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发明公开
半导体装置、其制造方法与使用其的感测方法审中-实审

公开(公告)号：CN115377005A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210850702.3

申请日：2022-07-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 金雅琴 , 林崇荣 , 林本坚 , 王玺钧

IPC: H01L21/8234 , H01L27/11517 , H01L27/11521

Abstract: 一种半导体装置、其制造方法与使用其的感测方法，半导体装置包含半导体鳍、隔离结构、栅极结构、源极/漏极结构、感测触点、感测垫结构及读取触点。半导体鳍包含通道区及位于通道区相对两侧的源极/漏极区。隔离结构横向围绕半导体鳍。栅极结构位于半导体鳍的通道区上方。源极/漏极结构分别位于半导体鳍的源极/漏极区上方。感测触点位于隔离结构正上方且与栅极结构相邻。感测垫结构连接至感测触点。读取触点位于隔离结构正上方且与栅极结构相邻。

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