公开(公告)号：CN114373691A

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202110710654.3

申请日：2021-06-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何军 ,  林裕庭 ,  林威勋 ,  郭永良 ,  卢胤龙

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明实施例涉及晶片级测试方法及装置。本发明实施例提供一种用于测试半导体装置的方法及系统。所述方法包含：提供具有输入端子及输出端子的受测试装置DUT；在第一周期期间将具有第一电压电平的电压施加到所述DUT的所述输入端子；在所述第一周期之后的第二周期期间将应力信号施加到所述DUT的所述输入端子；响应于所述DUT的所述输出端子处的所述应力信号获得输出信号；及将所述输出信号与所述应力信号进行比较。所述应力信号包含多个序列，每一序列具有斜升阶段及斜降阶段。所述应力信号具有第二电压电平及第三电压电平。

公开(公告)号：CN110888032B

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN201910751987.3

申请日：2019-08-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 军·何 ,  林裕庭 ,  林威勋 ,  郭永良 ,  卢胤龙

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/28

Abstract: 本发明实施例涉及晶片级测试方法和系统。本公开提供用于测试半导体装置的方法和系统。所述方法包含以下操作。提供上面形成有IC的晶片。通过使所述IC的电压在第一周期期间升高到第一电压电平来为所述IC供能。将应力信号施加到所述IC。在第一周期之后的第二周期期间，所述应力信号包含多个序列。所述序列中的每一者具有斜升阶段和斜降阶段。所述应力信号致使所述IC的所述电压在第二电压电平与第三电压电平之间变动。在施加所述应力信号之后，确定所述IC是否符合测试准则。

公开(公告)号：CN110888032A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201910751987.3

申请日：2019-08-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 军·何 ,  林裕庭 ,  林威勋 ,  郭永良 ,  卢胤龙

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/28

Abstract: 本发明实施例涉及晶片级测试方法和系统。本公开提供用于测试半导体装置的方法和系统。所述方法包含以下操作。提供上面形成有IC的晶片。通过使所述IC的电压在第一周期期间升高到第一电压电平来为所述IC供能。将应力信号施加到所述IC。在第一周期之后的第二周期期间，所述应力信号包含多个序列。所述序列中的每一者具有斜升阶段和斜降阶段。所述应力信号致使所述IC的所述电压在第二电压电平与第三电压电平之间变动。在施加所述应力信号之后，确定所述IC是否符合测试准则。