公开(公告)号：CN110957267B

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN201910921677.1

申请日：2019-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴荣堂 ,  连绍慈 ,  廖启宏 ,  吴思桦 ,  欧阳良岳 ,  李锦思

IPC: H01L21/768 ,  H10D30/01

Abstract: 提供内连线结构及其形成方法。形成介电层及其中的开口于基底之上。形成导电晶种层于介电层的顶面之上、以及沿着开口的底端和侧壁。形成导电填充层于晶种层之上。可透过表面预处理还原/移除晶种层表面上的金属氧化物。在清洁表面未暴露于氧的情况下，透过沉积填充材料于晶种层之上覆盖清洁表面。表面处理可包含使用氢自由基的反应性远程等离子体清洁。如果使用电镀沉积填充层，则表面处理可包含在开启电镀电流之前将基底浸至于电解质中。其他表面处理可包含使用氢自由基的主动预处理；或使用MCxT设备的Ar溅射。

公开(公告)号：CN110957267A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910921677.1

申请日：2019-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴荣堂 ,  连绍慈 ,  廖启宏 ,  吴思桦 ,  欧阳良岳 ,  李锦思

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/336

Abstract: 提供内连线结构及其形成方法。形成介电层及其中的开口于基底之上。形成导电晶种层于介电层的顶面之上、以及沿着开口的底端和侧壁。形成导电填充层于晶种层之上。可透过表面预处理还原/移除晶种层表面上的金属氧化物。在清洁表面未暴露于氧的情况下，透过沉积填充材料于晶种层之上覆盖清洁表面。表面处理可包含使用氢自由基的反应性远程等离子体清洁。如果使用电镀沉积填充层，则表面处理可包含在开启电镀电流之前将基底浸至于电解质中。其他表面处理可包含使用氢自由基的主动预处理；或使用MCxT设备的Ar溅射。