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公开(公告)号：CN102915945B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201210291013.X
申请日：2009-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F1/00
Abstract: 本发明是有关于一种制造集成电路元件的方法，其包括以下步骤：(1)为第一子集制造多层光罩，此多层光罩具有多个图案，这些图案彼此不同，以分别对应第一子集的层结构。(2)为第二子集制造第一投产光罩，此第一投产光罩具有多个图案，这些图案彼此相同。(3)使用多层光罩和第一投产光罩进行试制。(4)试制后，为第一子集制造第二投产光罩。(5)使用第一投产光罩和第二投产光罩，制造集成电路元件。本发明的量产前的试制能够减少成本与材料，且使得量产速度较先前为快的方式进行，非常适于实用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101656225A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910166148.1
申请日：2009-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/70 , H01L21/027 , G03F1/14
CPC classification number: G03F1/00
Abstract: 本发明是有关于一种混合式多层光罩组及其制造方法，其可对半导体基材的层结构进行曝光，以制造集成电路元件。这些层结构至少区分为第一子集和第二子集。混合式光罩组包含多层光罩以及投产光罩。多层光罩包含多个图案以及间隙，这些图案彼此不同以分别对应第一子集的层结构。间隙分隔这些图案。投产光罩包含多个图案以及切割道，这些图案彼此相同。切割道分隔这些图案。其中多层光罩的间隙宽度宽于投产光罩的切割道宽度。本发明的量产前的试制能够减少成本与材料，且使得量产速度较先前为快的方式进行，非常适于实用。
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公开(公告)号：CN105045946A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510201140.X
申请日：2015-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5081 , G03F1/36 , G03F7/70441
Abstract: 本发明提供一种集成电路(IC)制造方法。方法包括接收IC的设计布局，其中设计布局包括多个非重叠的IC区，并且每一个IC区都包括相同的最初IC图案。方法还包括基于位置效应分析将IC区划分为多组，使得相应的一组中的所有IC区都具有基本相同的位置效应。方法还包括：使用包括位置效应的校正模型对每一组中的一个IC区执行校正；以及将校正的IC区复制到相应组中的其他IC区。方法还包括将校正的IC设计布局储存在有形的计算机可读介质中以用于进一步的IC工艺阶段。
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公开(公告)号：CN105045946B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201510201140.X
申请日：2015-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5081 , G03F1/36 , G03F7/70441
Abstract: 本发明提供一种集成电路(IC)制造方法。方法包括接收IC的设计布局，其中设计布局包括多个非重叠的IC区，并且每一个IC区都包括相同的最初IC图案。方法还包括基于位置效应分析将IC区划分为多组，使得相应的一组中的所有IC区都具有基本相同的位置效应。方法还包括：使用包括位置效应的校正模型对每一组中的一个IC区执行校正；以及将校正的IC区复制到相应组中的其他IC区。方法还包括将校正的IC设计布局储存在有形的计算机可读介质中以用于进一步的IC工艺阶段。
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公开(公告)号：CN102915945A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210291013.X
申请日：2009-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F1/00
Abstract: 本发明是有关于一种制造集成电路元件的方法，其包括以下步骤：(1)为第一子集制造多层光罩，此多层光罩具有多个图案，这些图案彼此不同，以分别对应第一子集的层结构。(2)为第二子集制造第一投产光罩，此第一投产光罩具有多个图案，这些图案彼此相同。(3)使用多层光罩和第一投产光罩进行试制。(4)试制后，为第一子集制造第二投产光罩。(5)使用第一投产光罩和第二投产光罩，制造集成电路元件。本发明的量产前的试制能够减少成本与材料，且使得量产速度较先前为快的方式进行，非常适于实用。
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公开(公告)号：CN101656225B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200910166148.1
申请日：2009-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F1/00
Abstract: 本发明是有关于一种混合式多层光罩组，其可对半导体基材的层结构进行曝光，以制造集成电路元件。这些层结构至少区分为第一子集和第二子集。混合式光罩组包含多层光罩以及投产光罩。多层光罩包含多个图案以及间隙，这些图案彼此不同以分别对应第一子集的层结构。间隙分隔这些图案。投产光罩包含多个图案以及切割道，这些图案彼此相同。切割道分隔这些图案。其中多层光罩的间隙宽度宽于投产光罩的切割道宽度。本发明的量产前的试制能够减少成本与材料，且使得量产速度较先前为快的方式进行，非常适于实用。
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