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公开(公告)号：CN104916579A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410443141.0
申请日：2014-09-02
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： H01L24/13 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/0345 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05186 , H01L2224/05573 , H01L2224/0558 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11821 , H01L2224/11827 , H01L2224/11848 , H01L2224/11849 , H01L2224/119 , H01L2224/13006 , H01L2224/13007 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13565 , H01L2224/1357 , H01L2224/13693 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/01074 , H01L2924/01029 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01082 , H01L2924/01079 , H01L2224/1182 , H01L2924/00012 , H01L2924/04953 , H01L2924/01047
摘要： 本发明提供了一种半导体器件结构和制造方法。该方法包括在半导体衬底上方形成导电柱。该方法还包括在导电柱上方形成焊料层。该方法还包括在焊料层上方形成水溶性助焊剂。此外，该方法包括使焊料层回流以在导电柱上方形成焊料凸块并在焊料层回流期间在导电柱的侧壁上方形成侧壁保护层。本发明还涉及半导体器件结构和制造方法。
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公开(公告)号：CN101150094A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710088724.6
申请日：2007-03-20
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/00 , H01L23/544
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/782 , H01L21/784 , H01L21/786 , H01L22/10 , H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 为解决测试垫剥离问题，本发明提供一种半导体晶圆结构，包括多个晶粒。第一切割线沿第一方向延伸，第二切割线沿第二方向延伸且与该第一切割线交叉，其中该第一切割线与该第二切割线具有交叉区域。第一测试线形成于该第一切割线中，其中该第一测试线越过该交叉区域。多个第一测试垫形成于该第一测试线中，其中所述第一测试垫仅形成于未被占用的区域的外侧，该未被占用的区域实质上定义于该交叉区域中。本发明可显著减少低介电常数材料的剥离问题，并且不仅给测试线提供了设置上的较大弹性，还可增加测试线的长度及测试线中测试垫的数目，此外，还可在各晶圆中制造出更多的晶粒。
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公开(公告)号：CN116314125A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310012414.5
申请日：2023-01-05
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/538 , H01L21/768
摘要： 在实施例中，器件包括：集成电路管芯，包括管芯连接件；介电层，位于集成电路管芯上；凸块下金属层，具有位于介电层上的线部分并且具有延伸穿过介电层以接触管芯连接件的通孔部分；通孔，位于凸块下金属层的线部分上，通孔具有接近管芯连接件的第一弯曲侧壁，通孔具有远离管芯连接件的第二弯曲侧壁，第一弯曲侧壁具有比第二弯曲侧壁长的弧长；以及密封剂，位于通孔和凸块下金属层周围。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN110310929A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201811608334.1
申请日：2018-12-27
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/535
摘要： 一种封装包括管芯、多个第一导电结构、多个第二导电结构、包封体及重布线结构。所述管芯具有有源表面及与所述有源表面相对的后表面。所述第一导电结构及所述第二导电结构环绕所述管芯。所述第一导电结构包括圆形柱且所述第二导电结构包括椭圆形柱或圆台。所述包封体包封所述管芯、所述第一导电结构及所述第二导电结构。所述重布线结构位于所述管芯的所述有源表面及所述包封体上。所述重布线结构电连接到所述管芯、所述第一导电结构及所述第二导电结构。
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公开(公告)号：CN104916617A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410566501.6
申请日：2014-10-22
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48
CPC分类号： H01L24/14 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05013 , H01L2224/05023 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05558 , H01L2224/05564 , H01L2224/05568 , H01L2224/0558 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1134 , H01L2224/11462 , H01L2224/13006 , H01L2224/13007 , H01L2224/13014 , H01L2224/13023 , H01L2224/13147 , H01L2224/1403 , H01L2224/1411 , H01L2224/16058 , H01L2224/16238 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2924/01029 , H01L2924/01074 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供了半导体器件结构及制造方法。该半导体器件结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的介电层。该半导体器件结构还包括位于介电层上方的导电迹线。该半导体器件结构还包括位于导电迹线上方的导电部件，并且导电部件的宽度基本上等于或大于导电迹线的最大宽度。另外，该半导体器件结构包括位于导电部件上方的导电凸块。
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公开(公告)号：CN103681395A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210539997.9
申请日：2012-12-13
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G05B19/4065 , G05B2219/37252 , G05B2219/45031
摘要： 本发明提供了用于工具状态监控的各种方法，本发明还包括用于实现这种监控的系统。一种示例性方法包括接收与由集成电路制造工艺工具对晶圆实施工艺相关联的数据；以及使用数据监控集成电路制造工艺工具的状态。监控包括：基于异常识别标准、异常过滤标准以及异常阈值评估数据以确定数据是否满足警报阈值。方法进一步包括当数据满足警报阈值时发布警报。本发明还提供了用于工具状态监控的定性故障检测和分类系统及相关方法。
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公开(公告)号：CN110875188A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910768353.9
申请日：2019-08-20
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/8234
摘要： 本公开提供半导体装置的形成方法。装置的形成方法为提供含硅的基板，且基板具有半导体鳍状物自主要表面凸起。形成衬垫层与浅沟槽隔离区，以与半导体鳍状物相邻。沉积硅盖于半导体鳍状物上。硅盖由半导体鳍状物上的结晶硅层，以及该衬垫层与该浅沟槽隔离区上的非晶硅部分所组成。进行氯化氢蚀刻烘烤工艺，以移除衬垫层与浅沟槽隔离区上的非晶硅部分。
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公开(公告)号：CN104916579B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201410443141.0
申请日：2014-09-02
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： H01L24/13 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/0345 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05186 , H01L2224/05573 , H01L2224/0558 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11821 , H01L2224/11827 , H01L2224/11848 , H01L2224/11849 , H01L2224/119 , H01L2224/13006 , H01L2224/13007 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13565 , H01L2224/1357 , H01L2224/13693 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/01074 , H01L2924/01029 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01082 , H01L2924/01079 , H01L2224/1182 , H01L2924/00012 , H01L2924/04953 , H01L2924/01047
摘要： 本发明提供了一种半导体器件结构和制造方法。该方法包括在半导体衬底上方形成导电柱。该方法还包括在导电柱上方形成焊料层。该方法还包括在焊料层上方形成水溶性助焊剂。此外，该方法包括使焊料层回流以在导电柱上方形成焊料凸块并在焊料层回流期间在导电柱的侧壁上方形成侧壁保护层。本发明还涉及半导体器件结构和制造方法。
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公开(公告)号：CN103681395B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201210539997.9
申请日：2012-12-13
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G05B19/4065 , G05B2219/37252 , G05B2219/45031
摘要： 本发明提供了用于工具状态监控的各种方法，本发明还包括用于实现这种监控的系统。一种示例性方法包括接收与由集成电路制造工艺工具对晶圆实施工艺相关联的数据；以及使用数据监控集成电路制造工艺工具的状态。监控包括：基于异常识别标准、异常过滤标准以及异常阈值评估数据以确定数据是否满足警报阈值。方法进一步包括当数据满足警报阈值时发布警报。本发明还提供了用于工具状态监控的定性故障检测和分类系统及相关方法。
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公开(公告)号：CN101150094B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200710088724.6
申请日：2007-03-20
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/00 , H01L23/544
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/782 , H01L21/784 , H01L21/786 , H01L22/10 , H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 为解决测试垫剥离问题，本发明提供一种半导体晶圆结构，包括多个晶粒。第一切割线沿第一方向延伸，第二切割线沿第二方向延伸且与该第一切割线交叉，其中该第一切割线与该第二切割线具有交叉区域。第一测试线形成于该第一切割线中，其中该第一测试线越过该交叉区域。多个第一测试垫形成于该第一测试线中，其中所述第一测试垫仅形成于未被占用的区域的外侧，该未被占用的区域实质上定义于该交叉区域中。本发明可显著减少低介电常数材料的剥离问题，并且不仅给测试线提供了设置上的较大弹性，还可增加测试线的长度及测试线中测试垫的数目，此外，还可在各晶圆中制造出更多的晶粒。
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