公开(公告)号：CN102263067A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201010546155.7

申请日：2010-11-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沈文维 ,  陈承先 ,  郭正铮 ,  陈明发 ,  王荣德

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L23/3157 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81345 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/35 ,  Y10T428/12361 ,  Y10T428/12396 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/206 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供一种微凸块接合装置，包括一工件，其包括一金属凸块；以及一介电层，其具有位于上述金属凸块正上方的一部分。上述金属凸块和上述介电层的上述部分的一表面形成一介面。一金属表面处理物形成于上述金属凸块的上方且接触上述金属凸块。上述金属表面处理物从上述介电层的上方延伸上述介面的下方。通过本发明实施例的接合结构，可强化现有技术的弱点，且可改善接合结构的可靠度。

公开(公告)号：CN108122855B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201710148905.7

申请日：2017-03-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘承勋 ,  古进誉 ,  王荣德 ,  谢维伦 ,  王家桦 ,  陈正泓 ,  蔡佩杏

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/31

Abstract: 一种半导体结构具有半导体装置、第一密封环及第二密封环。所述半导体装置具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述第一密封环安置于所述半导体装置的所述第一表面上且相邻于所述第一表面的边缘。所述第二密封环安置于所述半导体装置的所述第二表面上且相邻于所述第二表面的边缘。本发明实施例还提供一种半导体制造方法。

公开(公告)号：CN106158781B

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201610769934.0

申请日：2010-11-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沈文维 ,  陈承先 ,  郭正铮 ,  陈明发 ,  王荣德

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/065 ,  H01L23/488 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种微凸块接合装置，包括一工件，其包括一金属凸块；以及一介电层，其具有位于上述金属凸块正上方的一部分。上述金属凸块和上述介电层的上述部分的一表面形成一介面。一金属表面处理物形成于上述金属凸块的上方且接触上述金属凸块。上述金属表面处理物从上述介电层的上方延伸上述介面的下方。通过本发明实施例的接合结构，可强化现有技术的弱点，且可改善接合结构的可靠度。

公开(公告)号：CN106158781A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610769934.0

申请日：2010-11-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沈文维 ,  陈承先 ,  郭正铮 ,  陈明发 ,  王荣德

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/065 ,  H01L23/488 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L23/3157 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81345 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/35 ,  Y10T428/12361 ,  Y10T428/12396 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/206 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供一种微凸块接合装置，包括一工件，其包括一金属凸块；以及一介电层，其具有位于上述金属凸块正上方的一部分。上述金属凸块和上述介电层的上述部分的一表面形成一介面。一金属表面处理物形成于上述金属凸块的上方且接触上述金属凸块。上述金属表面处理物从上述介电层的上方延伸上述介面的下方。通过本发明实施例的接合结构，可强化现有技术的弱点，且可改善接合结构的可靠度。

公开(公告)号：CN115440700A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210792590.0

申请日：2022-07-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈开亨 ,  曹佩华 ,  吕学德 ,  王荣德 ,  王建竣

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 本公开提供一种封装结构及其形成方法。封装结构包括一基板、一第一钝化层、一金属层、一第二钝化层以及一聚合物层。第一钝化层形成在基板之上。金属层共形地形成在第一钝化层上。第二钝化层共形地形成在第一钝化层及金属层上。一阶梯结构形成在第二钝化层的顶表面上，且包括至少一较低部分，低于阶梯结构的其他部分。聚合物层形成在第二钝化层之上。聚合物层的一部分延伸到阶梯结构的较低部分中以与阶梯结构卡合。

公开(公告)号：CN109727954A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201810273140.4

申请日：2018-03-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王荣德 ,  刘承勋 ,  古进誉 ,  庞德勋 ,  王家桦 ,  蔡佩杏 ,  林柏瑺

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/31

Abstract: 一种半导体结构包括半导体装置、第一密封环、第二密封环及多个半导体穿孔(through semiconductor via，TSV)。半导体装置具有第一表面及与第一表面相对的第二表面。第一密封环安置在半导体装置的第一表面上且与第一表面的边缘相邻。第二密封环安置在半导体装置的第二表面上且与第二表面的边缘相邻。半导体穿孔穿过半导体装置且物理连接(physically connect)第一密封环及第二密封环。

公开(公告)号：CN108122855A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710148905.7

申请日：2017-03-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘承勋 ,  古进誉 ,  王荣德 ,  谢维伦 ,  王家桦 ,  陈正泓 ,  蔡佩杏

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L21/78 ,  H01L23/562 ,  H01L23/3171

Abstract: 一种半导体结构具有半导体装置、第一密封环及第二密封环。所述半导体装置具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述第一密封环安置于所述半导体装置的所述第一表面上且相邻于所述第一表面的边缘。所述第二密封环安置于所述半导体装置的所述第二表面上且相邻于所述第二表面的边缘。本发明实施例还提供一种半导体制造方法。