公开(公告)号：CN116133360A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211088972.1

申请日：2022-09-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈瑞麟 ,  王朝勋 ,  苏信文 ,  丁一峰 ,  王奇桦 ,  李怡鸿 ,  涂元添 ,  杨复凯 ,  王美匀 ,  王屏薇 ,  洪连嵘

IPC: H10B10/00

Abstract: 本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。根据本公开的方法包括形成从衬底突出的鳍状结构，形成与鳍状结构相交的栅极结构，在栅极结构的侧壁上形成栅极间隔件，以及在鳍状结构上方形成导电部件。栅极间隔件横向位于栅极结构和导电部件之间。方法还包括在栅极结构和导电部件上方沉积介电层，执行蚀刻工艺，从而形成穿过介电层的开口并暴露导电部件和栅极结构的顶面，通过开口凹进栅极间隔件，从而暴露栅极结构的侧壁，以及在开口中形成接触部件，其中接触部件与导电部件接触并且具有向下突出以与栅极结构的侧壁接触的底部。