公开(公告)号：CN115440606A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202211108574.1

申请日：2019-01-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈威宇 ,  谢静华 ,  余振华 ,  刘重希 ,  林修任 ,  裴浩然 ,  黄贵伟 ,  蔡钰芃 ,  郑佳申 ,  钟宇轩

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/14 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/488

Abstract: 本公开提供一种方法，包含在第一封装组件的顶部表面的第一部分上执行第一激光照射。第一封装组件在第二封装组件上方，且通过第一激光照射来回焊第一封装组件与第二封装组件之间的第一焊料区。在第一激光照射后，在第一封装组件的顶部表面的第二部分上执行第二激光照射。通过第二激光照射来回焊第一封装组件与第二封装组件之间的第二焊料区。

公开(公告)号：CN110660682B

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN201811286453.X

申请日：2018-10-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭炫廷 ,  谢静华 ,  陈正庭 ,  林修任 ,  裴浩然 ,  蔡钰芃 ,  张家纶 ,  曹智强 ,  钟宇轩

IPC: H01L21/56 ,  H01L25/07 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498

Abstract: 一种叠层封装结构的制造方法包括以下步骤。在条带载体上提供第一封装，其中所述第一封装包括经包封半导体装置、设置在所述经包封半导体装置上的第一重布线结构及设置在所述第一重布线结构上且贴合到所述条带载体的多个导电凸块。通过多个电端子利用热压合工艺在所述第一封装上安装第二封装，所述热压合工艺使所述导电凸块变形成多个经变形导电凸块。所述经变形导电凸块中的每一者包括对所述第一重布线结构进行连接的基底部分及对所述基底部分进行连接的顶端部分，且所述基底部分的曲率大体上小于所述顶端部分的曲率。

公开(公告)号：CN113871339A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202110176171.X

申请日：2021-02-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁正轩 ,  谢静华 ,  林修任 ,  裴浩然 ,  郭炫廷 ,  陈威宇 ,  郑佳申 ,  钟宇轩

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/60

Abstract: 提供一种对半导体工件进行回焊的系统，所述系统包括平台、第一真空模块及第二真空模块、以及能量源。平台包括基座及连接到基座的突出部，平台以可移动的方式沿着平台的高度方向以相对于半导体工件移动，突出部以可操作的方式固持及加热半导体工件，突出部包括第一部分及第二部分，第二部分被第一部分环绕且在空间上与第一部分隔开。第一真空模块及第二真空模块分别耦合到突出部的第一部分及第二部分，第一真空模块及第二真空模块可操作地以分别对第一部分及第二部分施加压力。能量源设置在平台之上，以对由平台的突出部固持的半导体工件进行加热。

公开(公告)号：CN113113318B

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202110275797.6

申请日：2019-02-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 裴浩然 ,  林修任 ,  陈威宇 ,  钟宇轩 ,  郑佳申 ,  黄贵伟 ,  谢静华 ,  刘重希 ,  余振华

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L21/56 ,  H01L21/683 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/525 ,  H01L23/538 ,  H01L25/10 ,  H10B80/00

Abstract: 在一个实施例中，一种用于形成半导体器件的方法包括：将第一封装组件与第二封装组件对准，第一封装组件具有第一区域和第二区域，该第一区域包括第一导电连接件，该第二区域包括第二导电连接件；在第一封装组件的顶表面的第一部分上执行第一激光照射，第一激光照射使第一区域的第一导电连接件回流，第一封装组件的顶表面的第一部分与第一区域完全重叠；并且在执行第一激光照射之后，在第一封装组件的顶表面的第二部分上执行第二激光照射，第二激光照射回流第二区域的第二导电连接件，第二封装组件的顶表面的第二部分与第二个区域完全重叠。本发明的实施例还提供了另外的用于形成半导体器件的方法以及封装件。

公开(公告)号：CN110299326B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201910145215.5

申请日：2019-02-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 裴浩然 ,  林修任 ,  陈威宇 ,  钟宇轩 ,  郑佳申 ,  黄贵伟 ,  谢静华 ,  刘重希 ,  余振华

IPC: H01L21/98 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18

Abstract: 在一个实施例中，一种用于形成半导体器件的方法包括：将第一封装组件与第二封装组件对准，第一封装组件具有第一区域和第二区域，该第一区域包括第一导电连接件，该第二区域包括第二导电连接件；在第一封装组件的顶表面的第一部分上执行第一激光照射，第一激光照射使第一区域的第一导电连接件回流，第一封装组件的顶表面的第一部分与第一区域完全重叠；并且在执行第一激光照射之后，在第一封装组件的顶表面的第二部分上执行第二激光照射，第二激光照射回流第二区域的第二导电连接件，第二封装组件的顶表面的第二部分与第二个区域完全重叠。本发明的实施例还提供了另外的用于形成半导体器件的方法以及封装件。

公开(公告)号：CN110265310B

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN201910023496.7

申请日：2019-01-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈威宇 ,  谢静华 ,  余振华 ,  刘重希 ,  林修任 ,  裴浩然 ,  黄贵伟 ,  蔡钰芃 ,  郑佳申 ,  钟宇轩

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: 本公开提供一种方法，包含在第一封装组件的顶部表面的第一部分上执行第一激光照射。第一封装组件在第二封装组件上方，且通过第一激光照射来回焊第一封装组件与第二封装组件之间的第一焊料区。在第一激光照射后，在第一封装组件的顶部表面的第二部分上执行第二激光照射。通过第二激光照射来回焊第一封装组件与第二封装组件之间的第二焊料区。

公开(公告)号：CN113539846A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110800467.4

申请日：2021-07-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑佳申 ,  陈威宇 ,  钟宇轩 ,  林修任 ,  谢静华 ,  余振华

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60

Abstract: 一种用于结合半导体衬底的方法包括：将管芯放置在衬底上，以及在管芯及衬底上执行加热工艺，以将相应的第一连接件与相应的第二连接件结合。管芯上的多个第一连接件中的相应的第一连接件接触衬底上的多个第二连接件中的相应的第二连接件。加热工艺包括：在激光产生器与衬底之间放置掩蔽装置，以及执行激光发射。一种掩蔽装置包括掩蔽层及透明层。掩蔽层的部分是不透明的。激光穿过掩蔽层中的第一间隙且穿过透明层，以加热与衬底相对的管芯的顶侧的第一部分。

公开(公告)号：CN110660682A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201811286453.X

申请日：2018-10-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭炫廷 ,  谢静华 ,  陈正庭 ,  林修任 ,  裴浩然 ,  蔡钰芃 ,  张家纶 ,  曹智强 ,  钟宇轩

IPC: H01L21/56 ,  H01L25/07 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498

Abstract: 一种叠层封装结构的制造方法包括以下步骤。在条带载体上提供第一封装，其中所述第一封装包括经包封半导体装置、设置在所述经包封半导体装置上的第一重布线结构及设置在所述第一重布线结构上且贴合到所述条带载体的多个导电凸块。通过多个电端子利用热压合工艺在所述第一封装上安装第二封装，所述热压合工艺使所述导电凸块变形成多个经变形导电凸块。所述经变形导电凸块中的每一者包括对所述第一重布线结构进行连接的基底部分及对所述基底部分进行连接的顶端部分，且所述基底部分的曲率大体上小于所述顶端部分的曲率。

公开(公告)号：CN114388374A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202110409550.9

申请日：2021-04-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈威宇 ,  裴浩然 ,  郭炫廷 ,  曹智强 ,  余人睿 ,  钟宇轩 ,  张家纶 ,  林修任 ,  谢静华

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56

Abstract: 形成半导体封装件的方法包括：在再分布结构上形成焊膏的区域，其中，焊膏具有第一熔化温度；在互连结构上形成焊料凸块，其中，焊料凸块具有大于第一熔化温度的第二熔化温度；将焊料凸块放置在焊膏的区域上；在第一回流温度下执行第一回流工艺第一持续时间，其中，第一回流温度小于第二熔化温度；以及在执行第一回流工艺之后，在第二回流温度下执行第二回流工艺第二持续时间，其中第二回流温度大于第二熔化温度。

公开(公告)号：CN113113318A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110275797.6

申请日：2019-02-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 裴浩然 ,  林修任 ,  陈威宇 ,  钟宇轩 ,  郑佳申 ,  黄贵伟 ,  谢静华 ,  刘重希 ,  余振华

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L21/56 ,  H01L21/683 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/525 ,  H01L23/538 ,  H01L25/065 ,  H01L25/10 ,  H01L25/18

Abstract: 在一个实施例中，一种用于形成半导体器件的方法包括：将第一封装组件与第二封装组件对准，第一封装组件具有第一区域和第二区域，该第一区域包括第一导电连接件，该第二区域包括第二导电连接件；在第一封装组件的顶表面的第一部分上执行第一激光照射，第一激光照射使第一区域的第一导电连接件回流，第一封装组件的顶表面的第一部分与第一区域完全重叠；并且在执行第一激光照射之后，在第一封装组件的顶表面的第二部分上执行第二激光照射，第二激光照射回流第二区域的第二导电连接件，第二封装组件的顶表面的第二部分与第二个区域完全重叠。本发明的实施例还提供了另外的用于形成半导体器件的方法以及封装件。