公开(公告)号：CN113156578B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202110002382.1

申请日：2021-01-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁崇铭 ,  余振华 ,  刘重希 ,  蔡豪益 ,  谢政杰 ,  郭鸿毅 ,  戴志轩 ,  林华奎 ,  于宗源 ,  徐敏翔

IPC: G02B6/10

Abstract: 本公开涉及半导体器件和制造方法。提供了光子器件和制造方法。在实施例中，利用填充材料和/或辅助波导，以便保护其他内部结构(例如，光栅耦合器)免受后续处理步骤的严格影响。通过在制造工艺期间的适当时间处使用这些结构，可以避免可能以其他方式干扰器件的制造工艺或器件的操作的损坏和碎屑。

公开(公告)号：CN113156578A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110002382.1

申请日：2021-01-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁崇铭 ,  余振华 ,  刘重希 ,  蔡豪益 ,  谢政杰 ,  郭鸿毅 ,  戴志轩 ,  林华奎 ,  于宗源 ,  徐敏翔

IPC: G02B6/10

Abstract: 本公开涉及半导体器件和制造方法。提供了光子器件和制造方法。在实施例中，利用填充材料和/或辅助波导，以便保护其他内部结构(例如，光栅耦合器)免受后续处理步骤的严格影响。通过在制造工艺期间的适当时间处使用这些结构，可以避免可能以其他方式干扰器件的制造工艺或器件的操作的损坏和碎屑。