-
公开(公告)号：CN103569937B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201210451121.9
申请日：2012-11-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0059 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81B2203/0315 , B81B2207/012 , B81C2203/0118 , G01P15/0802 , G01P15/125 , H04R2201/003
Abstract: 本发明公开了一种包括内含微机电系统(MEMS)器件的MEMS晶圆的器件。所述MEMS器件包括可移动元件，以及在所述MEMS晶圆中的第一开口。所述可移动元件设置在所述第一开口中。载体晶圆接合到MEMS晶圆。所述载体晶圆包括连接到所述第一开口的第二开口，其中所述第二开口包括自所述载体晶圆的表面延伸入所述载体晶圆的入口部分，以及比所述入口部分宽的内部部分，其中所述内部部分在所述载体晶圆中比所述入口部分深。本发明还公开了微机电系统(MEMS)器件以及MEMS器件形成方法。
-
公开(公告)号：CN102408090B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201110243547.0
申请日：2011-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00571 , B81B2203/0109 , B81B2203/0307 , B81C1/00063
Abstract: 本发明提供了具有增强锚和窄气隙的微结构器件。本文提供的微结构器件的一个实施例包括分层晶片。分层晶片包括硅基板层、形成在基板层上的埋入氧化物层以及形成在埋入氧化物层上的硅器件层。在器件层上形成顶部氧化物层。顶部氧化物层、器件层和埋入氧化物层被蚀刻，从而形成沟槽以在器件层中创建锚和微结构器件。在制造器件的工艺中，沿着微结构器件的侧面形成热氧化物层，以在埋入氧化物层、顶部氧化物层和热氧化物层中包围微结构器件。然后，形成多晶硅层以填充到沟槽中并包围锚。在多晶硅层填充到沟槽中之后，蚀刻掉包围微结构器件的氧化物层，释放微结构器件。
-
公开(公告)号：CN103964376A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310148440.7
申请日：2013-04-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0257 , B81B2203/0307 , B81B2207/012 , B81C1/00039 , B81C1/00261 , B81C2203/035
Abstract: 本发明公开了示例性双层微机电系统(MEMS)器件以及其制造方法。一种示例性方法包括：提供绝缘体上硅(SOI)衬底，SOI衬底包括通过绝缘层隔开的第一硅层与第二硅层；对第一硅层进行处理以形成MEMS器件的第一结构层；将第一结构层接合至衬底；以及对第二硅层进行处理以形成MEMS器件的第二结构层。
-
公开(公告)号：CN103193193A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210556596.4
申请日：2012-12-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00515 , B81B7/0006 , B81B7/0077 , B81B2201/0235 , B81B2203/0315 , B81B2207/07 , B81B2207/095 , B81B2207/096 , B81C1/00293 , B81C1/00301 , B81C2201/0132 , B81C2201/014 , B81C2203/0109 , B81C2203/0118 , B81C2203/0145 , B81C2203/035 , H01L2224/11
Abstract: 微机电系统(MEMS)器件及其形成方法。该MEMS器件可以包括位于第一衬底上方的MEMS结构。该MEMS结构包括可移动元件。在第一衬底上方沉积第一导电材料并在第二衬底中蚀刻沟槽。用第二导电材料填充沟槽并在第二导电材料和第二衬底上方沉积第三导电材料。接合第一衬底和第二衬底并减薄第二衬底的背面，所述减薄暴露沟槽中的第二导电材料。
-
公开(公告)号：CN102408090A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110243547.0
申请日：2011-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00571 , B81B2203/0109 , B81B2203/0307 , B81C1/00063
Abstract: 本发明提供了具有增强锚和窄气隙的微结构器件。本文提供的微结构器件的一个实施例包括分层晶片。分层晶片包括硅基板层、形成在基板层上的埋入氧化物层以及形成在埋入氧化物层上的硅器件层。在器件层上形成顶部氧化物层。顶部氧化物层、器件层和埋入氧化物层被蚀刻，从而形成沟槽以在器件层中创建锚和微结构器件。在制造器件的工艺中，沿着微结构器件的侧面形成热氧化物层，以在埋入氧化物层、顶部氧化物层和热氧化物层中包围微结构器件。然后，形成多晶硅层以填充到沟槽中并包围锚。在多晶硅层填充到沟槽中之后，蚀刻掉包围微结构器件的氧化物层，释放微结构器件。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102674233B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201110308561.4
申请日：2011-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/007 , B81B2207/096
Abstract: 一种封装系统，包括：第一衬底结构，包括设置在第一衬底上方的至少一个第一导电结构；以及第二衬底结构，包括第二衬底，第二衬底结构与第一衬底结构相接合，其中，至少一个第一导电结构通过至少一个含锗层与第二衬底电连接。本发明还提供了一种封装系统及其制造方法。
-
公开(公告)号：CN102556933B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201110329759.0
申请日：2011-10-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L41/311 , B81B3/0021 , B81C1/00 , H01L41/113 , H01L41/1136 , H01L41/1138 , H01L41/22 , H01L41/312 , H02K35/04 , H02N2/186 , Y10T29/42 , Y10T29/49005 , Y10T29/49073 , Y10T29/49075 , Y10T29/49146
Abstract: 本发明提供了微器件。器件包括微电子机械系统(MEMS)可移动结构，位于MEMS可移动结构上的多个金属环，以及位于MEMS可移动结构上的压电元件。前部覆盖晶圆和背部覆盖晶圆与MEMS结构接合，前部覆盖晶圆和背部覆盖晶圆封装MEMS可移动结构，多个金属环，和压电元件。器件还包括设置在多个金属环上方的前部覆盖晶圆上的磁体。
-
公开(公告)号：CN102398888B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201110268843.6
申请日：2011-09-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: B81B7/0032 , B81C1/00269 , B81C1/00333
Abstract: 一种晶圆级封装的方法包括：提供具有埋氧层和顶部氧化层的基板，以及蚀刻基板，以在埋氧层上形成开口和在开口之间形成微型机电系统(MEMS)谐振器元件，MEMS谐振器元件被包围在埋氧层，顶部氧化层，以及侧壁氧化层中。该方法进一步包括：使用多晶硅填充开口，以形成邻近MEMS谐振器元件的多晶硅电极，移除邻近MEMS谐振器元件的顶部氧化层和侧壁氧化层，将多晶硅电极与互补金属氧化物半导体(CMOS)晶圆或载具晶圆之一接合，移除邻近MEMS谐振器元件的埋氧层，以及将基板与盖晶圆接合，以密封CMOS晶圆或载具晶圆之一和盖晶圆之间的MEMS谐振器元件。
-
公开(公告)号：CN103569937A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210451121.9
申请日：2012-11-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0059 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81B2203/0315 , B81B2207/012 , B81C2203/0118 , G01P15/0802 , G01P15/125 , H04R2201/003
Abstract: 本发明公开了一种包括内含微机电系统(MEMS)器件的MEMS晶圆的器件。所述MEMS器件包括可移动元件，以及在所述MEMS晶圆中的第一开口。所述可移动元件设置在所述第一开口中。载体晶圆接合到MEMS晶圆。所述载体晶圆包括连接到所述第一开口的第二开口，其中所述第二开口包括自所述载体晶圆的表面延伸入所述载体晶圆的入口部分，以及比所述入口部分宽的内部部分，其中所述内部部分在所述载体晶圆中比所述入口部分深。本发明还公开了微机电系统(MEMS)器件以及MEMS器件形成方法。
-
公开(公告)号：CN102556933A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110329759.0
申请日：2011-10-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L41/311 , B81B3/0021 , B81C1/00 , H01L41/113 , H01L41/1136 , H01L41/1138 , H01L41/22 , H01L41/312 , H02K35/04 , H02N2/186 , Y10T29/42 , Y10T29/49005 , Y10T29/49073 , Y10T29/49075 , Y10T29/49146
Abstract: 本发明提供了微器件。器件包括微电子机械系统(MEMS)可移动结构，位于MEMS可移动结构上的多个金属环，以及位于MEMS可移动结构上的压电元件。前部覆盖晶圆和背部覆盖晶圆与MEMS结构接合，前部覆盖晶圆和背部覆盖晶圆封装MEMS可移动结构，多个金属环，和压电元件。器件还包括设置在多个金属环上方的前部覆盖晶圆上的磁体。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
24
records
(took 0.03 seconds)
