公开(公告)号：CN107017169B

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201611001301.1

申请日：2016-11-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 施孟甫 ,  罗俊彦 ,  黄震麟 ,  陈文明 ,  黄建铭 ,  刘原甫 ,  郑咏全 ,  黄威志 ,  刘承勋 ,  詹前彬 ,  徐玉女 ,  林奇鸿 ,  庞德勋 ,  古进誉

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498

Abstract: 讨论了外部电连接件和形成这种外部电连接件的方法，一种方法包括在衬底上形成外部电连接结构。形成外部电连接结构包括在第一溶液中的衬底处产生的第一搅拌等级的情况下在衬底上电镀柱。该方法还包括在第二溶液中的衬底处产生的第二搅拌等级的情况下，在外部电连接结构上电镀焊料。在衬底处产生的第二搅拌等级大于在衬底处产生的第一搅拌等级。电镀焊料还包括在外部电连接结构的侧壁上形成外壳。本发明还提供了半导体器件及形成方法。

公开(公告)号：CN108122855B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201710148905.7

申请日：2017-03-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘承勋 ,  古进誉 ,  王荣德 ,  谢维伦 ,  王家桦 ,  陈正泓 ,  蔡佩杏

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/31

Abstract: 一种半导体结构具有半导体装置、第一密封环及第二密封环。所述半导体装置具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述第一密封环安置于所述半导体装置的所述第一表面上且相邻于所述第一表面的边缘。所述第二密封环安置于所述半导体装置的所述第二表面上且相邻于所述第二表面的边缘。本发明实施例还提供一种半导体制造方法。

公开(公告)号：CN109727954A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201810273140.4

申请日：2018-03-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王荣德 ,  刘承勋 ,  古进誉 ,  庞德勋 ,  王家桦 ,  蔡佩杏 ,  林柏瑺

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/31

Abstract: 一种半导体结构包括半导体装置、第一密封环、第二密封环及多个半导体穿孔(through semiconductor via，TSV)。半导体装置具有第一表面及与第一表面相对的第二表面。第一密封环安置在半导体装置的第一表面上且与第一表面的边缘相邻。第二密封环安置在半导体装置的第二表面上且与第二表面的边缘相邻。半导体穿孔穿过半导体装置且物理连接(physically connect)第一密封环及第二密封环。

公开(公告)号：CN108122855A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710148905.7

申请日：2017-03-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘承勋 ,  古进誉 ,  王荣德 ,  谢维伦 ,  王家桦 ,  陈正泓 ,  蔡佩杏

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L21/78 ,  H01L23/562 ,  H01L23/3171

Abstract: 一种半导体结构具有半导体装置、第一密封环及第二密封环。所述半导体装置具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述第一密封环安置于所述半导体装置的所述第一表面上且相邻于所述第一表面的边缘。所述第二密封环安置于所述半导体装置的所述第二表面上且相邻于所述第二表面的边缘。本发明实施例还提供一种半导体制造方法。

公开(公告)号：CN107017169A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201611001301.1

申请日：2016-11-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 施孟甫 ,  罗俊彦 ,  黄震麟 ,  陈文明 ,  黄建铭 ,  刘原甫 ,  郑咏全 ,  黄威志 ,  刘承勋 ,  詹前彬 ,  徐玉女 ,  林奇鸿 ,  庞德勋 ,  古进誉

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498

Abstract: 讨论了外部电连接件和形成这种外部电连接件的方法，一种方法包括在衬底上形成外部电连接结构。形成外部电连接结构包括在第一溶液中的衬底处产生的第一搅拌等级的情况下在衬底上电镀柱。该方法还包括在第二溶液中的衬底处产生的第二搅拌等级的情况下，在外部电连接结构上电镀焊料。在衬底处产生的第二搅拌等级大于在衬底处产生的第一搅拌等级。电镀焊料还包括在外部电连接结构的侧壁上形成外壳。本发明还提供了半导体器件及形成方法。