公开(公告)号：CN106653752B

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201610742346.8

申请日：2016-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李佳叡 ,  吴国铭 ,  林怡君 ,  亚历山大·卡尔尼茨基

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括具有第一浓度的第一块状区域中的第一源极区域以及具有第一栅极。第二晶体管包括具有比第一浓度高的第二浓度的第二块状区域中的第二源极区域。第二源极区域与第一源极区域和第一栅极连接。

公开(公告)号：CN109585550B

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN201810199593.7

申请日：2018-03-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李佳叡 ,  吴国铭 ,  林怡君

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构和半导体制造方法。本发明实施例揭示一种半导体结构。所述半导体结构包含：衬底；隔离区，其邻近于漏极区；栅极电极，其位于所述衬底上方且进一步向下延伸到所述衬底中，其中所述栅极电极在所述衬底的顶部表面下方的一部分邻接所述隔离区；以及源极区和漏极区，其形成于所述衬底中所述栅极结构的任一侧上。本发明实施例还揭示一种用于制造所述半导体结构的相关方法。

公开(公告)号：CN113629138A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202110772714.4

申请日：2021-07-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏柏智 ,  柳瑞兴 ,  王培伦 ,  李佳叡 ,  周君冠

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明描述了一种半导体结构，该半导体结构包括沟道区域、与沟道区域相邻的源极区域、漏极区域、与漏极区域相邻的漂移区域以及双栅极结构。双栅极结构包括位于沟道区域的一部分和漂移区域的一部分上方的第一栅极结构。双栅极结构还包括位于漂移区域上方的第二栅极结构。本发明实施例还涉及晶体管器件、及形成半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN109585550A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201810199593.7

申请日：2018-03-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李佳叡 ,  吴国铭 ,  林怡君

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构和半导体制造方法。本发明实施例揭示一种半导体结构。所述半导体结构包含：衬底；隔离区，其邻近于漏极区；栅极电极，其位于所述衬底上方且进一步向下延伸到所述衬底中，其中所述栅极电极在所述衬底的顶部表面下方的一部分邻接所述隔离区；以及源极区和漏极区，其形成于所述衬底中所述栅极结构的任一侧上。本发明实施例还揭示一种用于制造所述半导体结构的相关方法。

公开(公告)号：CN106653752A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610742346.8

申请日：2016-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李佳叡 ,  吴国铭 ,  林怡君 ,  亚历山大·卡尔尼茨基

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括具有第一浓度的第一块状区域中的第一源极区域以及具有第一栅极。第二晶体管包括具有比第一浓度高的第二浓度的第二块状区域中的第二源极区域。第二源极区域与第一源极区域和第一栅极连接。

公开(公告)号：CN221508188U

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202322887729.2

申请日：2023-10-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈高超 ,  李佳叡 ,  何嘉政 ,  魏佳瑜

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78

Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置。半导体装置中的高压晶体管可以包括在衬底中的场板结构和高压晶体管的通道区之间的阶梯状介电层。阶梯状介电层可以通过降低高压晶体管的漏极区附近的电场强度来增加高压晶体管的击穿电压。特别是，漏极区附近的阶梯状介电层的部分包括的厚度大于栅极结构附近的阶梯状介电层的另一部分的厚度。漏极区附近所增加的厚度提供了漏极区(其在高电压下工作)附近增强的电场抑制。本实用新型可以此方式，阶梯状介电层使本文所述的高压晶体管能够实施更高的击穿电压，而无需增加高压晶体管的栅极结构和漏极区之间的距离。