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公开(公告)号：CN118139430A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410315720.0
申请日：2024-03-19
申请人： 嘉庚创新实验室
摘要： 本发明涉及快速批量制备正置钙钛矿太阳能电池电子传输层的方法。该正置钙钛矿太阳能电池包括依次层叠的以下结构：导电衬底、第一电子传输层、第二电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层以及金属电极。其中，第一电子传输层由原子层沉积技术制备，第二电子传输层采用非原子层沉积技术制备。制得的复合电子传输层致密无孔洞，厚度均匀且可控，能够有效减少电子传输层制备过程中的缺陷和孔洞，改善电子传输层和钙钛矿吸光层的界面缺陷。基于此，本发明所制备的复合电子传输层应用于正置结构钙钛矿太阳能电池，有助于提高其在钙钛矿太阳能电池上的载流子提取和传输能力与器件的光电转换效率和稳定性。
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公开(公告)号：CN115843190A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211464849.5
申请日：2022-11-22
申请人： 嘉庚创新实验室
摘要： 本发明公开了一种添加剂，包括第一组分，所述第一组分包括二茂铁及二茂铁类化合物中的至少一种、用于溶解所述二茂铁及二茂铁类化合物的极性溶剂。本发明提供的添加剂，能够用于金属电极的表面修饰、钙钛矿材料的表面钝化以及空穴传输层材料，可抑制离子迁移，并能够提升整体器件的光电转换效率与稳定性，尤其适合正置结构钙钛矿太阳能电池的高效空穴传输层材料的掺杂。
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公开(公告)号：CN115666139A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211435790.7
申请日：2022-11-16
申请人： 嘉庚创新实验室
摘要： 本申请涉及一种复合电子传输层、制备方法以及太阳能电池，该复合电子传输层包含金属元素M1的氧化物和金属元素M2的氧化物，其中，至少一部分所述金属元素M2的氧化物包覆于至少一部分所述金属元素M1的氧化物的表面上，其中，M1选自Zn、Ti、Sn、Ba、W、Co中的一种或多种；M2选自Ti、Sn、W、Ba和Co中的一种或多种。本申请采用一步法可以制备得到复合电子传输层，其具有较好的光电性能，简化了电子传输层的制备工艺，降低成本，便于进行大规模制备；并且该复合电子传输层有利于后继钙钛矿成膜生长，钙钛矿层的结晶性得到增强、晶粒尺寸分布更均匀，有利于得到性能更加优异的器件。
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公开(公告)号：CN117586149A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311544128.X
申请日：2023-03-24
申请人： 嘉庚创新实验室
IPC分类号： C07C257/12 , C07D207/267 , C07C231/12 , C07C233/05 , C07C315/04 , C07C317/04 , C07D239/10 , H10K85/60 , H10K30/00 , H10K85/50
摘要： 本申请涉及制备钙钛矿材料的方法以及中间体材料。该中间体材料根据键合分子的不同具有两种类型，其一包括BX2和键合分子，其中，B为二价无机阳离子，X为卤素阴离子，所述键合分子为具有氧代基团的化合物，所述键合分子的DN*值大于β值；其二包括ABX3和键合分子，其中，所述键合分子为具有氧代基团的化合物，所述键合分子的DN*值小于或等于β值。使用该中间体材料来制备钙钛矿材料时，能够消除AX和BX2之间的计量比误差，同时也消除了ABX3与添加剂之间的计量比误差，稳固了前驱体的组分比例，提高了钙钛矿材料的纯度，有助于提高薄膜的质量以及薄膜、钙钛矿器件制备过程中的重复性。
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公开(公告)号：CN116396301B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310388796.1
申请日：2023-04-12
申请人： 嘉庚创新实验室
IPC分类号： C07D487/22 , H10K85/10 , H10K30/50
摘要： 且烯基或炔基在原位聚合后形成分子聚合物后，本申请实施例公开了一种可聚合金属酞菁 可有效抑制钙钛矿表面的卤素阴离子如I‑向上及其制备方法、太阳能电池及其制备方法，其结 迁移，进一步增强太阳能电池的稳定性和电池效率。构式为 其β位的修饰基团‑OR1、‑OR2、‑OR3、‑OR4中包括烷氧醚基结构和不饱和的烯基或炔基，一方面可提高材料的导电性，另一方面，可聚合金属酞菁应用于太阳能电池中的空穴传输材料或界面层材料时，氧(56)对比文件Jian Zhang, et al..Preparation andcharacterization of solution processablephthalocyanine-containing polymers via acombination of RAFT polymerization andpost-polymerization modificationtechniques《.Journal of Polymer Science,Part A: Polymer Chemistry》.2013,第52卷(第5期),691-698.
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公开(公告)号：CN116322233A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310063984.7
申请日：2023-01-12
摘要： 本发明涉及钙钛矿光电器件技术领域，特别涉及一种电子传输层、近红外预热处理基底制备电子传输层的方法、钙钛矿光电器件及其制备方法。该近红外预热处理基底制备电子传输层的方法包括以下制备步骤：先将基底预热，而后将电子传输层前驱液涂覆于预热完成的基底上形成涂层，对涂层进行加热退火处理，制得电子传输层；通过将电子传输材料于溶剂中均匀分散制得电子传输层前驱液，电子传输材料为n型半导体氧化物。本发明采用基底预热的方法，改善基底对电子传输层前驱体的浸润性，制得的电子传输层致密无孔洞，厚度均匀且可控，能够有效减少电子传输层制备过程中的缺陷和孔洞，改善电子传输层和钙钛矿吸光层的界面缺陷，提高器件的光电性能。
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公开(公告)号：CN117682772A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202211102761.9
申请日：2022-09-09
申请人： 嘉庚创新实验室
摘要： 本发明涉及无机金属氧化物纳米颗粒制备技术领域，特别涉及一种氧化物浆料的制备方法。该氧化物浆料的制备方法包括以下步骤：S100:取金属氧化物纳米晶、改性添加剂加入到非质子性极性溶剂中，得到未完全分散的浆料；S200:将S100得到的浆料进行分散处理，得到分散均匀的分散液，即得氧化物浆料。本发明实现无机金属氧化物纳米颗粒功能化改性，制得均一、稳定、分散性良好的氧化物浆料，所制得的氧化物浆料直接应用于钙钛矿光电器件，提高了无机纳米氧化物薄膜的成膜性，且所制备得到的钙钛矿光电器件的光电性能和稳定性提高。
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公开(公告)号：CN116396301A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310388796.1
申请日：2023-04-12
申请人： 嘉庚创新实验室
IPC分类号： C07D487/22 , H10K85/10 , H10K30/50
摘要： 本申请实施例公开了一种可聚合金属酞菁及其制备方法、太阳能电池及其制备方法，其结构式为其β位的修饰基团‑OR1、‑OR2、‑OR3、‑OR4中包括烷氧醚基结构和不饱和的烯基或炔基，一方面可提高材料的导电性，另一方面，可聚合金属酞菁应用于太阳能电池中的空穴传输材料或界面层材料时，氧原子中存在的孤对电子可与钙钛矿表面的金属阳离子如Pb2+配位结合，形成Pb‑O键，起到固定金属阳离子的作用，提高太阳能电池的稳定性，且烯基或炔基在原位聚合后形成分子聚合物后，可有效抑制钙钛矿表面的卤素阴离子如I‑向上迁移，进一步增强太阳能电池的稳定性和电池效率。
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公开(公告)号：CN116847669A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310586965.2
申请日：2023-05-23
申请人： 嘉庚创新实验室
摘要： 本发明涉及钙钛矿光电器件制备技术领域，特别涉及一种添加剂辅助的n型金属氧化物浆料及其制备方法、钙钛矿光电器件及其制备方法。该添加剂辅助的n型金属氧化物浆料的组分包括溶剂、均匀分散于溶剂中的添加剂和经过表面改性处理的n型金属氧化物；其中，由添加剂键合于n型金属氧化物表面形成经过表面改性处理的n型金属氧化物。该n型金属氧化物浆料的氧化物在溶剂中的分散性好且成膜性质量佳，其制备得到的电子传输层均匀致密、无孔洞产生，且制得的钙钛矿光电器件的光电性能良好。另外，采用该n型金属氧化物浆料制备钙钛矿光电器件的电子传输层，制备工艺简单，重复性高，有利于器件的规模化生产。
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公开(公告)号：CN115988945B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202211613815.8
申请日：2022-12-15
申请人： 嘉庚创新实验室
摘要： 本发明提供了一种中间体材料及其应用、钙钛矿层的制备方法，涉及材料技术领域。中间体材料包括钙钛矿和亲油性金属氧化物，亲油性金属氧化物的表面连接有配体，配体为主链具有8～30个碳原子的长碳链配体。本发明提供的中间体材料能够改善钙钛矿B位和X位的缺陷所带来的器件稳定性低的问题。
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