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公开(公告)号：CN103515314A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210377778.5
申请日：2012-10-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/3135 , H01L21/78 , H01L23/3107 , H01L23/3157 , H01L23/585 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/15 , H01L2224/02331 , H01L2224/02377 , H01L2224/0401 , H01L2224/0502 , H01L2224/05022 , H01L2224/05099 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05186 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05573 , H01L2224/05582 , H01L2224/05599 , H01L2224/05647 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13111 , H01L2224/16225 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/14 , H01L2224/03 , H01L2224/05 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2224/05552 , H01L21/56 , H01L23/3171 , H01L24/11 , H01L24/14 , H01L2224/11 , H01L2224/1405
Abstract: 本发明涉及集成电路封装及其形成方法，该方法包括：在晶片的衬底上方形成电连接件；然后形成聚合物层，其中，至少部分电连接件形成在该聚合物层中。执行第一锯切步骤从而在该聚合物层中形成沟槽。第一锯切步骤完成后，执行第二锯切步骤从而将晶片锯切成多个管芯。
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公开(公告)号：CN103915374B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201310127589.7
申请日：2013-04-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/532
CPC classification number: H01L23/49811 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L23/3192 , H01L23/525 , H01L23/5329 , H01L24/94 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/11849 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13655 , H01L2224/13664 , H01L2224/16 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/014 , H01L2224/05552 , H01L2224/11 , H01L2224/03
Abstract: 本发明公开了钝化后互连结构及其形成方法。一种方法包括：在钝化层上方形成聚合物层，其中钝化层还包括位于金属焊盘上方的一部分。图案化聚合物层以在聚合物层中形成开口，其中聚合物层的暴露表面具有第一粗糙度。实施表面处理以使聚合物层的粗糙度增加至大于第一粗糙度的第二粗糙度。在聚合物层的暴露表面上方形成金属部件。
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公开(公告)号：CN103515314B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201210377778.5
申请日：2012-10-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/3135 , H01L21/78 , H01L23/3107 , H01L23/3157 , H01L23/585 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/15 , H01L2224/02331 , H01L2224/02377 , H01L2224/0401 , H01L2224/0502 , H01L2224/05022 , H01L2224/05099 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05186 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05573 , H01L2224/05582 , H01L2224/05599 , H01L2224/05647 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13111 , H01L2224/16225 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/14 , H01L2224/03 , H01L2224/05 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明涉及集成电路封装及其形成方法，该方法包括：在晶片的衬底上方形成电连接件；然后形成聚合物层，其中，至少部分电连接件形成在该聚合物层中。执行第一锯切步骤从而在该聚合物层中形成沟槽。第一锯切步骤完成后，执行第二锯切步骤从而将晶片锯切成多个管芯。
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公开(公告)号：CN103779283B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310030492.4
申请日：2013-01-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/563 , H01L23/13 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/26145 , H01L2224/26175 , H01L2224/27013 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/014 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明公开了封装器件及其制造方法，以及用于半导体器件的封装方法。在一种实施方式中，一种封装器件包括具有集成电路管芯安装区域的衬底。底部填充材料流动阻止部件围绕所述集成电路管芯安装区域设置。本发明还公开了封装方法。
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公开(公告)号：CN103633059B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201210479913.7
申请日：2012-11-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
CPC classification number: H01L21/56 , H01L21/566 , H01L23/293 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/05005 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05541 , H01L2224/05556 , H01L2224/05558 , H01L2224/05567 , H01L2224/05572 , H01L2224/05611 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/05686 , H01L2224/10126 , H01L2224/11831 , H01L2224/1191 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/04953 , H01L2924/04941 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01047 , H01L2924/206 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了半导体封装件及其制造方法，其中该半导体封装件包括：半导体衬底、位于半导体衬底上方的接触焊盘、位于接触焊盘上方的互连层、形成在接触焊盘和互连层之间的钝化层、位于互连层上方的凸块以及位于互连层和钝化层上方并覆盖凸块的下部的保护层。保护层包括弯曲表面区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103915374A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310127589.7
申请日：2013-04-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/532
CPC classification number: H01L23/49811 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L23/3192 , H01L23/525 , H01L23/5329 , H01L24/94 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/11849 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13655 , H01L2224/13664 , H01L2224/16 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/014 , H01L2224/05552 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L24/03 , H01L24/11
Abstract: 本发明公开了钝化后互连结构及其形成方法。一种方法包括：在钝化层上方形成聚合物层，其中钝化层还包括位于金属焊盘上方的一部分。图案化聚合物层以在聚合物层中形成开口，其中聚合物层的暴露表面具有第一粗糙度。实施表面处理以使聚合物层的粗糙度增加至大于第一粗糙度的第二粗糙度。在聚合物层的暴露表面上方形成金属部件。
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公开(公告)号：CN113223976B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202010072192.2
申请日：2020-01-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66 , G01N23/04 , G01N23/2202 , G01N23/2251
Abstract: 本公开提供一种显微试片制备方法、装置及记录介质。此方法包括下列步骤：辨识一测试影像中的多个测试样本，并根据辨识结果从测试样本中挑选目标样本；将目标样本移载至样本支柱，并获取移载后目标样本的俯视图，以辨识俯视图中目标样本的中心点；以及根据此中心点与目标样本的切削图案之间的位移，移动切削目标样本所使用的掩模的位置，以切削目标样本。
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公开(公告)号：CN113223976A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202010072192.2
申请日：2020-01-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66 , G01N23/04 , G01N23/2202 , G01N23/2251
Abstract: 本公开提供一种显微试片制备方法、装置及记录介质。此方法包括下列步骤：辨识一测试影像中的多个测试样本，并根据辨识结果从测试样本中挑选目标样本；将目标样本移载至样本支柱，并获取移载后目标样本的俯视图，以辨识俯视图中目标样本的中心点；以及根据此中心点与目标样本的切削图案之间的位移，移动切削目标样本所使用的掩模的位置，以切削目标样本。
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公开(公告)号：CN103489844B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201210457335.7
申请日：2012-11-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/06 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L23/525 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02331 , H01L2224/02351 , H01L2224/02375 , H01L2224/02381 , H01L2224/03828 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05551 , H01L2224/05557 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/06051 , H01L2224/10145 , H01L2224/11334 , H01L2224/13021 , H01L2224/13024 , H01L2224/13027 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/01023 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了封装半导体器件的方法和装置。公开了用于晶圆级封装(WLP)半导体器件的方法和装置。可以通过钝化后互连(PPI)线和PPI焊盘将电路的接触焊盘连接到焊料凸块。PPI焊盘可以包括中空部分和开口。PPI焊盘可以与PPI线作为一个整体一起形成。PPI焊盘的中空部分可以用于控制球安装工艺中所用的焊剂的量从而使得任何多余量的焊剂可以从PPI焊盘的实心部分的开口溢出。可以将焊料球直接安装到PPI焊盘而不使用如常规WLP封装件所需的任何凸块下金属(UBM)。
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公开(公告)号：CN103779283A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310030492.4
申请日：2013-01-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/563 , H01L23/13 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/26145 , H01L2224/26175 , H01L2224/27013 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/014 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明公开了封装器件及其制造方法，以及用于半导体器件的封装方法。在一种实施方式中，一种封装器件包括具有集成电路管芯安装区域的衬底。底部填充材料流动阻止部件围绕所述集成电路管芯安装区域设置。本发明还公开了封装方法。
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