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公开(公告)号：CN115312375A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210243980.2
申请日：2022-03-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 本公开总体涉及使用非垂直工艺方案来减小布局尺寸的系统和方法。半导体处理系统包括布局数据库，该布局数据库存储指示要形成在晶圆中的特征的多个布局。半导体处理系统包括布局分析器，该布局分析器分析布局，并且针对每个布局确定非垂直粒子轰击工艺是否应当与光刻工艺结合使用以在晶圆中形成布局的特征。
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公开(公告)号：CN110647009B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201910566208.2
申请日：2019-06-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/76 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 一种使用光罩的图案形成方法、光罩及其制造方法。用于制造半导体元件的光罩包含沿第一方向延伸的第一图案、沿第一方向延伸且对齐第一图案的第二图案、以及沿第一方向延伸的次解析度图案。次解析度图案设置于第一图案的端部与第二图案的端部之间。第一图案的宽度与第二图案的宽度彼此相等，并且第一图案与第二图案用于半导体元件内的各别电路元件。
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公开(公告)号：CN109782528B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201811334345.5
申请日：2018-11-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本文提供了用于执行光学邻近修正和用于形成光掩模的技术的各个实例。在一些实例中，接收布局，布局包括要在光掩模上形成的形状。确定用于形状的多个目标光刻轮廓，多个目标光刻轮廓包括用于第一组工艺条件的第一目标轮廓和用于第二组工艺条件的与第一目标轮廓不同的第二目标轮廓。执行布局的光刻模拟以在第一组工艺条件下产生第一模拟轮廓，并且在第二组工艺条件下产生第二模拟轮廓。基于第一模拟轮廓和第一目标轮廓之间以及第二模拟轮廓和第二目标轮廓之间的边缘放置误差确定对布局的修改。本发明的实施例还涉及光学邻近修正和光掩模。
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公开(公告)号：CN110648911A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910569880.7
申请日：2019-06-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/311
Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法。在一种形成在半导体衬底上方的下层中沿第一轴延伸的凹槽图案的方法中，在下层中形成第一开口，并且第一开口通过定向刻蚀沿第一轴延伸以形成凹槽图案。
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公开(公告)号：CN110647009A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910566208.2
申请日：2019-06-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/76 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 一种使用光罩的图案形成方法、光罩及其制造方法。用于制造半导体元件的光罩包含沿第一方向延伸的第一图案、沿第一方向延伸且对齐第一图案的第二图案、以及沿第一方向延伸的次解析度图案。次解析度图案设置于第一图案的端部与第二图案的端部之间。第一图案的宽度与第二图案的宽度彼此相等，并且第一图案与第二图案用于半导体元件内的各别电路元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104051328B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310348994.1
申请日：2013-08-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/3088 , H01L21/31144 , H01L21/32 , H01L21/32139 , H01L21/76816 , H01L23/53228 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种用于半导体制造的图案化方法，包括在半导体衬底上形成具有第一开口的第一图案。然后填充第一开口。在半导体衬底上形成第一部件和第二部件的第二图案，填充后的开口介入其中。然后在填充后的开口、第一部件和第二部件的侧壁上形成间隔件元件。在形成间隔件元件之后，去除构成第一部件和第二部件的材料以形成第二开口和第三开口。将填充后的开口、第二开口和第三开口用作掩模元件来蚀刻衬底的目标层。
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公开(公告)号：CN110648911B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201910569880.7
申请日：2019-06-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/311
Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法。在一种形成在半导体衬底上方的下层中沿第一轴延伸的凹槽图案的方法中，在下层中形成第一开口，并且第一开口通过定向刻蚀沿第一轴延伸以形成凹槽图案。
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公开(公告)号：CN110967934B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN201910325048.2
申请日：2019-04-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种执行光刻工艺的方法包括提供测试图案。测试图案包括以第一间距布置的第一组线、以第一间距布置的第二组线，并且还包括在第一组线和第二组线之间的至少一条参考线。用辐射源曝光测试图案，以在衬底上形成测试图案结构，辐射源提供不对称的单极照射轮廓。然后测量测试图案结构，并且将测量的距离与光刻参数的偏移相关联。基于光刻参数的偏移来调整光刻工艺。本发明的实施例还涉及光刻工艺监测方法。
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公开(公告)号：CN112748643A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011081893.9
申请日：2020-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露提供一种极紫外线微影装置及其使用方法。在范例中，一种极紫外线微影装置包含极紫外线光源和照明器。配置的极紫外线光源产生极紫外线光束以图案化基材上的光阻层。配置的照明器引导极紫外线光束至光罩表面上。在范例中，照明器包含场分面镜和光瞳分面镜。场分面镜包含第一组刻面的配置以分裂极紫外线光束成数个光通道。光瞳分面镜包含第二组刻面的配置以引导数个光通道至光罩表面上。第二组刻面在光瞳分面镜边缘处的分布密度高于在光瞳分面镜中心处。
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公开(公告)号：CN106935584B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201610905339.5
申请日：2016-10-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 本揭露是关于使用多重图案化制造集成电路的方法。提供集成电路的布局，布局具有多个集成电路特征。自布局取得一图形，图形具有多个节点，节点透过多个边连接，其中节点代表集成电路特征，而边代表集成电路特征之间的间隙。选择至少二个节点，其中被选择的节点并未直接透过一边连接，而被选择的节点共用至少一相邻节点，其中至少一相邻节点连接于N边，其中N大于2。移除连接少于N边的节点。
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