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公开(公告)号：CN112004964B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201980025087.9
申请日：2019-04-17
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种表面处理铜箔，其具有能利用工艺成本优异的减成法形成L&S例如为30/30μm以下的微细布线的微细布线加工性，并且与树脂制基板的密合性优异。表面具有利用粗化处理形成的粗化面的表面处理铜箔的箔厚为10μm以下，粗化面的顶点曲率算术平均值Ssc为0.7μm‑1以上且3.8μm‑1以下。并且，在200℃下加热2小时后通过电子背散射衍射法解析剖面的情况下，晶粒尺寸为0.5μm以上的晶粒中，晶粒尺寸为0.5μm以上且小于1.0μm的晶粒的个数的比例R1为0.51以上且0.97以下，晶粒尺寸为1.0μm以上且小于3.0μm的晶粒的个数的比例R2为0.03以上且0.42以下，晶粒尺寸为3.0μm以上的晶粒的个数的比例R3为0.07以下。
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公开(公告)号：CN112004964A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201980025087.9
申请日：2019-04-17
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种表面处理铜箔，其具有能利用工艺成本优异的减成法形成L&S例如为30/30μm以下的微细布线的微细布线加工性，并且与树脂制基板的密合性优异。表面具有利用粗化处理形成的粗化面的表面处理铜箔的箔厚为10μm以下，粗化面的顶点曲率算术平均值Ssc为0.7μm‑1以上且3.8μm‑1以下。并且，在200℃下加热2小时后通过电子背散射衍射法解析剖面的情况下，晶粒尺寸为0.5μm以上的晶粒中，晶粒尺寸为0.5μm以上且小于1.0μm的晶粒的个数的比例R1为0.51以上且0.97以下，晶粒尺寸为1.0μm以上且小于3.0μm的晶粒的个数的比例R2为0.03以上且0.42以下，晶粒尺寸为3.0μm以上的晶粒的个数的比例R3为0.07以下。
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公开(公告)号：CN113795615B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202080033589.9
申请日：2020-06-02
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种表面处理铜箔，其具有微细布线加工性，并且与树脂制基板的密合性优异。该表面处理铜箔是在表面具有利用粗化处理而形成的粗化面的表面处理铜箔，其中，粗化面的最小自相关长度Sal为1.0μm以上且8.5μm以下，均方根高度Sq为0.10μm以上且0.98μm以下。
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公开(公告)号：CN116670336A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202180079134.5
申请日：2021-11-15
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: C25D5/16
Abstract: 本发明提供一种粗糙化处理铜箔，其能够制造与树脂的密合性优异、传输损耗小、并且不易发生由迁移引起的短路的印刷布线板等。粗糙化处理铜箔在至少一个面上具有形成有多个粗糙化粒子(1)的粗糙化处理面，在粗糙化粒子(1)的表面形成有凹凸。另外，使用三维白色光干涉型显微镜测定的粗糙化处理面的界面的展开面积率Sdr为1000％以上且5000％以下，并且粗糙化处理面的算术平均粗糙度Sa为0.04μm以上且0.6μm以下。
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公开(公告)号：CN113795615A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202080033589.9
申请日：2020-06-02
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种表面处理铜箔，其具有微细布线加工性，并且与树脂制基板的密合性优异。该表面处理铜箔是在表面具有利用粗化处理而形成的粗化面的表面处理铜箔，其中，粗化面的最小自相关长度Sal为1.0μm以上且8.5μm以下，均方根高度Sq为0.10μm以上且0.98μm以下。
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