公开(公告)号：CN114388374A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202110409550.9

申请日：2021-04-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈威宇 ,  裴浩然 ,  郭炫廷 ,  曹智强 ,  余人睿 ,  钟宇轩 ,  张家纶 ,  林修任 ,  谢静华

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56

Abstract: 形成半导体封装件的方法包括：在再分布结构上形成焊膏的区域，其中，焊膏具有第一熔化温度；在互连结构上形成焊料凸块，其中，焊料凸块具有大于第一熔化温度的第二熔化温度；将焊料凸块放置在焊膏的区域上；在第一回流温度下执行第一回流工艺第一持续时间，其中，第一回流温度小于第二熔化温度；以及在执行第一回流工艺之后，在第二回流温度下执行第二回流工艺第二持续时间，其中第二回流温度大于第二熔化温度。

公开(公告)号：CN117766410A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311636648.3

申请日：2023-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱肇玮 ,  谢静华 ,  余人睿 ,  翁正轩 ,  林修任 ,  郭炫廷

IPC: H01L21/48 ,  H01L25/065 ,  H01L23/498

Abstract: 本揭露实施例提供包括使用焊料的半导体组件及其制造方法。在实施例中，焊料使用第一抗张加强材料、第二抗张加强材料以及共晶调整材料。藉由使用此些材料，所形成且经使用的焊料可具有较少的针状结晶。若非使用此些材料，可能在放置与使用焊料的期间产生针状结晶。

公开(公告)号：CN111261531B

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN201911205785.5

申请日：2019-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余人睿 ,  裴浩然 ,  陈威宇 ,  张家纶 ,  林修任 ,  谢静华

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/58

Abstract: 在实施例中，半导体器件包括：集成电路管芯；密封剂，至少部分地密封集成电路管芯；位于密封剂上的再分布结构，再分布结构电连接至集成电路管芯，再分布结构包括焊盘；无源器件，包括物理和电连接至焊盘的导电连接件；以及保护结构，设置在无源器件和再分布结构之间，保护结构围绕导电连接件，保护结构包括环氧树脂助焊剂，保护结构中设置有空隙。本发明的实施例还涉及形成集成电路封装件的方法。

公开(公告)号：CN116525574A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310210917.3

申请日：2023-03-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余人睿 ,  曹智强 ,  郭炫廷 ,  张楙曮 ,  林修任 ,  谢静华 ,  裴浩然

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/50 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体封装，包括衬底、衬底上方的半导体器件以及接合在半导体器件和衬底之间的多个焊点结构，其中多个焊点结构中的每一个包括按重量百分比计的2％至23％的铟。

公开(公告)号：CN111261531A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201911205785.5

申请日：2019-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余人睿 ,  裴浩然 ,  陈威宇 ,  张家纶 ,  林修任 ,  谢静华

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/58

Abstract: 在实施例中，半导体器件包括：集成电路管芯；密封剂，至少部分地密封集成电路管芯；位于密封剂上的再分布结构，再分布结构电连接至集成电路管芯，再分布结构包括焊盘；无源器件，包括物理和电连接至焊盘的导电连接件；以及保护结构，设置在无源器件和再分布结构之间，保护结构围绕导电连接件，保护结构包括环氧树脂助焊剂，保护结构中设置有空隙。本发明的实施例还涉及形成集成电路封装件的方法。