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公开(公告)号：CN111115550B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201910917210.X
申请日：2019-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 集成互补金属氧化物半导体‑微机电系统器件包括互补金属氧化物半导体结构、顶盖结构及微机电系统结构。互补金属氧化物半导体结构制作于第一衬底上且包括至少一个传导层。顶盖结构包括穿过顶盖结构的通孔且具有沉积在顶盖结构的第一侧上的隔离层且具有沉积在顶盖结构的第二侧上的导电布线层。微机电系统结构沉积在第一衬底与顶盖结构之间。集成互补金属氧化物半导体‑微机电系统器件还包括导电连接件，导电连接件穿过通孔中的一者且穿过顶盖结构上的隔离层中的开口。导电连接件将顶盖结构上的导电布线层中的导电路径与互补金属氧化物半导体结构的至少一个传导层进行导电连接。
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公开(公告)号：CN107010593B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201710028585.1
申请日：2017-01-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81B7/02
Abstract: 器件包括衬底、第一结构、第二结构、第三结构和缓冲器。第一结构位于衬底上方。第二结构位于衬底上方，其中，第二结构具有连接至第一结构的第一端。第三结构位于衬底上方，其中，第三结构连接至第二结构的第二端。缓冲器位于衬底和第三结构之间，其中缓冲器是包括第一导电部件、介电部件和第二导电部件的多层缓冲器。介电部件位于第一导电部件上方。第二导电部件位于介电部件上方并且电连接至第一导电部件。本发明实施例涉及MEMS器件和多层结构。
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公开(公告)号：CN110636417A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910507842.9
申请日：2019-06-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明一些实施例揭露一种麦克风及制造麦克风的方法，其包含具有多个开口区域的背板及与所述背板隔开的薄膜。所述薄膜可因声波而变形以引起在所述薄膜上的多个位置处改变所述背板与所述薄膜之间的间隙。所述薄膜包含位于所述薄膜的边界附近的多个锚定区域，其相对于所述背板固定。所述薄膜也包含多个通气阀。所述通气阀的实例包含侧翼通气阀及涡流通气阀。
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公开(公告)号：CN106467287B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201510755259.1
申请日：2015-11-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0077 , B81B2203/04 , B81B2207/07
Abstract: 本发明的一些实施例提供了一种微机电系统(MEMS)。该MEMS包括半导体块。半导体块包括突出结构。突出结构包括底面。半导体块包括感测结构。半导体衬底包括导电区域。导电区域包括位于感测结构下方的第一表面。第一表面与底面基本共面。介电区域包括未设置在第一表面上方的第二表面。本发明还提供一种制造微机电系统(MEMS)的方法。
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公开(公告)号：CN109987576A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910164541.0
申请日：2013-12-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明公开的集成电路器件包括设置在半导体衬底上方的介电层，介电层具有形成在其中的牺牲腔体，形成到介电层上的膜层，以及在膜层上形成的覆盖层从而形成第二腔体，第二腔体通过形成在膜层内的通孔连接至牺牲腔体。本发明还公开了具有覆盖结构的MEMS器件结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104716050B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201410101723.0
申请日：2014-03-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/007 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2207/07 , B81B2207/094 , B81B2207/095 , B81C1/00301 , B81C2203/0154 , B81C2203/0771 , H01L21/568 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L2224/12105 , H01L2224/73267 , H01L2924/18162
Abstract: 本发明提供了一种形成具有模塑通孔的半导体器件的方法，该方法包括共晶接合覆盖晶圆和基底晶圆以形成晶圆封装件。基底晶圆包括第一芯片封装件部分、第二芯片封装件部分和第三芯片封装件部分。覆盖晶圆包括多个隔离沟槽和多个分离沟槽，相对于覆盖晶圆的相同表面，分离沟槽的深度比隔离沟槽的深度更大。该方法也包括去除覆盖晶圆的一部分以暴露第一芯片封装件部分接触件、第二芯片封装件部分接触件和第三芯片封装件部分接触件。该方法还包括分离晶圆封装件以将晶圆封装件分离成第一芯片封装件、第二芯片封装件和第三芯片封装件。本发明还提供具有模塑通孔的半导体器件。
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公开(公告)号：CN107662901A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710521597.8
申请日：2017-06-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及用于微机电系统装置和互补金属氧化物半导体装置的集成。本发明实施例提供用于将互补金属氧化物半导体CMOS装置与微机电系统MEMS装置集成的工艺。在一些实施例中，使所述MEMS装置形成于牺牲衬底或晶片上，将所述牺牲衬底或晶片接合到CMOS裸片或晶片，且去除所述牺牲衬底或晶片。在其它实施例中，使所述MEMS装置形成于CMOS裸片或晶片的牺牲区域上方且随后去除所述牺牲区域。本发明实施例也提供由所述工艺产生的集成电路IC。
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公开(公告)号：CN104051512B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201310342244.3
申请日：2013-08-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/772 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供一种生物场效应晶体管（BioFET）和制造BioFET器件的方法。该方法包括：使用与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺兼容或者互补金属氧化物半导体工艺特有的一种或多种工艺步骤来形成BioFET。BioFET器件包括衬底、具有邻近沟道区的处理层的晶体管结构、隔离层、以及位于处理层上的隔离层的开口中的介电层。介电层和处理层设置在晶体管的与栅极结构相对的侧面上。处理层可以是轻掺杂的沟道层或者耗尽层。本发明还提供了一种性能增强的背面感测生物场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN107055459A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710024010.2
申请日：2017-01-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81B7/02
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B2201/0235 , B81B2207/096 , B81C2203/0118 , B81C2203/036 , B81C2203/0785 , B81B7/02 , B81B2201/0228 , B81B2203/01 , B81B2203/03
Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括静止结构、弹簧和质量块。静止结构具有第一部分和第二部分。弹簧在衬底上方。弹簧具有从边缘突出的且朝向静止结构的第一部分延伸的第一突起。质量块在衬底上方且由弹簧支撑。质量块具有从边缘突出的且朝向静止结构的第二部分延伸的第二突起。第一突起和第一部分之间的第一间隙小于第二突起和第二部分之间的第二间隙。本发明的实施例还提供了一种微机电系统器件。
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公开(公告)号：CN103915422B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201310105508.3
申请日：2013-03-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B7/0038 , B81B2207/017 , B81C2203/0792
Abstract: 本发明公开了用于半导体结构的方法和装置。一种半导体结构可以包括第一器件和第二器件，第一器件具有其上形成有第一接合层的第一表面并且第二器件具有其上形成有第二接合层的第一表面。第一接合层可以提供到第一器件中的至少一个电气器件的导电路径。第二接合层可以提供到第二器件中的至少一个电气器件的导电路径。第一器件或第二器件中的一个可以包括MEMS电气器件。第一和/或第二接合层可以由吸气材料形成，该吸气材料可以提供逸气吸收。
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