公开(公告)号：CN109273429B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN201711090657.1

申请日：2017-11-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 古进誉 ,  杨政龙 ,  陈承先 ,  黄宏麟 ,  王肇仪 ,  陈清晖 ,  郭建鸿

IPC: H01L23/528

Abstract: 提供一种半导体装置。所述半导体装置包括第一介电层、凸块、刻蚀终止层以及间隔壁。所述第一介电层设置在导电结构之上并暴露出所述导电结构。所述凸块局部地设置在所述第一介电层中以电连接所述导电结构。所述刻蚀终止层在所述凸块旁边设置在所述第一介电层之上。所述间隔壁环绕所述凸块并设置在所述刻蚀终止层与所述凸块之间。

公开(公告)号：CN110299343B

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN201810488311.5

申请日：2018-05-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨政龙 ,  苏智宏 ,  陈承先 ,  黄宏麟 ,  蔡昆铭 ,  林玮哲

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明实施例公开半导体装置及其形成方法。所述半导体装置中的一种包括第一导电层、有机层、硅层、磁性层、及第二导电层。所述有机层设置在所述第一导电层之上并暴露出所述第一导电层的一部分。所述硅层设置在所述有机层上并接触所述有机层。所述磁性层设置在所述第一导电层之上。所述第二导电层设置在所述有机层及所述磁性层之上以电连接所述第一导电层。

公开(公告)号：CN110299343A

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201810488311.5

申请日：2018-05-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨政龙 ,  苏智宏 ,  陈承先 ,  黄宏麟 ,  蔡昆铭 ,  林玮哲

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明实施例公开半导体装置及其形成方法。所述半导体装置中的一种包括第一导电层、有机层、硅层、磁性层、及第二导电层。所述有机层设置在所述第一导电层之上并暴露出所述第一导电层的一部分。所述硅层设置在所述有机层上并接触所述有机层。所述磁性层设置在所述第一导电层之上。所述第二导电层设置在所述有机层及所述磁性层之上以电连接所述第一导电层。

公开(公告)号：CN113140536A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202110030332.4

申请日：2021-01-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘旭伦 ,  吕文雄 ,  郑明达 ,  颜晨恩 ,  杨政龙 ,  黄冠智

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3065

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置及其形成方法。公开了一种贯孔，包括在第一区域中具有第一开孔且在第二区域中具有第二开孔的侧壁，也公开了上述贯孔的形成方法。在一个实施例中，半导体装置包含：第一基板；以及贯孔，延伸穿过基板，基板包含：多个第一开孔，在基板的第一区域中邻近贯孔；以及多个第二开孔，在基板的第二区域中邻近贯孔，多个第一开孔的每个开孔具有第一深度，多个第二开孔的每个开孔具有第二深度，第一深度大于第二深度。

公开(公告)号：CN113140536B

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202110030332.4

申请日：2021-01-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘旭伦 ,  吕文雄 ,  郑明达 ,  颜晨恩 ,  杨政龙 ,  黄冠智

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3065

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置及其形成方法。公开了一种贯孔，包括在第一区域中具有第一开孔且在第二区域中具有第二开孔的侧壁，也公开了上述贯孔的形成方法。在一个实施例中，半导体装置包含：第一基板；以及贯孔，延伸穿过基板，基板包含：多个第一开孔，在基板的第一区域中邻近贯孔；以及多个第二开孔，在基板的第二区域中邻近贯孔，多个第一开孔的每个开孔具有第一深度，多个第二开孔的每个开孔具有第二深度，第一深度大于第二深度。

公开(公告)号：CN109273429A

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201711090657.1

申请日：2017-11-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 古进誉 ,  杨政龙 ,  陈承先 ,  黄宏麟 ,  王肇仪 ,  陈清晖 ,  郭建鸿

IPC: H01L23/528

Abstract: 提供一种半导体装置。所述半导体装置包括第一介电层、凸块、刻蚀终止层以及间隔壁。所述第一介电层设置在导电结构之上并暴露出所述导电结构。所述凸块局部地设置在所述第一介电层中以电连接所述导电结构。所述刻蚀终止层在所述凸块旁边设置在所述第一介电层之上。所述间隔壁环绕所述凸块并设置在所述刻蚀终止层与所述凸块之间。