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公开(公告)号：CN110941417A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910887657.7
申请日：2019-09-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，提供一种用于产生随机位的方法。方法包含通过将随机数产生器(RNG)信号提供到磁阻随机存取存储器(MRAM)单元来产生第一随机位。随机数产生器信号具有约0.5的机率将磁阻随机存取存储器单元的电阻状态从对应于第一数据状态的第一电阻状态切换到对应于第二数据状态的第二电阻状态。随后从磁阻随机存取存储器单元读取第一随机位。
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公开(公告)号：CN111210866B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201811396951.X
申请日：2018-11-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C29/56
Abstract: 本揭露提供一种磁场可靠性测试装置、磁场生成板及磁场可靠性的测试方法。磁场可靠性测试装置包括测试器及磁场生成板。测试器包括多个待测对象插槽以及电源供应端。测试器利用待测对象插槽测试多个待测对象的功能。磁场生成板包括多个电磁铁以及电源接收端。电源接收端耦接测试器的电源供应端以从测试器获得电磁铁的电力。每个电磁铁的位置设置至每个待测对象插槽的相应位置。每个电磁铁获得电力以提供磁场至对应的每个待测对象插槽。测试器在电磁铁提供磁场的情况下测试待测对象的功能是否完善。
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公开(公告)号：CN111210866A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201811396951.X
申请日：2018-11-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C29/56
Abstract: 本揭露提供一种磁场可靠性测试装置、磁场生成板及磁场可靠性的测试方法。磁场可靠性测试装置包括测试器及磁场生成板。测试器包括多个待测对象插槽以及电源供应端。测试器利用待测对象插槽测试多个待测对象的功能。磁场生成板包括多个电磁铁以及电源接收端。电源接收端耦接测试器的电源供应端以从测试器获得电磁铁的电力。每个电磁铁的位置设置至每个待测对象插槽的相应位置。每个电磁铁获得电力以提供磁场至对应的每个待测对象插槽。测试器在电磁铁提供磁场的情况下测试待测对象的功能是否完善。
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公开(公告)号：CN114814668A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210200202.5
申请日：2022-03-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01R33/00
Abstract: 一种测试包括磁性层的多层结构的测试装置和方法，测试包括磁性层的多层结构的方法中，测量电磁性耦接至多层结构的波导的一或多个网络参数，一或多个网络参数作为在测量一或多个网络参数的期间施加至多层结构的频率的函数和磁场的函数。基于所测量的一或多个网络参数，判定多层结构的磁性层的至少一个磁性性质。在一些实施例中，网络参数是S参数。至少一个磁性性质可包括磁性层的有效各向异性场及/或磁性层的阻尼常数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113176491A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110180271.X
申请日：2021-02-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施涉及测试设备及其使用方法。根据本发明的一些实施例，一种用于测试设备的盖包含：盖体；多个磁体，其安置于所述盖体上方；及多个调整部件，其中所述每一调整部件安置于所述盖体与一个对应磁体之间。所述盖体与每一磁体之间的垂直距离由一个对应调整部件调整。
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公开(公告)号：CN107689246A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710661595.9
申请日：2017-08-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G06F11/1068 , G06F3/0619 , G06F3/0638 , G06F3/064 , G06F3/0685 , G06F11/1048 , G11C17/16 , G11C17/18 , G11C29/44 , G11C29/50016 , G11C29/56004 , G11C29/78 , G11C2029/0403 , G11C2029/4402 , G11C2029/5002 , G11C29/42 , G11C29/56
Abstract: 本发明实施例提供用于校正存储器中的数据错误的系统及方法。形成包含存储器的集成电路IC裸片。确定当经受高温时易受数据遗失的存储器位置的地址。将数据位写入到所述存储器，其中所述数据位包含写入到所述存储器位置的一组位。将所述组位写入到当经受所述高温时不易受数据遗失的所述IC裸片的存储装置。在使所述IC裸片经受高温之后，重写存储于所述地址处的所述位中的至少一者。基于写入到所述存储装置的所述组位而重写所述位中的所述至少一者。
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公开(公告)号：CN110940907B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN201910729373.5
申请日：2019-08-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，提供一种半导体晶片测试系统及用于测试安置在半导体晶片上的集成芯片的方法。半导体晶片测试系统包含具有一个或多个导电探针的半导体晶片探测器，其中半导体晶片探测器被配置成将一个或多个导电探针定位在安置于半导体晶片上的集成芯片上。半导体晶片测试系统还包含铁磁性晶片卡盘，其中铁磁性晶片卡盘被配置成在晶片探测器将一或多个导电探针定位在集成芯片上时固持半导体晶片。上部磁铁安置在铁磁性晶片卡盘上方，其中上部磁铁被配置成在上部磁铁与铁磁性晶片卡盘之间产生外部磁场，且其中铁磁性晶片卡盘放大外部磁场，以使得外部磁场以放大的磁场强度穿过集成芯片。
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公开(公告)号：CN110940907A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910729373.5
申请日：2019-08-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，提供一种半导体晶片测试系统。半导体晶片测试系统包含具有一个或多个导电探针的半导体晶片探测器，其中半导体晶片探测器被配置成将一个或多个导电探针定位在安置于半导体晶片上的集成芯片上。半导体晶片测试系统还包含铁磁性晶片卡盘，其中铁磁性晶片卡盘被配置成在晶片探测器将一或多个导电探针定位在集成芯片上时固持半导体晶片。上部磁铁安置在铁磁性晶片卡盘上方，其中上部磁铁被配置成在上部磁铁与铁磁性晶片卡盘之间产生外部磁场，且其中铁磁性晶片卡盘放大外部磁场，以使得外部磁场以放大的磁场强度穿过集成芯片。
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公开(公告)号：CN221040539U
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202321559499.0
申请日：2023-06-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/16
Abstract: 本实用新型一些实施例涉及一种磁性存储器装置。所述磁性存储器装置包含经配置以感测外部磁场强度的磁性感测阵列。所述磁性存储器装置进一步包含经配置以响应于所述外部磁场强度大于阈值磁场强度而提供不同于所述磁性存储器装置的当前写入电压的测试电压的电压调制器。所述磁性存储器装置进一步包含错误检查阵列，所述错误检查阵列经配置以使用所述测试电压作为其写入电压，且提供对应于所述测试电压的位错误率。所述磁性存储器装置进一步包含控制单元，所述控制单元经配置以基于所述位错误率等于或小于阈值位错误率而将所述磁性存储器装置的写入电压从所述当前写入电压调整到所述测试电压。
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