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公开(公告)号：CN105278257B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201510312208.1
申请日：2015-06-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: H01J37/3174 , H01J2237/31761 , H01J2237/31769 , H01L21/0277
Abstract: 本发明提供了IC方法的一个实施例。首先接收IC设计布局的多个模板的图案密度(PD)。然后从多个模板中识别高PD离群值模板和低PD离群值模板。将高PD离群值模板分离为模板的多个子集，并且模板的每个子集携带高PD离群值模板的PD的部分。对低PD离群值模板实施PD均匀性(PDU)优化以及通过使用相应的模板的子集实施多个单独的曝光工艺。本发明涉及制造集成电路的方法。
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公开(公告)号：CN103956322B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410108600.X
申请日：2011-07-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L22/10 , G03F1/70 , G03F7/70433 , G03F7/70466 , G06F17/5036 , G06F17/5072 , G06F17/5081 , H01L21/31144 , H01L23/5226 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是有关于一种介层窗层的介层窗图案化掩膜分配的方法，所述的双重图案化技术的介层窗掩膜分离方法的实施例使得介层窗图案化能够对齐其底下或上方的金属层，藉以缩减重叠误差，进而增加介层窗的置放性。假如相邻的介层窗违反介层窗之间的空间或节距(或上述二者)的G0掩膜分离规则，因为具有较高的置放失误风险，故给予末端介层窗的掩膜分配较高的优先顺序，藉此确保末端介层窗有良好的置放性。此与金属相关的介层窗掩膜分离方法可获得如较低的介层窗阻抗的较佳介层窗性能以及较高的介层窗优良率。
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公开(公告)号：CN103456708B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210454441.X
申请日：2012-11-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: G03F1/20 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/045 , H01J37/3175 , H01J37/3177 , H01J2237/31774 , H01J2237/31789 , Y10S430/143
Abstract: 本发明公开一种用于反射电子束光刻的器件及其制造方法。所述器件包括衬底，形成在所述衬底上的多个导电层，这些导电层相互平行并且通过绝缘柱结构隔离；以及在每层导电层中的多个孔。每个导电层中的孔与其他导电层中的孔垂直对准并且每个孔的外围包括悬置的导电层。本发明还公开了改进反射电子束光刻的器件和方法。
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公开(公告)号：CN103376669B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201310125443.9
申请日：2013-04-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70058 , G03F7/20 , G03F7/2051 , G03F7/2059 , G03F7/70291 , G03F7/70625 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , G06F17/5081
Abstract: 本发明提供一种网格加密方法，其中公开了用于以因子n(n＜1)减小临界尺寸(CD)光刻工艺的方法的一个实施例。该方法包括：提供具有第一像素面积S1的图案发生器以产生具有等于n2*S1的第二像素面积S2的数据网格，其中，图案发生器包括具有多个网格段的多段结构，网格段均包括第一组网格段和第二组网格段，第一组网格段均被配置为在第一方向具有偏移；以及在光刻工艺期间，在垂直于第一方向的第二方向上扫描图案发生器，使得第二组网格段均被控制为具有时延。
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公开(公告)号：CN104460236A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410305880.3
申请日：2014-06-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70275 , G03F7/70008 , G03F7/7015 , G03F7/70208 , G03F7/70358 , G03F7/70716 , G03F7/70725 , H01L21/682
Abstract: 本发明提供用于光刻的高生产量和小占位面积扫描曝光的系统和方法。一种光刻系统，其包括辐射源和曝光工具，曝光工具包括在第一方向上密集地封装的多个曝光柱。每个曝光柱都包括被配置成经过辐射源的曝光区域。该系统还包括：晶圆载体，被配置成固定并且沿着垂直于第一方向的第二方向移动一个或多个晶圆，使得一个或多个晶圆通过曝光工具曝光，以沿着第二方向形成图案。一个或多个晶圆覆盖有光刻胶层并且在晶圆载体上以第二方向对准。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103885284A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310132002.1
申请日：2013-04-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/58
Abstract: 本发明公开了一种堆叠掩模。该掩模包括：低热膨胀材料(LTEM)衬底、至少两个吸收层以及分离这两个吸收层的间隔层。第一吸收层沉积在LTEM衬底上方。该掩模进一步包括位于吸收层的上方的顶涂层。间隔层的厚度约等于晶圆衬底上的构形部件的高度乘以物镜的缩倍的平方。吸收层包括阶段图案。
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公开(公告)号：CN103293870A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210387380.X
申请日：2012-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F1/36
Abstract: 本发明涉及一种光刻处理中的数据准备的方法。该数据准备的方法包括：在图形数据库系统(GDS)网格中提供集成电路(IC)布局设计，通过对子像素曝光网格应用误差扩散和网格移位技术，将IC布局设计GDS网络转换为第二曝光网格。本发明还提供了一种误差扩散和网格移位的算法。
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公开(公告)号：CN101846885A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200910168480.1
申请日：2009-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70275 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/70291 , G03F7/70508 , H01J37/3177 , H01J2237/31762
Abstract: 本发明提供一种无掩膜光刻设备及图案化多个基材的方法。此设备包括多个写入腔室，每一写入腔室包括：一晶圆座，用以固持一待写入晶圆；以及一多波束模块，用以提供多道辐射束以对该晶圆进行写入；一接口，可在每一该些写入腔室与一阻剂涂布显影机之间传输该晶圆，以处理该晶圆的一影像层；以及一数据路径，可提供一组电路图案数据给每一该些写入腔室中该多道辐射束中的每一道辐射束。
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公开(公告)号：CN1811599B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200510098695.2
申请日：2005-09-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/70466 , G03F7/001 , G03F7/201 , G03F7/203 , G03F7/70408
Abstract: 本发明是有关于一种在基材上制造图案的方法及系统，一种高解析度的微影系统与方法。在一实施例中，提供了一种在基材上制造图案的方法，包括将图案区分成至少一第一子图案以及一第二子图案，其中第一子图案包含朝第一方向的复数个线，且第二子图案包含朝第二方向的复数个线。利用第一驻波干涉图案形成朝第一方向的复数条线在基材上的第一光敏材料层上。消减所形成之线的一部分，以形成上述的第一子图案。在第一子图案形成后，提供第二光敏材料层在基材。利用第二驻波干涉图案形成朝第二方向的复数条线在第二光敏材料层上。消减形成在第二光敏层的这些线的一部分，以形成上述的第二子图案。
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公开(公告)号：CN100547488C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200510079341.3
申请日：2005-06-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种浸入式光学投影系统与集成电路晶片的制造方法。该浸入式光学投影系统包括：一末端镜片元件；一晶圆基座，用于握持一晶圆；一透明板，于该浸入式光学投影系统使用时座落于该末端镜片元件与该晶圆间。该透明板具有一镜片侧表面与一晶圆侧表面，该浸入式光学投影系统具有一镜片侧流体层，位于该末端镜片元件与该透明板的该镜片侧表面之间；以及该浸入式光学投影系统具有一晶圆侧流体层，位于该透明板的该晶圆侧表面与该晶圆之间。该晶圆侧流体层与该镜片侧流体层之间并无流通，且该镜片侧流体层可与该晶圆侧流体层相同或不同。本发明较少污染镜片，且仍保有一般浸入式系统的优点与功能。
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