公开(公告)号：CN1450645A

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN02105861.X

申请日：2002-04-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林建炜 ,  卓静玟 ,  何大椿

IPC: H01L27/112 ,  H01L27/10

Abstract: 一种无接触区形成于存储单元区的分栅快闪存储单元阵列结构，形成于半导体基板之上，其至少包含：复数个隔离区块，以阵列排列方式形成于该半导体基板上；复数个快闪存储单元，每一该快闪存储单元包含浮置栅极，以阵列排列方式形成于该半导体基板上，且位于该复数个隔离区块以外的主动区上，而构成复数列快闪存储单元，每列快闪存储单元共用一控制栅极线；复数纵行扩散区形成于该隔离区块纵行之间的半导体基板内，且与上述每列快闪存储单元的控制栅极线相会；因此，经由指定列的控制栅极及指定行扩散区可分别指定一存储单元，以进行对该被指定的存储单元程序化，或读取资料；上述存储单元的接触形成于存储单元区以外的半导体基板内。

公开(公告)号：CN1278426C

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN02105861.X

申请日：2002-04-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林建炜 ,  卓静玟 ,  何大椿

IPC: H01L27/112 ,  H01L27/10

Abstract: 一种无接触区形成于存储单元区的分栅快闪存储单元阵列结构，形成于半导体基板之上，其至少包含：多个隔离区块，以阵列排列方式形成于该半导体基板上；多个快闪存储单元，每一该快闪存储单元包含浮置栅极，以阵列排列方式形成于该半导体基板上，且位于该多个隔离区块以外的有源区上，而构成多列快闪存储单元，每列快闪存储单元共用一控制栅极线；多个纵行扩散区形成于该隔离区块纵行之间的半导体基板内，且与上述每列快闪存储单元的控制栅极线相会；因此，经由指定列的控制栅极及指定行扩散区可分别指定一存储单元，以进行对该被指定的存储单元编程，或读取资料；上述存储单元的接触形成于存储单元区以外的半导体基板内。