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公开(公告)号：CN103779283B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310030492.4
申请日：2013-01-25
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L21/563 , H01L23/13 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/26145 , H01L2224/26175 , H01L2224/27013 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/014 , H01L2224/05552
摘要： 本发明公开了封装器件及其制造方法，以及用于半导体器件的封装方法。在一种实施方式中，一种封装器件包括具有集成电路管芯安装区域的衬底。底部填充材料流动阻止部件围绕所述集成电路管芯安装区域设置。本发明还公开了封装方法。
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公开(公告)号：CN102569194B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201110329737.4
申请日：2011-10-26
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/56 , H01L27/146 , H01L23/00 , H01L23/31
CPC分类号： H01L27/14618 , H01L21/561 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L27/14687 , H01L2224/13
摘要： 一种方法包括进行在封装结构上的第一芯片切割，并且包括形成在封装结构的沟槽中延伸的第一金属引线和第二金属引线，其中，所述第一金属引线和所述第二金属引线与在封装结构的装置中的接触焊盘的侧边缘接触。第一金属引线和第二金属引线通过连接金属部互相连接，进行预切割以切割连接金属部来分离第一金属引线和第二金属引线，其中，在预切割以后，连接金属部的剩余部具有边缘。在第一金属引线和第二金属引线的上方形成电介质涂层。进行芯片切割以将封装结构切割开，从而，将第一芯片和第二芯片分成分离件，在每个生成的分离件中，通过第一电介质涂层的剩余部来覆盖连接金属部的剩余部的边缘。
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公开(公告)号：CN103915374A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310127589.7
申请日：2013-04-12
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532
CPC分类号： H01L23/49811 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L23/3192 , H01L23/525 , H01L23/5329 , H01L24/94 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/11849 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13655 , H01L2224/13664 , H01L2224/16 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/014 , H01L2224/05552 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L24/03 , H01L24/11
摘要： 本发明公开了钝化后互连结构及其形成方法。一种方法包括：在钝化层上方形成聚合物层，其中钝化层还包括位于金属焊盘上方的一部分。图案化聚合物层以在聚合物层中形成开口，其中聚合物层的暴露表面具有第一粗糙度。实施表面处理以使聚合物层的粗糙度增加至大于第一粗糙度的第二粗糙度。在聚合物层的暴露表面上方形成金属部件。
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公开(公告)号：CN100358122C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200510117350.7
申请日：2005-11-02
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
发明人： 郭彦良
CPC分类号： G01R1/07307 , G01R1/06794
摘要： 本发明是关于一种导电凸块测试装置与测试方法，所述导电凸块测试装置，适用于测试多个导电凸块，包括：一支撑基板；以及分别设置于该支撑基板内的一第一探针、一第二探针以及多个双探针组，其中各双探针组包括两电性连结的第三探针。本发明所述的导电凸块测试装置与测试方法，可于凸块形成后立即应用，以便即时检验所形成的凸块品质以及所应用的凸块制程。
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公开(公告)号：CN111092090A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201910438119.X
申请日：2019-05-24
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本申请的各种实施例涉及具有高强度和接合能力的焊盘。在一些实施例中，集成芯片包括衬底、互连结构、焊盘和导电结构。互连结构邻接衬底并且包括导线和通孔。导线和通孔堆叠在焊盘和衬底之间。导电结构(例如，引线接合)延伸穿过衬底至焊盘。通过在焊盘和衬底之间布置导线和通孔，焊盘可以嵌入互连结构的钝化层中，并且钝化层可以吸收焊盘上的应力。此外，焊盘可以在顶部导线层级处接触导线和通孔。顶部导线层级的厚度可以超过其他导线层级的厚度，由此顶部导线层级可以更耐受应力。本发明的实施例还涉及集成芯片及其形成方法。
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公开(公告)号：CN103915374B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201310127589.7
申请日：2013-04-12
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532
CPC分类号： H01L23/49811 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L23/3192 , H01L23/525 , H01L23/5329 , H01L24/94 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/11849 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13655 , H01L2224/13664 , H01L2224/16 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/014 , H01L2224/05552 , H01L2224/11 , H01L2224/03
摘要： 本发明公开了钝化后互连结构及其形成方法。一种方法包括：在钝化层上方形成聚合物层，其中钝化层还包括位于金属焊盘上方的一部分。图案化聚合物层以在聚合物层中形成开口，其中聚合物层的暴露表面具有第一粗糙度。实施表面处理以使聚合物层的粗糙度增加至大于第一粗糙度的第二粗糙度。在聚合物层的暴露表面上方形成金属部件。
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公开(公告)号：CN103515314B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201210377778.5
申请日：2012-10-08
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L23/3135 , H01L21/78 , H01L23/3107 , H01L23/3157 , H01L23/585 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/15 , H01L2224/02331 , H01L2224/02377 , H01L2224/0401 , H01L2224/0502 , H01L2224/05022 , H01L2224/05099 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05186 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05573 , H01L2224/05582 , H01L2224/05599 , H01L2224/05647 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13111 , H01L2224/16225 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/14 , H01L2224/03 , H01L2224/05 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2224/05552
摘要： 本发明涉及集成电路封装及其形成方法，该方法包括：在晶片的衬底上方形成电连接件；然后形成聚合物层，其中，至少部分电连接件形成在该聚合物层中。执行第一锯切步骤从而在该聚合物层中形成沟槽。第一锯切步骤完成后，执行第二锯切步骤从而将晶片锯切成多个管芯。
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公开(公告)号：CN113223976B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202010072192.2
申请日：2020-01-21
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , G01N23/04 , G01N23/2202 , G01N23/2251
摘要： 本公开提供一种显微试片制备方法、装置及记录介质。此方法包括下列步骤：辨识一测试影像中的多个测试样本，并根据辨识结果从测试样本中挑选目标样本；将目标样本移载至样本支柱，并获取移载后目标样本的俯视图，以辨识俯视图中目标样本的中心点；以及根据此中心点与目标样本的切削图案之间的位移，移动切削目标样本所使用的掩模的位置，以切削目标样本。
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公开(公告)号：CN113223976A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202010072192.2
申请日：2020-01-21
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , G01N23/04 , G01N23/2202 , G01N23/2251
摘要： 本公开提供一种显微试片制备方法、装置及记录介质。此方法包括下列步骤：辨识一测试影像中的多个测试样本，并根据辨识结果从测试样本中挑选目标样本；将目标样本移载至样本支柱，并获取移载后目标样本的俯视图，以辨识俯视图中目标样本的中心点；以及根据此中心点与目标样本的切削图案之间的位移，移动切削目标样本所使用的掩模的位置，以切削目标样本。
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公开(公告)号：CN103779283A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310030492.4
申请日：2013-01-25
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L21/563 , H01L23/13 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/26145 , H01L2224/26175 , H01L2224/27013 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/014 , H01L2224/05552
摘要： 本发明公开了封装器件及其制造方法，以及用于半导体器件的封装方法。在一种实施方式中，一种封装器件包括具有集成电路管芯安装区域的衬底。底部填充材料流动阻止部件围绕所述集成电路管芯安装区域设置。本发明还公开了封装方法。
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