不均，从而影响电子传输层质量的情况；制得的电子传输层结构致密无孔洞，厚度均匀可控，增强了钙钛矿吸光层结晶性和钙钛矿晶粒尺寸分布均匀性，从而提高了钛矿光电器件的光电性能和稳定性，具有低生产成本、高效率、工艺简便、可控性和可重复性高的优点。
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公开(公告)号：CN116322233A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310063984.7
申请日：2023-01-12
摘要： 本发明涉及钙钛矿光电器件技术领域，特别涉及一种电子传输层、近红外预热处理基底制备电子传输层的方法、钙钛矿光电器件及其制备方法。该近红外预热处理基底制备电子传输层的方法包括以下制备步骤：先将基底预热，而后将电子传输层前驱液涂覆于预热完成的基底上形成涂层，对涂层进行加热退火处理，制得电子传输层；通过将电子传输材料于溶剂中均匀分散制得电子传输层前驱液，电子传输材料为n型半导体氧化物。本发明采用基底预热的方法，改善基底对电子传输层前驱体的浸润性，制得的电子传输层致密无孔洞，厚度均匀且可控，能够有效减少电子传输层制备过程中的缺陷和孔洞，改善电子传输层和钙钛矿吸光层的界面缺陷，提高器件的光电性能。
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公开(公告)号：CN118164860A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410281537.3
申请日：2024-03-11
申请人： 嘉庚创新实验室
IPC分类号： C07C211/55 , H10K85/60 , H10K30/50
摘要： 本申请涉及用于空穴传输层的添加剂以及钙钛矿太阳能电池，该添加剂为具有以下式(I)的化合物。该带有不饱和键(碳碳双键或者碳碳三键)的三苯胺衍生物用作空穴传输层的添加剂时，能够有效调控钙钛矿光伏器件中空穴传输层体相和界面的光电性质：促进空穴传输层中载流子的提取和输运能力；钝化钙钛矿层上表面缺陷，有效减少非辐射复合；提高空穴传输层与对电极界面的结合力，抑制界面离子迁移；且制备工艺简单，所组装太阳能电池的效率高，重复性好，稳定性也有明显提升，具有良好的工业应用价值。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN116332798B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202310297960.8
申请日：2023-03-24
申请人： 嘉庚创新实验室
IPC分类号： C07C257/12 , C07D207/267 , C07C231/12 , C07C233/05 , C07C315/04 , C07C317/04 , C07D239/10 , H10K85/60 , H10K30/00 , H10K85/50
摘要： 本申请涉及制备钙钛矿材料的方法以及中间体材料。该中间体材料根据键合分子的不同具有两种类型，其一包括BX2和键合分子，其中，B为二价无机阳离子，X为卤素阴离子，所述键合分子为具有氧代基团的化合物，所述键合分子的DN*值大于β值；其二包括ABX3和键合分子，其中，所述键合分子为具有氧代基团的化合物，所述键合分子的DN*值小于或等于β值。使用该中间体材料来制备钙钛矿材料时，能够消除AX和BX2之间的计量比误差，同时也消除了ABX3与添加剂之间的计量比误差，稳固了前驱体的组分比例，提高了钙钛矿材料的纯度，有助于提高薄膜的质量以
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公开(公告)号：CN116332798A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310297960.8
申请日：2023-03-24
申请人： 嘉庚创新实验室
IPC分类号： C07C257/12 , C07D207/267 , C07C231/12 , C07C233/05 , C07C315/04 , C07C317/04 , C07D239/10 , H10K85/60 , H10K30/00
摘要： 本申请涉及制备钙钛矿材料的方法以及中间体材料。该中间体材料根据键合分子的不同具有两种类型，其一包括BX2和键合分子，其中，B为二价无机阳离子，X为卤素阴离子，所述键合分子为具有氧代基团的化合物，所述键合分子的DN*值大于β值；其二包括ABX3和键合分子，其中，所述键合分子为具有氧代基团的化合物，所述键合分子的DN*值小于或等于β值。使用该中间体材料来制备钙钛矿材料时，能够消除AX和BX2之间的计量比误差，同时也消除了ABX3与添加剂之间的计量比误差，稳固了前驱体的组分比例，提高了钙钛矿材料的纯度，有助于提高薄膜的质量以及薄膜、钙钛矿器件制备过程中的重复性。
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公开(公告)号：CN115988945A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211613815.8
申请日：2022-12-15
申请人： 嘉庚创新实验室
摘要： 本发明提供了一种中间体材料及其应用、钙钛矿层的制备方法，涉及材料技术领域。中间体材料包括钙钛矿和亲油性金属氧化物，亲油性金属氧化物的表面连接有配体，配体为主链具有8～30个碳原子的长碳链配体。本发明提供的中间体材料能够改善钙钛矿B位和X位的缺陷所带来的器件稳定性低的问题。
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公开(公告)号：CN115666139A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211435790.7
申请日：2022-11-16
申请人： 嘉庚创新实验室
摘要： 本申请涉及一种复合电子传输层、制备方法以及太阳能电池，该复合电子传输层包含金属元素M1的氧化物和金属元素M2的氧化物，其中，至少一部分所述金属元素M2的氧化物包覆于至少一部分所述金属元素M1的氧化物的表面上，其中，M1选自Zn、Ti、Sn、Ba、W、Co中的一种或多种；M2选自Ti、Sn、W、Ba和Co中的一种或多种。本申请采用一步法可以制备得到复合电子传输层，其具有较好的光电性能，简化了电子传输层的制备工艺，降低成本，便于进行大规模制备；并且该复合电子传输层有利于后继钙钛矿成膜生长，钙钛矿层的结晶性得到增强、晶粒尺寸分布更均匀，有利于得到性能更加优异的器件。
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公开(公告)号：CN116847669A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310586965.2
申请日：2023-05-23
申请人： 嘉庚创新实验室
摘要： 本发明涉及钙钛矿光电器件制备技术领域，特别涉及一种添加剂辅助的n型金属氧化物浆料及其制备方法、钙钛矿光电器件及其制备方法。该添加剂辅助的n型金属氧化物浆料的组分包括溶剂、均匀分散于溶剂中的添加剂和经过表面改性处理的n型金属氧化物；其中，由添加剂键合于n型金属氧化物表面形成经过表面改性处理的n型金属氧化物。该n型金属氧化物浆料的氧化物在溶剂中的分散性好且成膜性质量佳，其制备得到的电子传输层均匀致密、无孔洞产生，且制得的钙钛矿光电器件的光电性能良好。另外，采用该n型金属氧化物浆料制备钙钛矿光电器件的电子传输层，制备工艺简单，重复性高，有利于器件的规模化生产。
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公开(公告)号：CN115988945B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202211613815.8
申请日：2022-12-15
申请人： 嘉庚创新实验室
摘要： 本发明提供了一种中间体材料及其应用、钙钛矿层的制备方法，涉及材料技术领域。中间体材料包括钙钛矿和亲油性金属氧化物，亲油性金属氧化物的表面连接有配体，配体为主链具有8～30个碳原子的长碳链配体。本发明提供的中间体材料能够改善钙钛矿B位和X位的缺陷所带来的器件稳定性低的问题。
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