公开(公告)号：CN102745638A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210057626.7

申请日：2012-03-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱家骅 ,  蔡易恒 ,  梁凯智 ,  徐家保 ,  朱立晟 ,  张贵松 ,  杨学安 ,  林宗贤

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L29/84 ,  B81B2203/0307 ,  B81C1/00039 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了微机电系统(MEMS)器件和用于制造这种器件的方法。在实施例中，MEMS器件包括：衬底，位于衬底上方的介电层，位于介电层上方的蚀刻停止层，以及和位于介电层上方的两个定位塞，该两个定位塞均与设置在介电层上方的蚀刻停止层或顶部金属层相接触。该器件进一步包括设置在空腔上方的MEMS结构层，该空腔通过释放牺牲层而在两个定位塞之间和位于蚀刻停止层上方的位置上形成。本发明还提供了一种微机电器件蚀刻停止。

公开(公告)号：CN102745638B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210057626.7

申请日：2012-03-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱家骅 ,  蔡易恒 ,  梁凯智 ,  徐家保 ,  朱立晟 ,  张贵松 ,  杨学安 ,  林宗贤

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L29/84 ,  B81B2203/0307 ,  B81C1/00039 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了微机电系统(MEMS)器件和用于制造这种器件的方法。在实施例中，MEMS器件包括：衬底，位于衬底上方的介电层，位于介电层上方的蚀刻停止层，以及和位于介电层上方的两个定位塞，该两个定位塞均与设置在介电层上方的蚀刻停止层或顶部金属层相接触。该器件进一步包括设置在空腔上方的MEMS结构层，该空腔通过释放牺牲层而在两个定位塞之间和位于蚀刻停止层上方的位置上形成。本发明还提供了一种微机电器件蚀刻停止。