公开(公告)号：CN110197828B

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201810584603.9

申请日：2018-06-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 温明璋 ,  张长昀 ,  林献钦 ,  吴伯峰 ,  林亚秀

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明的实施例提供了半导体器件及其形成方法。半导体器件包括第一和第二晶体管，第一和第二晶体管每个均具有设置在相应的晶体管的沟道区域上方的高k金属栅极。半导体器件还包括与相应的高k金属栅极的端部物理接触的第一和第二介电部件。第一和第二晶体管具有相同的导电类型。两个高k金属栅极具有相同数量的材料层。第一晶体管的阈值电压与第二晶体管的阈值电压不同，并且以下至少一个是正确的：两个高k金属栅极具有不同的宽度，第一和第二介电部件具有与两个晶体管的相应的沟道区域不同的距离，以及第一和第二介电部件具有不同的尺寸。

公开(公告)号：CN110197828A

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201810584603.9

申请日：2018-06-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 温明璋 ,  张长昀 ,  林献钦 ,  吴伯峰 ,  林亚秀

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明的实施例提供了半导体器件及其形成方法。半导体器件包括第一和第二晶体管，第一和第二晶体管每个均具有设置在相应的晶体管的沟道区域上方的高k金属栅极。半导体器件还包括与相应的高k金属栅极的端部物理接触的第一和第二介电部件。第一和第二晶体管具有相同的导电类型。两个高k金属栅极具有相同数量的材料层。第一晶体管的阈值电压与第二晶体管的阈值电压不同，并且以下至少一个是正确的：两个高k金属栅极具有不同的宽度，第一和第二介电部件具有与两个晶体管的相应的沟道区域不同的距离，以及第一和第二介电部件具有不同的尺寸。