公开(公告)号：CN115524931A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210172854.2

申请日：2022-02-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王圣闵 ,  张世明

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种镜面结构及微影系统的方法，镜面结构包括一绝缘层及设置于该绝缘层上的一第一导电层。该第一导电层包括设置于该绝缘层上的一第一非导电膜。该第一非导电膜包括一或多个第一导电段。该镜面结构亦包括设置于该第一导电层上的一反射层及设置于该反射层上的一电光层。该镜面结构进一步包括设置于该电光层上的一第二导电层。该第二导电层包括设置于该电光层上的一第二非导电膜。该第二非导电膜包括一或多个第二导电段。

公开(公告)号：CN118092077A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202311092642.4

申请日：2023-08-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王圣闵 ,  谢艮轩 ,  费安彦 ,  赖昱泽

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/54

Abstract: 本公开涉及在高NA EUV曝光的拼合区域引入明场成像的方法和系统。第一明场掩模板和第二明场掩模板用于双重曝光EUV光刻工艺，其中，第一和第二掩模板的曝光区域重叠。第一和第二掩模板各自分别包括：衬底、衬底上的反射多层、反射多层上的吸收材料的主图案、黑色边界区域、以及黑色边界与主图案之间的吸收材料的附加吸收区域。

公开(公告)号：CN116954030A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310705542.8

申请日：2023-06-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄实权 ,  王圣闵 ,  张世明 ,  谢艮轩

IPC: G03F7/20

Abstract: 本公开涉及匹配工具的系统及方法。在一种匹配工具的方法中，判断至少两个曝光机工具的至少两个光学系统的多个像差映图。借由使用至少两个曝光机工具中的每一者的光学系统将第一布局图案分别投影至基板，以产生光阻图案。基于所判断的至少两个光学系统的像差映图，调整上述至少两个光学系统的至少一个泽尼克系数，以最小化每个各自的基板上的光阻图案的第一区中的关键尺寸变异。

公开(公告)号：CN114690547A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202210033688.8

申请日：2022-01-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王圣闵 ,  谢艮轩

IPC: G03F1/76 ,  G03F7/20

Abstract: 一种形成半导体装置的方法，其包含产生具有主图案集的原始布局；在微影系统的光瞳面上模拟原始布局的第一能量分布，其中第一能量分布具有第一波前；通过在原始布局的未由主图案集占据的区域中插入虚设图案集来产生第一经修改布局；在微影系统的光瞳面上模拟第一经修改布局的第二能量分布；判定经模拟第二能量分布的第二波前是否比第一能量分布的第一波前更均匀；以及因应于经模拟第二能量分布的第二波前被判定为比第一能量分布的第一波前更均匀，使用具有第一经修改布局的第一光罩执行第一微影制程。

公开(公告)号：CN116626981A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202210925852.6

申请日：2022-08-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王圣闵 ,  赖昱泽 ,  谢艮轩

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/32

Abstract: EUV光掩模及其制造方法。一种用于极紫外(EUV)光刻的光掩模，包括电路图案和设置在电路图案周围并连接到电路图案的亚分辨率辅助图案。亚分辨率辅助图案的尺寸在从10nm到50nm的范围内。

公开(公告)号：CN116560175A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202210925585.2

申请日：2022-08-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏伟硕 ,  赖昱泽 ,  王圣闵 ,  谢艮轩 ,  郑介任 ,  张雅惠

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/42 ,  G03F1/32

Abstract: 本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。一种用于极紫外(EUV)光刻的光掩模，该光掩模包括用于将光掩模与EUV光刻工具对准的掩模对准标记，以及设置在掩模对准标记周围的亚分辨率辅助图案。亚分辨率辅助图案的尺寸在从10nm到50nm的范围内。