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公开(公告)号：CN113310758B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202010082608.9
申请日：2020-02-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N1/28 , G01N23/04 , G01N23/2251 , G01N25/18 , G01N21/31 , G01N23/201 , B23K26/38 , B23K26/70
Abstract: 本发明提供一种显微试片制备方法、装置及记录介质。此方法包括下列步骤：撷取待测对象的测试影像；辨识测试影像中的多个测试样本，并根据辨识结果从测试影像中选择关注区域；利用激光切割关注区域中的测试样本，以产生间隙排列的测试样本作为多个目标样本；以及利用聚焦离子束切削各个目标样本为目标形状，以制备显微试片。
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公开(公告)号：CN113539869A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110127599.5
申请日：2021-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露公开一种原子探针层析成像试样的元件，以及针对制备原子探针层析成像(atom probe tomography，APT)试样的技术。所揭示技术直接在晶圆上的DUT区域上形成APT试样或样本。APT试样与基板或在APT试样之下的支撑结构(例如，载体)整体地形成。进行激光图案化以形成DUT中的沟槽及在沟槽中的一或更多个凸块结构。激光图案化相对粗糙且在凸块结构中的每一者上形成粗糙的表面纹理。接着进行使用双束聚焦离子束(FIB)显微镜的低kV气体离子铣削，以使凸块结构成形为APT试样。
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公开(公告)号：CN113310758A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202010082608.9
申请日：2020-02-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N1/28 , G01N23/04 , G01N23/2251 , G01N25/18 , G01N21/31 , G01N23/201 , B23K26/38 , B23K26/70
Abstract: 本发明提供一种显微试片制备方法、装置及记录介质。此方法包括下列步骤：撷取待测对象的测试影像；辨识测试影像中的多个测试样本，并根据辨识结果从测试影像中选择关注区域；利用激光切割关注区域中的测试样本，以产生间隙排列的测试样本作为多个目标样本；以及利用聚焦离子束切削各个目标样本为目标形状，以制备显微试片。
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公开(公告)号：CN113092824A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110171821.1
申请日：2021-02-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种检测铁电信号的方法和压电式力显微镜设备。方法包含以下步骤。产生输入波形信号，其中输入波形信号包含具有不同电压电平的多个读取电压步骤。将输入波形信号施加到铁电膜。原子力显微镜探针对铁电膜的表面进行扫描以测量铁电膜的表面构形。在将输入波形信号施加到铁电膜的像素时检测原子力显微镜探针的偏转，以产生偏转信号。产生基于偏转信号的像素的频谱数据。分析像素的频谱数据以确定像素的频谱数据是铁电信号还是非铁电信号。
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公开(公告)号：CN113092824B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202110171821.1
申请日：2021-02-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种检测铁电信号的方法和压电式力显微镜设备。方法包含以下步骤。产生输入波形信号，其中输入波形信号包含具有不同电压电平的多个读取电压步骤。将输入波形信号施加到铁电膜。原子力显微镜探针对铁电膜的表面进行扫描以测量铁电膜的表面构形。在将输入波形信号施加到铁电膜的像素时检测原子力显微镜探针的偏转，以产生偏转信号。产生基于偏转信号的像素的频谱数据。分析像素的频谱数据以确定像素的频谱数据是铁电信号还是非铁电信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111829841A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910298408.4
申请日：2019-04-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种针状样品包括样品部、底座部以及焊料部。样品部包括针状尖端以及感兴趣区域。底座部连接样品部，其中所述样品部的最大长度与所述针状样品在所述样品部相对于所述针状尖端的底端处的直径的比值介于1至2.5之间。焊料部覆盖样品部的侧面并连接于样品部与底座部之间。针状样品的分析方法以及制备方法也被提出。
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公开(公告)号：CN110783313A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910698003.X
申请日：2019-07-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/544
Abstract: 本揭示案的实施例涉及原子探针断层分析(APT)样品的制备方法。将半导体装置中的一结构识别为包括用于APT程序的测试物件。在将获取APT样品的结构中识别靶区域。对靶区域进行分析，以判断其内是否存在问题元件特征。问题元件可包括难以蒸发的材料、中空区域、相对于测试物件不可识别的材料、或对APT分析造成问题的其他结构特征。若判定问题元件存在于靶区域中，则在制备APT样品之前，将问题元件替换为更适合的材料。
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公开(公告)号：CN110658359A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910578238.5
申请日：2019-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01Q60/00
Abstract: 本揭露提供一种度量工具、带电粒子侦测系统及用于侦测半导体度量工具中的电离原子的方法。度量工具包括粒子产生系统、局部电极、粒子捕捉装置、位置侦测器与处理器。粒子产生系统配置以从样品中移除粒子。局部电极配置以产生吸引电场，并将被移除的粒子引向局部电极的孔径。粒子捕捉装置配置以在样品与局部电极之间的区域周围产生排斥电场，并将被移除的粒子排斥到孔径。位置侦测器配置以确定被移除的粒子的二维位置座标与被移除的粒子的飞行时间。处理器配置以基于飞行时间来辨识被移除的粒子。
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公开(公告)号：CN102646627B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201210035521.1
申请日：2012-02-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括提供衬底。该方法包括在衬底上方形成互连结构的一部分。该部分互连结构具有开口。该方法包括获得没有硼-10同位素的含硼气体。该方法包括用导电材料填充开口以形成接触件。使用含硼气体实施填充开口。还提供一种半导体器件。半导体器件包括衬底。半导体器件包括形成在衬底上方的互连结构。半导体器件包括形成在互连结构中的导电接触件。导电接触件具有包括钨和硼的材料成分，其中，硼是富含11B的硼。本发明还提供了先进硅处理中的软错误率(SER)减少。
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公开(公告)号：CN113223976B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202010072192.2
申请日：2020-01-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66 , G01N23/04 , G01N23/2202 , G01N23/2251
Abstract: 本公开提供一种显微试片制备方法、装置及记录介质。此方法包括下列步骤：辨识一测试影像中的多个测试样本，并根据辨识结果从测试样本中挑选目标样本；将目标样本移载至样本支柱，并获取移载后目标样本的俯视图，以辨识俯视图中目标样本的中心点；以及根据此中心点与目标样本的切削图案之间的位移，移动切削目标样本所使用的掩模的位置，以切削目标样本。
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