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公开(公告)号：CN118389056A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410626425.7
申请日：2024-05-20
IPC分类号： C09D183/04 , C09D5/08 , C09D7/61 , C09D7/65
摘要： 本发明涉及涂层材料技术领域，具体涉及一种超疏水多功能涂层及其制备方法。具体技术方案为：一种超疏水多功能涂层，按照体积百分数计，包括以下组分：疏水组合物0.1～3.0％、织构稳定剂1.5～12％、粘结剂17～60％、无醇基底材料25～80％。本发明所述的多功能涂层不仅具有：高疏水性、高接触角≥160±5°、滚动角≤5°、疏油性能、耐腐蚀性介质、化学惰性、低表面张力等特性，而且不需要对材料进行预处理，既能改善各种材料的表面物理化学特性。
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公开(公告)号：CN115287612B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202210706659.3
申请日：2022-06-21
摘要： 本发明公开了一种HiPIMS双靶共溅射制备WS2‑Ti复合涂层的装置和方法，该装置包括真空腔体、样品转架、主脉冲电源、从脉冲电源、WS2靶材、Ti靶材和时序控制器，样品转架设置于真空腔体内，WS2靶材和Ti靶材分别固定于真空腔体，WS2靶材和Ti靶材呈八字分布，WS2靶材和Ti靶材分别正对样品转架；主脉冲电源与Ti靶材电连接，从脉冲电源与WS2靶材电连接，时序控制器分别与主脉冲电源和从脉冲电源电连接，时序控制器控制主脉冲电源和从脉冲电源的脉冲时序。该装置可控制两套HiPIMS脉冲电源的脉冲时序，可以有效避免脉冲放电重叠，实现双靶稳定工作，利用该装置制备WS2‑Ti复合涂层，可以改善其耐摩擦磨损性能。
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公开(公告)号：CN115287612A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210706659.3
申请日：2022-06-21
摘要： 本发明公开了一种HiPIMS双靶共溅射制备WS2‑Ti复合涂层的装置和方法，该装置包括真空腔体、样品转架、主脉冲电源、从脉冲电源、WS2靶材、Ti靶材和时序控制器，样品转架设置于真空腔体内，WS2靶材和Ti靶材分别固定于真空腔体，WS2靶材和Ti靶材呈八字分布，WS2靶材和Ti靶材分别正对样品转架；主脉冲电源与Ti靶材电连接，从脉冲电源与WS2靶材电连接，时序控制器分别与主脉冲电源和从脉冲电源电连接，时序控制器控制主脉冲电源和从脉冲电源的脉冲时序。该装置可控制两套HiPIMS脉冲电源的脉冲时序，可以有效避免脉冲放电重叠，实现双靶稳定工作，利用该装置制备WS2‑Ti复合涂层，可以改善其耐摩擦磨损性能。
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公开(公告)号：CN117139588A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311088680.2
申请日：2023-08-28
申请人： 台州学院
摘要： 本发明公开了铝合金加工技术领域的一种铝合金强制定型装置及铝合金热处理方法，包括壳体，壳体内从左到右依次设有压铸室、中转腔室、缓冲腔室和回收腔室；压铸室、中转腔室、缓冲腔室和回收腔室两两之间均分割有开闭机构；压铸室内设有用于在真空环境下对铝合金原材料进行压铸成型的压铸机本体，压铸室分别连通有储气罐和真空泵；中转腔室、缓冲腔室和回收腔室内均贯穿有传送带；缓冲腔室内壁上设有若干用于降低缓冲腔室环境温度的冷凝管；真空泵通过管道与中转腔室和回收腔室连通；通过真空压铸的方式对铝合金进行定型,并将定型后的铝合金进行退火处理，使金属内部组织达到或接近平衡状态，从而使定型后的铝合金不易发生变形，提高工作效率。
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公开(公告)号：CN117286450A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311278867.9
申请日：2023-09-28
申请人： 台州学院 , 温岭工联工量刃具科技服务有限公司
摘要： 本发明涉及润滑涂层技术领域，具体涉及一种AlTiN‑WS2低摩擦系数耐磨涂层及其制备方法。具体技术方案为：一种AlTiN‑WS2低摩擦系数耐磨涂层的制备方法，包括以下步骤：(1)将预处理的基体利用钛离子弧靶进行钛离子清洗；(2)利用多弧离子镀在基体上沉积钛过渡层；(3)打开AlTi合金离子弧靶沉积AlTiN涂层；(4)打开高功率脉冲磁控溅射分别制备Ti层和WS2层。通过利用多弧离子镀预先沉积AlTiN硬质层，然后在此基础上利用HiPIMS沉积WS2固体润滑层，制备出具有低摩擦系数的耐磨涂层。
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公开(公告)号：CN117265477A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311277314.1
申请日：2023-09-28
申请人： 台州学院
摘要： 本发明提供了一种WS2固体润滑薄膜的HiPIMS制备方法，属于金属材料表面改性用固体润滑薄膜技术领域。本发明提供的制备方法包括以下步骤：(1)在WS2靶表面沉积金属导电薄膜；(2)利用磁场溅射掉WS2靶表面有效溅射区域的金属导电薄膜；(3)利用步骤(2)所得WS2靶通过高功率脉冲磁控溅射技术制备WS2固体润滑薄膜。该方法可以实现WS2靶的稳定起辉，利用HiPIMS沉积能量高的特点，制备出高致密度、耐磨性能优异的WS2薄膜。
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