形成封装组件的方法和封装组件器件

    公开(公告)号:CN116344352A

    公开(公告)日:2023-06-27

    申请号:CN202210828235.4

    申请日:2022-07-13

    摘要: 一种形成封装组件的方法包括在多个金属焊盘上方形成第一聚合物层,以及图案化第一聚合物层以在第一聚合物层中形成多个开口。多个金属焊盘通过多个开口暴露。在多个开口中形成多个导电通孔。在多个导电通孔上方并且接触多个导电通孔形成多个导电焊盘。多个导电焊盘中的导电焊盘相对于在导电焊盘的正下面的并且与导电焊盘物理接触的导电通孔横向偏移。形成第二聚合物层以覆盖多个导电焊盘并且与多个导电焊盘物理接触。根据本申请的其他实施例,还提供了封装组件器件。

    半导体器件及其形成方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116314125A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310012414.5

    申请日:2023-01-05

    IPC分类号: H01L23/538 H01L21/768

    摘要: 在实施例中,器件包括:集成电路管芯,包括管芯连接件;介电层,位于集成电路管芯上;凸块下金属层,具有位于介电层上的线部分并且具有延伸穿过介电层以接触管芯连接件的通孔部分;通孔,位于凸块下金属层的线部分上,通孔具有接近管芯连接件的第一弯曲侧壁,通孔具有远离管芯连接件的第二弯曲侧壁,第一弯曲侧壁具有比第二弯曲侧壁长的弧长;以及密封剂,位于通孔和凸块下金属层周围。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。