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公开(公告)号：CN101447399A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810169111.X
申请日：2007-04-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供集成电路设计系统，可用于局部移除多项目晶片的电路图案。此系统可用以提供多项目晶片。该系统可包括：处理系统，用以在多项目晶片之上制作出多个晶粒，其中，所述多个晶粒分别包括第一使用者的集成电路设计与第二使用者的集成电路设计；以及钻石锯片，用以对多个晶粒中属于第二使用者的集成电路设计进行破坏或电路移除，仅保留第一使用者的集成电路设计。本发明可以在不必牺牲其他使用者的专用电路设计信息的情况下将多项目晶片提供给使用者。
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公开(公告)号：CN101656225A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910166148.1
申请日：2009-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/70 , H01L21/027 , G03F1/14
CPC classification number: G03F1/00
Abstract: 本发明是有关于一种混合式多层光罩组及其制造方法，其可对半导体基材的层结构进行曝光，以制造集成电路元件。这些层结构至少区分为第一子集和第二子集。混合式光罩组包含多层光罩以及投产光罩。多层光罩包含多个图案以及间隙，这些图案彼此不同以分别对应第一子集的层结构。间隙分隔这些图案。投产光罩包含多个图案以及切割道，这些图案彼此相同。切割道分隔这些图案。其中多层光罩的间隙宽度宽于投产光罩的切割道宽度。本发明的量产前的试制能够减少成本与材料，且使得量产速度较先前为快的方式进行，非常适于实用。
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公开(公告)号：CN100394426C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200410096584.3
申请日：2004-12-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种事件良率关联分析系统及方法以及计算机可读取储存媒体，其系统包括一数据库与一纪录分析单元。数据库用来储存事件纪录、影响纪录以及良率纪录。纪录分析单元依据影响纪录筛选出受影响半导体对象以及未受影响半导体对象，依据良率纪录，计算受影响半导体对象的第一平均良率以及未受影响半导体对象的第二平均良率，使用假设检定方法，检定第二平均良率是否大于第一平均良率。
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公开(公告)号：CN102915945B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201210291013.X
申请日：2009-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F1/00
Abstract: 本发明是有关于一种制造集成电路元件的方法，其包括以下步骤：(1)为第一子集制造多层光罩，此多层光罩具有多个图案，这些图案彼此不同，以分别对应第一子集的层结构。(2)为第二子集制造第一投产光罩，此第一投产光罩具有多个图案，这些图案彼此相同。(3)使用多层光罩和第一投产光罩进行试制。(4)试制后，为第一子集制造第二投产光罩。(5)使用第一投产光罩和第二投产光罩，制造集成电路元件。本发明的量产前的试制能够减少成本与材料，且使得量产速度较先前为快的方式进行，非常适于实用。
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公开(公告)号：CN102915945A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210291013.X
申请日：2009-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F1/00
Abstract: 本发明是有关于一种制造集成电路元件的方法，其包括以下步骤：(1)为第一子集制造多层光罩，此多层光罩具有多个图案，这些图案彼此不同，以分别对应第一子集的层结构。(2)为第二子集制造第一投产光罩，此第一投产光罩具有多个图案，这些图案彼此相同。(3)使用多层光罩和第一投产光罩进行试制。(4)试制后，为第一子集制造第二投产光罩。(5)使用第一投产光罩和第二投产光罩，制造集成电路元件。本发明的量产前的试制能够减少成本与材料，且使得量产速度较先前为快的方式进行，非常适于实用。
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公开(公告)号：CN101656225B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200910166148.1
申请日：2009-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F1/00
Abstract: 本发明是有关于一种混合式多层光罩组，其可对半导体基材的层结构进行曝光，以制造集成电路元件。这些层结构至少区分为第一子集和第二子集。混合式光罩组包含多层光罩以及投产光罩。多层光罩包含多个图案以及间隙，这些图案彼此不同以分别对应第一子集的层结构。间隙分隔这些图案。投产光罩包含多个图案以及切割道，这些图案彼此相同。切割道分隔这些图案。其中多层光罩的间隙宽度宽于投产光罩的切割道宽度。本发明的量产前的试制能够减少成本与材料，且使得量产速度较先前为快的方式进行，非常适于实用。
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公开(公告)号：CN1783065A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200410096584.3
申请日：2004-12-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种事件良率关联分析系统及方法以及计算机可读取储存媒体，其系统包括一数据库与一纪录分析单元。数据库用来储存事件纪录、影响纪录以及良率纪录。纪录分析单元依据影响纪录筛选出受影响半导体对象以及未受影响半导体对象，依据良率纪录，计算受影响半导体对象的第一平均良率以及未受影响半导体对象的第二平均良率，使用假设检定方法，检定第二平均良率是否大于第一平均良率。
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公开(公告)号：CN100552918C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200710096159.8
申请日：2007-04-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/82
Abstract: 本发明提供集成电路设计的制造方法与系统，可用于局部移除多项目晶片的电路图案。该方法为先定义其中一个使用者的集成电路设计为不需移除的部分，接着通过集成电路移除方法，将属于其他客户的集成电路完全移除。随后，此部分电路已移除的多项目晶片可提供给单一使用者进行电路测量，而不需担心公开其他使用者的设计电路。在实例中，通过激光系统可对于定义移除的集成电路进行完整的移除，于过程中不会对于留下的集成电路造成任何的影响。在另一实例中，利用钻石锯片也可对已定义移除的集成电路进行完整的移除，在过程中不会对于定义留下的其他集成电路的电路性能造成任何的影响。
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公开(公告)号：CN101055850A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710096159.8
申请日：2007-04-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/82
Abstract: 本发明提供集成电路设计的制造方法与系统，可用于局部移除多项目晶片的电路图案。该方法为先定义其中一个使用者的集成电路设计为不需移除的部分，接着通过集成电路移除方法，将属于其他客户的集成电路完全移除。随后，此部分电路已移除的多项目晶片可提供给单一使用者进行电路测量，而不需担心公开其他使用者的设计电路。在实例中，通过激光系统可对于定义移除的集成电路进行完整的移除，于过程中不会对于留下的集成电路造成任何的影响。在另一实例中，利用钻石锯片也可对已定义移除的集成电路进行完整的移除，在过程中不会对于定义留下的其他集成电路的电路性能造成任何的影响。
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