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公开(公告)号：CN104637938A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410120740.9
申请日：2014-03-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G01N27/4145 , H01L23/345 , H01L29/66477 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其选择性加热，提供了一种或多种半导体器件、阵列布置及其形成方法。该半导体器件包括离子感测器件和接近离子感测器件的加热元件。离子感测器件具有有源区域，其包括源极、漏极、和位于源极和漏极之间的沟道。离子感测器件也具有位于沟道上方的离子感测膜，以及位于离子感测膜上方的离子感测区域。响应于通过接近离子感测器件的热传感器所感测的温度，选择性地激活加热元件以改变离子感测区域的温度，从而促进半导体器件的期望操作，诸如用作生物传感器。多个半导体器件可以形成于阵列内。
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公开(公告)号：CN103382016A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201310138552.4
申请日：2013-04-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 采用集成封装件的BioMEMS和平面光电路。公开了一种BioMEMS微机电装置及其制造方法。提供衬底，在该衬底上形成至少一个信号管道。可以在信号管道上沉积由牺牲材料构成的牺牲层并且可选地对该牺牲层进行图案化以从封装覆盖区域外部去除牺牲材料。可以在信号管道的至少一部分上以及牺牲层(若包括的话)上沉积接合层。可以对接合层进行平坦化和图案化以形成一个或多个覆盖件接合垫并且限定封装覆盖区域。可以将覆盖件接合在覆盖件接合垫上以限定覆盖区域，从而使得信号管道从覆盖区域外部延伸至覆盖区域内部。此外，可以在覆盖区域内提供诸如流体的测试材料。
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公开(公告)号：CN104637938B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201410120740.9
申请日：2014-03-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/34 , H01L21/336 , G01N27/414
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其选择性加热，提供了一种或多种半导体器件、阵列布置及其形成方法。该半导体器件包括离子感测器件和接近离子感测器件的加热元件。离子感测器件具有有源区域，其包括源极、漏极、和位于源极和漏极之间的沟道。离子感测器件也具有位于沟道上方的离子感测膜，以及位于离子感测膜上方的离子感测区域。响应于通过接近离子感测器件的热传感器所感测的温度，选择性地激活加热元件以改变离子感测区域的温度，从而促进半导体器件的期望操作，诸如用作生物传感器。多个半导体器件可以形成于阵列内。
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公开(公告)号：CN103803479B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310039862.0
申请日：2013-01-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G01N27/4145 , B01L3/502707 , B01L9/527 , B01L2200/025 , B01L2200/027 , B01L2200/10 , B01L2200/143 , B01L2300/0645 , G01N21/75 , G01N27/3271 , G01N27/3275 , G01N33/5438 , Y10T29/49
Abstract: 本发明提供了一种生物场效应晶体管(BioFET)设备的测试和处理方法、系统和装置。晶圆级生物传感器处理工具包括晶圆载物台、集成电微流控探针卡以及流体供应器和回流器。该集成电微流控探针卡包括流控底座(其可以为透明的)、流控底座中的微流体通道、位于流控底座的底部的至少一个微流控探针和多个电探针顶端、位于流控底座的侧部的流体和电子输入口和输出口以及位于流控底座上的至少一个操作凸缘。该方法包括对准晶圆、安装集成电微流控探针卡、使测试流体流动以及测试电气性能。该工具还可以用于标识或标记晶圆上的设备区中的流体。本发明还提供了一种集成电微流控探针卡、系统及其使用方法。
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公开(公告)号：CN104049021A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310554567.9
申请日：2013-11-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N27/414 , B81B7/00
Abstract: 本发明提供了一种生物场效应晶体管（BioFET）以及一种制造BioFET器件的方法。该方法包括：使用与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺相容的或者典型的互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺的一个或多个工艺步骤来形成BioFET。BioFET器件包括：衬底、晶体管结构、隔离层、位于隔离层的开口中的界面层、以及位于界面层上方的金属冠结构。界面层和金属冠结构设置在晶体管的与栅极结构相对的一侧上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103426930A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310192704.9
申请日：2013-05-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/49 , H01L21/336 , G01N27/414
CPC classification number: G01N27/4145
Abstract: 本发明提供了一种生物场效应晶体管(BioFET)和制造BioFET器件的方法。该方法包括使用与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容的或者是典型的CMOS工艺的一个或多个工艺步骤形成BioFET。该BioFET器件可以包括衬底；设置在衬底的第一表面上的栅极结构和在衬底的第二表面上形成的界面层。界面层可以允许受体被放置在界面层上以检测存在的生物分子或生物实体。BioFET器件的放大因数可以由与第一表面上的栅极结构相关的电容和与第二表面上形成的界面层相关的电容的差值提供。本发明还提供了一种用于信号放大的具有双栅极生物场效应晶体管的系统和方法。
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公开(公告)号：CN106093119B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201510736369.3
申请日：2015-11-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明提供了包括衬底、栅电极和感测阱的生物器件。衬底包括源极区、漏极区、沟道区、主体区和感测区。沟道区设置在源极区和漏极区之间。感测区至少设置在沟道区和主体区之间。栅电极至少设置在衬底的沟道区上或之上。感测阱至少邻近感测区设置。本发明的实施例还涉及生物器件的生物感测方法。
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公开(公告)号：CN104051512B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201310342244.3
申请日：2013-08-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/772 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供一种生物场效应晶体管（BioFET）和制造BioFET器件的方法。该方法包括：使用与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺兼容或者互补金属氧化物半导体工艺特有的一种或多种工艺步骤来形成BioFET。BioFET器件包括衬底、具有邻近沟道区的处理层的晶体管结构、隔离层、以及位于处理层上的隔离层的开口中的介电层。介电层和处理层设置在晶体管的与栅极结构相对的侧面上。处理层可以是轻掺杂的沟道层或者耗尽层。本发明还提供了一种性能增强的背面感测生物场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN103382016B
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201310138552.4
申请日：2013-04-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 采用集成封装件的BioMEMS和平面光电路。公开了一种BioMEMS微机电装置及其制造方法。提供衬底，在该衬底上形成至少一个信号管道。可以在信号管道上沉积由牺牲材料构成的牺牲层并且可选地对该牺牲层进行图案化以从封装覆盖区域外部去除牺牲材料。可以在信号管道的至少一部分上以及牺牲层(若包括的话)上沉积接合层。可以对接合层进行平坦化和图案化以形成一个或多个覆盖件接合垫并且限定封装覆盖区域。可以将覆盖件接合在覆盖件接合垫上以限定覆盖区域，从而使得信号管道从覆盖区域外部延伸至覆盖区域内部。此外，可以在覆盖区域内提供诸如流体的测试材料。
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公开(公告)号：CN104614430A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201410120539.0
申请日：2014-03-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N27/414
CPC classification number: G01N27/4145 , G01N33/54373
Abstract: 本发明提供了一种诸如FET感测单元的器件，该器件包括位于衬底上方的第一介电层，位于第一介电层上方的有源层，位于有源层中的源极区，位于有源层中的漏极区，在有源层中介于源极区和漏极区之间的沟道区，位于沟道区上方的感测膜，位于有源层上方的第二介电层，其中，在第二介电层中形成开口并且感测膜位于开口内，位于第二介电层内的第一电极以及位于第二介电层的上方并延伸到开口中的流体栅极区。本发明还提供了通过调节感测值提高器件灵敏度的方法。
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